ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
ATT7022E/
26E/28E
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0B
版本修改说明
版本号
V1.0
V1.1
V1.2
V1.3
V1.4
V1.5
V1.6
V1.7
V1.8
V1.9
V2.0
V2.1
V3.0
V3.1
V3.2
V3.3
V3.4
修改记录
2011/03/30:创建初稿
2011/04/08:1、修订笔误:A、校验和寄存器累加校表寄存器0x01~0x39
B、有效值offset寄存器校正在有效值校正之前进行
2、修改校表寄存器推荐值。0x01=0xB9FF;0x03=0xF804, 0x31=0x3427;0x16=0x0
2011/05/24:1、修改满量程系数G=1.163
2、增加算法流程图
3、增加校表寄存器控制位说明及推荐
2011/06/09:1、芯片由ATT7122A更名为ATT7022E
2011/07/15:1、修订电压夹角数据格式说明:电压夹角参数为无符号数。
2、校表参数寄存器0x03,在计算校验和时,最高4bit顺序颠倒了,因此建议0x03
寄存器高4bit写全1即0xFxxx
2011/08/25:1、增加SPI接口:当SCLK频率高于500kHz时需要等待2uS才能读取数据
2、修正校验和初始值笔误
3、完善缓冲及同步功能流程说明
4、同步缓冲功能受写保护命令的保护,即往0xC9写非0x005A后开启写保护命令,
此时无法启动同步采样功能。
5、增加同步采样功能增益说明
2012/02/01:按DCC文档格式要求,修改格式。
2012/02/24:增加版本修改说明
2012/03/15:修改页脚为Rev1.8,修改第50页G值为1.163.,修改ADC数据位为19bit,
增加第41页“功率offset校正”数据处理说明。
2012/06/08:修改通道0注解,修改ADC数据位为16bit,修改功率因素计算公式
2013/2/1: 改版后动态范围5000:1;校表寄存器0x31默认值修改,同时校验和修改。
2013/4/25:修改N值定义说明,对Istart(1DH) 计算公式中的系数0.8进行说明。
2013/6/20:增加7026E/7028E的相应说明,将3种IC的数据手册整合,并修改手册名称。
功能升级动态范围5000:1,相位分三段说明,SAG功能说明
2013/08/09:修改寄存器的推荐值:0x01的bit7推荐值为0,即0x01=0xB97E,增加0x31寄存器的
说明,推荐值不变;增加电压暂降和过流中断说明;
修改“无功相位校正寄存器(0x16)”为“基波无功相位校正寄存器(0x16)”
2013/09/02:增加Sleep功能说明:Sleep下校表参数:0x01~0x1F保存
2013/10/23:增加N的说明,修改性能指标中动态范围笔误
2014/01/06:1、增加Sleep模式说明
2、修改快速脉冲寄存器说明:快速脉冲为补码形式
3、修改功率有效值更新速率为1.76Hz~14.4Hz和3.52Hz~28.8Hz
4、修改失压阈值计算公式的笔误:FailVoltage=Un*2^5*D
5、增加:芯片ID寄存器0x5D,新校表参数校验和寄存器0x5E,电流矢量和的offset
寄存器ItRmsoffset,三相三线值/三相四线制寄存器控制方式(校表参数0x70
bit0)ModSel,增加基波无功功率寄存器(计量参数0x57~5A),
6、功率Offset校正位扩展成24bit;
7、增加温度自动补偿功能功能;
8、电流矢量和算法兼顾三相四线制使用零线电流互感器和不使用零线电流互感器
的情况
9、电压夹角/相角算法增加可选新算法;
10、修改基波谐波功能描述;
11、校表参数0x70增加控制位Fcntmod可选绝对值模式;
12、修改过流检测功能定义;
13、修改寄存器列表、校表参数列表;
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目 录
版本修改说明 ............................................................................................................................................................ 2
1
2
芯片概况 ........................................................................................................................................................... 6
1.1
芯片简介 ................................................................................................................................................... 6
1.2
芯片特性 ................................................................................................................................................... 6
1.3
芯片比较列表 ........................................................................................................................................... 7
1.4
整体框图 ................................................................................................................................................... 7
1.5
引脚定义 ................................................................................................................................................... 8
1.6
应用示意图 ............................................................................................................................................. 11
功能描述 ......................................................................................................................................................... 12
2.1
电源管理 ................................................................................................................................................. 12
2.2
SLEEP模式 ............................................................................................................................................. 12
2.3
复位系统 ................................................................................................................................................. 12
2.4
A/D转换 .................................................................................................................................................. 13
2.5
电能质量测量 ......................................................................................................................................... 14
2.5.1
SAG功能 .............................................................................................................................................. 14
过流检测功能 ..................................................................................................................................... 14
2.5.3 闪变功能实现方案 ............................................................................................................................. 14
2.5.4 电压相序检测 ..................................................................................................................................... 14
2.5.5 电流相序检测 ..................................................................................................................................... 15
2.5.6 电压夹角测量 ..................................................................................................................................... 15
2.5.7 电压电流相角的测量 ......................................................................................................................... 15
2.5.8 功率因数测量 ..................................................................................................................................... 15
2.5.9 电压频率测量 ..................................................................................................................................... 15
2.5.10
失压检测 ......................................................................................................................................... 15
2.5.2
2.6
2.6.1
2.6.2
2.7
2.7.1
2.7.2
2.8
2.8.1
2.8.2
2.9
2.9.1
2.9.2
有效值测量 ............................................................................................................................................. 16
电流有效值测量 ................................................................................................................................. 16
电压有效值测量 ................................................................................................................................. 16
有功计量 ................................................................................................................................................. 16
有功功率计算 ..................................................................................................................................... 16
有功能量计算 ..................................................................................................................................... 17
无功计量 ................................................................................................................................................. 17
无功功率计算 ..................................................................................................................................... 18
无功能量计算 ..................................................................................................................................... 18
视在计算 ................................................................................................................................................. 18
视在功率计算 ..................................................................................................................................... 18
视在能量计算 ..................................................................................................................................... 19
2.10
基波谐波功能 ......................................................................................................................................... 20
2.11
功率方向判断 ......................................................................................................................................... 20
2.12
起动/潜动 ................................................................................................................................................ 21
2.13
硬件端口检测 ......................................................................................................................................... 21
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3
4
2.14
片上温度检测 ......................................................................................................................................... 21
2.15
基波测量功能 ......................................................................................................................................... 21
2.16
三相三线/四线应用 ................................................................................................................................ 22
2.17
能量脉冲输出 ......................................................................................................................................... 22
2.18
ADC采样数据缓冲功能 ......................................................................................................................... 23
2.19
同步采样数据缓冲功能 ......................................................................................................................... 24
2.20
VREF数字自动补偿功能 ......................................................................................................................... 24
通信接口 ......................................................................................................................................................... 26
3.1
SPI通讯接口介绍.................................................................................................................................... 26
3.2
SPI读操作 ............................................................................................................................................... 27
3.3
SPI写操作 ............................................................................................................................................... 28
3.4
SPI写特殊命令字操作............................................................................................................................ 29
寄存器 ............................................................................................................................................................. 31
4.1
计量参数寄存器 ..................................................................................................................................... 31
4.1.1
4.1.2
4.1.3
4.1.4
4.1.5
4.1.6
4.1.7
4.1.8
4.2
r_YIc ............................................................................................................................................... 31
Ic和参考向量之间的相角 ............................................................................................................. 31
YUa ................................................................................................................................................... 32
Ua和参考向量之间的相角 ............................................................................................................. 32
YUb ................................................................................................................................................... 32
Ub和参考向量之间的相角 ............................................................................................................. 32
YUc ................................................................................................................................................... 32
Uc和参考向量之间的相角 ............................................................................................................. 32
计量参数寄存器说明 ............................................................................................................................. 34
4.2.1
4.2.2
4.2.3
4.2.4
4.2.5
4.2.6
4.2.7
4.2.8
4.2.9
4.2.10
4.2.11
4.2.12
4.2.13
4.2.14
4.2.15
4.2.16
4.2.17
4.2.18
4.2.19
功率寄存器(地址:0x01~0x0C,0x40~0x43,0x57~0x5A) ....................................................... 34
有效值寄存器(地址:0x0D~0x013、0x29、0x2B、0x48~0x4D)............................................... 35
功率因数寄存器(地址:0x14~0x017) .......................................................................................... 36
功率角和电压夹角寄存器(地址:0x18~0x1A、0x26~0x28) ...................................................... 37
线频率寄存器(地址:0x1C) ......................................................................................................... 38
温度传感器数据寄存器(地址:0x2A) ......................................................................................... 38
能量寄存器(地址:0x1E~0x25,0x35~0x38,0x44~0x47) ........................................................ 38
快速脉冲计数寄存器(地址:0x39~0x3C) ................................................................................... 39
标志状态寄存器(地址:0x2C) ..................................................................................................... 40
电能寄存器工作状态寄存器(地址:0x1D,0x4E).................................................................... 41
功率方向寄存器(地址:0x3D)................................................................................................. 42
中断标志寄存器(地址:0x1B) ................................................................................................. 42
ADC采样数据寄存器(地址:0x2F~0x34、0x3F) ................................................................... 43
校表数据校验和寄存器(地址:0x3E/5E)................................................................................ 43
通讯数据备份寄存器(地址:0x2D)......................................................................................... 44
通讯校验和寄存器(地址:0x2E) ............................................................................................. 44
SAG标志寄存器(0x4F) ................................................................................................................... 44
峰值电压寄存器(0x50~0x52) ......................................................................................................... 45
芯片ID(地址:0x5D) ................................................................................................................ 45
4.3
校表参数寄存器 ..................................................................................................................................... 45
4.4
校表参数寄存器说明 ............................................................................................................................. 47
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4.4.1
4.4.2
4.4.3
4.4.4
4.4.5
4.4.6
4.4.7
4.4.8
4.4.9
4.4.10
4.4.11
4.4.12
4.4.13
4.4.14
4.4.15
4.4.16
4.4.17
4.4.18
4.4.19
4.4.20
4.4.21
4.4.22
4.4.23
4.4.24
4.4.25
4.4.26
4.4.27
5
电气规格 ......................................................................................................................................................... 62
5.1
6
模式配置寄存器(地址:0x01)...................................................................................................... 47
ADC增益配置寄存器(地址:0x02).............................................................................................. 48
EMU单元配置(地址:0x03) ......................................................................................................... 48
功率增益补偿寄存器(地址:0x04~0x0C) ........................................................................................ 49
相位校正寄存器(地址:0x00D~0x12,0x61~0x63)......................................................................... 50
功率offset校正 (地址:0x13~0x15,0x21~0x23,0x64~0x69) ....................................................... 50
基波无功相位校正寄存器(地址:0x16) ........................................................................................... 51
电压增益校正寄存器(地址:0x17~0x19) ......................................................................................... 51
电流增益校正寄存器(地址:0x1A~0x1C,0x20) ............................................................................ 52
起动电流设置寄存器 (地址:0x1D) ............................................................................................ 52
高频脉冲常数设置(地址:0x1E) .................................................................................................. 53
失压阈值设置寄存器(地址:0x1F) .............................................................................................. 53
有效值offset校正 (地址:0x24~0x29,0x6A) .............................................................................. 54
ADC offset校正 (地址:0x2A~0x2F) ............................................................................................ 54
中断使能寄存器 (地址:0x30) ..................................................................................................... 55
模拟模块使能寄存器 (地址:0x31) ............................................................................................. 55
全通道增益寄存器 (地址:0x32) ................................................................................................. 56
脉冲加倍寄存器 (地址:0x33) ..................................................................................................... 56
基波增益寄存器 (地址:0x34) ..................................................................................................... 57
IO状态配置寄存器 (地址:0x35) ................................................................................................ 57
起动功率寄存器 (地址:0x36) ..................................................................................................... 57
相位补偿区域设置寄存器(地址:0x37/0x60) .............................................................................. 58
SAG数据长度设置寄存器(0x38) ................................................................................................... 58
SAG检测阈值设置寄存器(0x39) ................................................................................................... 58
过流检测阈值设置寄存器(0x71) ................................................................................................... 59
自动温度补偿相关寄存器(0x6B~0x6F) (新增) .................................................................... 59
算法控制寄存器(0x70)................................................................................................................... 60
电气参数 ................................................................................................................................................. 62
校表过程 ......................................................................................................................................................... 63
校表及推荐 ..................................................................................................................................................... 64
7
芯片封装 ......................................................................................................................................................... 66
8
典型应用 ......................................................................................................................................................... 67
8.1
从采样数据得到FFT的推荐流程........................................................................................................... 67
8.2
同步缓冲数据分次谐波分析推荐流程.................................................................................................. 67
8.3
典型运用电路原理图 ............................................................................................................................. 67
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1
芯片概况
1B
1.1 芯片简介
ATT7022E/26E/28E系列多功能高精度三相电能专用计量芯片,适用于三相三线和三相四线应用。
ATT7022E/26E/28E集成了多路二阶sigma-delta ADC、参考电压电路以及所有功率、能量、有效值、功率因
数及频率测量的数字信号处理等电路,能够测量各相以及合相的有功功率、无功功率、视在功率、有功能
量及无功能量,同时还能测量各相电流、电压有效值、功率因数、相角、频率等参数,充分满足三相复费
率多功能电能表的需求。详细数据定义请参阅参数寄存器部分。
ATT7022E/26E/28E支持全数字域的增益、相位校正,即纯软件校表。有功、无功电能脉冲输出CF1、
CF2提供瞬时有功、无功功率信息,可直接接到标准表,进行误差校正。详细校表方法请参阅校表方法部
分。
ATT7022E/26E提供两类视在功率、能量计量方式:RMS视在方式和PQS视在方式,通过CF3输出视在
能量脉冲,可接到标准表进行视在能量误差校正。
ATT7022E提供基波参数计量:基波有功功率、基波有功电能、基波电流、电压有效值,通过脉冲输
出CF4提供瞬时基波有功功率信息,可直接用于基波的校正。
ATT7022E/26E/28E提供一个SPI接口,方便与外部MCU之间进行计量及校表参数的传递,SPI接口的
具体规格参见SPI详细说明部分,所有计量参数及校表参数均可通过SPI接口读出。
ATT7022E/26E/28E内置电压监测电路可以保证上电和断电时正常工作。
1.2 芯片特性
高精度,在输入动态工作范围(5000:1)内,非线性测量误差小于 0.1%
有功测量满足 0.2S、0.5S,支持 IEC62053-22:2003,GB/T17215.322-2008
无功测量满足 1 级、2 级,支持 IEC62053-23:2003,GB/T17215.323-2008
提供基波有功功率/电能/电压/电流有效值以及 CF 脉冲输出
提供 RMS、PQS 两种视在功率、能量计量(可选)
提供有功、无功、视在功率/电能及 CF 脉冲输出
提供功率因数、相位角、线频率、电压夹角参数
提供电压有效值、电流有效值,在 500:1 动态范围,有效值精度优于 0.1%
提供三相电压矢量和、电流矢量和的有效值输出
提供断相指示、电压/电流相序检测功能
中断支持:过零中断,采样中断,电能脉冲中断,校表中断
提供有功、无功反向指示功能
合相能量绝对值相加与代数相加可选
电表常数可调
起动电流可调
可准确测量到含 41 次谐波的有功、无功和视在功率、电能
支持增益及相位补偿,小电流非线性补偿
具有 SPI 通信接口,速率可达 10Mbps
内置温度测量传感器
适用三相三线和三相四线模式
片内参考电压,也可以外接参考电压
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
提供电能质量检测 SAG 功能,并可用于闪变分析(ATT7022E)
提供同步采样数据,便于分次谐波分析,无需进行预处理(ATT7022E)。
提供 1k*16bit ADC 数据缓存 buffer
提供脉冲加倍功能,便于小信号校表
支持 ROSI 线圈
采用 LQFP44 封装
3.3V 供电
晶体 5.5296MHz
1.3 芯片比较列表
芯片型号
有功计量
无功计量
视在计量
基波谐波
ADC采样
数据缓存
第7路ADC
SAG检测
ATT7022E
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
ATT7026E
Y
Y
Y
N
N
N
N
ATT7028E
Y
N
N
N
N
N
N
注:第7通道、电能质量检测SAG功能、基波谐波功能及数据缓存功能为ATT7022E专有。
1.4 整体框图
CLKIN CLKOUT
PGA
V0P
V0N
2 阶ADC
AVCC
AGND
DEC filter
Clock
Generator
LVREF
Power
Monitor Unit
VDD1P8
DVCC
PGA
2 阶ADC
DEC filter
PGA
2 阶ADC
DEC filter
PGA
V1P
V1N
2 阶ADC
DGND
TEST
V2P
V2N
V3P
V3N
DEC filter
SDO
SDI
EMU
PGA
V4P
V4N
CF1
CF2
CF3
CF4
Pulse
output
2 阶ADC
SCLK
CS
DEC filter
Reset
V6P
V6N
Vref
2 阶ADC
PGA
V5N
PGA
V5P
2 阶ADC
Voltage
Reference
DEC filter
Register
General
Interface
SEL
IRQ
DEC filter
Temperature
sensor
ADC
REVP
图1-4-1
ATT7022E/26E/28E芯片整体框图
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1.5 引脚定义
TEST
GND
CF2
CF1
SEL
NC
GND
SLEEP
CF4
CF3
NC
ATT7022E/26E/28E系列采用LQFP44封装形式:44Pin LQFP(10x10)
ATT7022E
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
VCC
CS
SCLK
DIN
DOUT
VDD
REVP
VCC
OSCI
OSCO
GND
V0N
V0P
V6N
V6P
AVCC
V4N
V4P
AGND
V2N
V2P
AVCC
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23
NC
NC
V6N
V6P
AVCC
V4N
V4P
AGND
V2N
V2P
AVCC
TEST
GND
CF2
CF1
SEL
NC
V1P
V1N
REFCAP
V3P
V3N
AGND
V5P
V5N
AGND
GND
SLEEP
NC
CF3
NC
RESET
IRQ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23
34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
VCC
CS
SCLK
DIN
DOUT
VDD
REVP
VCC
OSCI
OSCO
GND
ATT7026E
V1P
V1N
REFCAP
V3P
V3N
AGND
V5P
V5N
AGND
RESET
IRQ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
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TEST
GND
NC
CF1
SEL
NC
GND
SLEEP
NC
NC
NC
ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
VCC
CS
SCLK
DIN
DOUT
VDD
REVP
VCC
OSCI
OSCO
GND
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23
ATT7028E
NC
NC
V6N
V6P
AVCC
V4N
V4P
AGND
V2N
V2P
AVCC
V1P
V1N
REFCAP
V3P
V3N
AGND
V5P
V5N
AGND
RESET
IRQ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
图1-5-1
ATT7022E/26E/28E引脚配置
表格1-1
引脚编号
PIN名字
特性
1
Reset
输入
2
IRQ
输出
3,4
V1P/V1N
输入
5
REFCAP
输出
6,7
V3P/V3N
输入
8,11,15
AGND
参考地
9,10
V5P/V5N
输入
12,18
AVCC
电源
引脚功能
功能描述
外接复位,低电平有效,Schmitt Trigger类型;内部47K
上拉电阻。
上电复位之后,IRQ信号变低,写入校表参数后变高;内
部IRQ功能项使能后,当发生该事件IRQ信号输出低电平,
读完中断标志寄存器后,该引脚变高。
通道1(电流通道)正,负模拟输入引脚。完全差动输入
方式,正常工作最大信号电平为 ±0.7Vp,通道1有一个
PGA,其增益选择参见寄存器部分,两个引脚内部都有ESD
保护电路。
基准 1.2V,可以外接;该引脚应使用10μF电容并联
0.1uF瓷介质电容进行去耦。
通道3(电流通道)正,负模拟输入引脚。完全差动输入
方式,正常工作最大信号电平为 ±0.7Vp ,通道3有一
个PGA,其增益选择参见寄存器部分,两个引脚内部都有
ESD保护电路。
模拟电路(即ADC和基准源)的接地参考点,该引脚应连
接到PCB的模拟地。
通道5(电流通道)正,负模拟输入引脚。完全差动输入
方式,正常工作最大信号电平为 ±0.7Vp ,通道5有一
个PGA,其增益选择参见寄存器部分,两个引脚内部都有
ESD保护电路。
该引脚提供模拟电路的电源,正常工作电源电压应保持
在3.3V±10%,为使电源的纹波和噪声减小至最低程度,
该引脚应使用10μF电容并联0.1uF瓷介电容进行去耦。
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13,14
V2P/V2N
输入
16,17
V4P/V4N
输入
19,20
V6P/V6N
输入
21,22
V0P/V0N
输入
23,33,44
24
GND
TEST
参考地
输入
32
SLEEP
输入
25,29
NC
——
26
SEL
输入
27
CF1
输出
28
CF2
输出
30
CF3
输出
31
CF4
输出
34,41
VCC
电源
35
CS
输入
36
SCLK
输入
37
DIN
输入
38
DOUT
输出
39
VDD
电源
40
REVP
输出
42
OSCI
输入
43
OSCO
输出
通道2(电压通道)的正、负模拟输入引脚。完全差动输
入方式,正常工作最大输入电压为±0.7Vp,两个引脚内
部都有ESD保护电路。
通道4(电压通道)的正、负模拟输入引脚。完全差动输
入方式,正常工作最大输入电压为±0.7Vp,两个引脚内
部都有ESD保护电路。
通道6(电压通道)的正、负模拟输入引脚。完全差动输
入方式,正常工作最大输入电压为±0.7Vp,两个引脚内
部都有ESD保护电路。
通道0(电压通道)的正、负模拟输入引脚。完全差动输
入方式,正常工作最大输入电压为±0.7Vp,两个引脚内
部都有ESD保护电路。
注:ATT7026E/ATT7028E无此引脚,为NC
数字地引脚
测试管脚,应用时请务必接地。
休眠模式控制引脚,高有效,即拉高进入休眠模式,功
耗1uA,拉低芯片正常工作。
不连接。
三相三线低电平,三相四线高电平选择,Schmitt Trigger
类型;内部可编程为300k上拉电阻或floating。
频率校验输出(高电平脉冲),用于有功功率的校验;也
可以用来做有功电能计量。
频率校验输出(高电平脉冲),用于无功功率的校验;也
可以用来做无功电能计量。
注:ATT7028E无此引脚,为NC
频率校验输出(高电平脉冲),用于视在功率的校验;也
可以用来做视在电能计量。
注:ATT7028E无此引脚,为NC
频率校验输出(高电平脉冲),用于基波有功功率的校验;
也可以用来做基波有功电能计量。
注:ATT7026E/ATT7028E无此引脚,为NC
数字电源引脚;正常工作电源电压应保持在3.3V±5%,
该引脚应使用10μF 电容并联100nF瓷介电容进行去耦。
选择信号,它是SPI 接口的一部分;由Host MCU产生,
低有效,若CS为高,则DOUT为高阻态,Schmitt Trigger
类型。内部可编程为300k上拉电阻或floating。
为同步串行接口配置的串行时钟,由Host MCU产生,该
管脚为Schmitt Trigger类型,可以方便接收由光耦传送
过来的信号。内部可编程为300k上拉电阻或floating。
串行接口的数据输入;来自Host MCU;SCLK下降沿是有
效数据,Schmitt Trigger类型。内部可编程为300k上拉
电阻或floating。
串行接口的数据输出;SCLK上升沿放出数据;下降沿是
有效数据。
数字电源1.8V输出。外接10μF钽电容并联100nF瓷介质
电容进行去耦。
逻辑输出,任意相功率为负时输出高电平;当再次检测
到三相都为正功率时,该引脚的输出为低。
系统晶振的输入端,或是外灌的系统时钟输入。(推荐
为5.5296MHz),内部已集成起振电路10M电阻。
晶振的输出端。
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1.6 应用示意图
/RST
IRQ
1.2K
33nf
UA
Reset
1.2K
33nf
1.2K
5R1
33nf
IA
5R1
1.2K
UB
UC
IB
IC
与A相接
线相同
33nf
MCU
SPI
ATT7022
E/26E/28
E高精度
多功能三
相电能专
用计量芯
片
与A相接
线相同
OSCO
LCD显示
模块
通讯模块
EEPROM
OSCI
5.5296MHz
图1-6-1 应用示意图
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2
功能描述
2B
2.1 电源管理
ATT7022E/26E/28E片内包含一套电源监控电路,连续对模拟电源
(AVCC)进行监控。当电源电压低于2.5V±5%时,芯片将被复位。这
有利于电路上电和掉电时芯片的正确启动和正常工作电源监控电路被
安排在延时和滤波环节中,这在最大程度上防止了由电源噪声引发的
错误,如图2-1所示。为保证芯片正常工作应对电源去耦,使AVCC的
波动不超过3.3V±5%。
3.3V
2.5V
复位
2.2 SLEEP模式
运行
复位
图2-1-1 片内电源监控特性
将Sleep引脚(pin 32)拉高,ATT7022E/ATT7026E/ATT7028E进入
sleep模式,在sleep模式下,校表参数0x01~0x1F保存,当Sleep拉
低后,ATT7022E/ATT7026E/ATT7028E重新进入正常工作。
图2-1-1 电源监测
2.3 复位系统
ATT7022E/26E/28E提供两种复位方位:硬件复位和软件复位。
硬件复位:
通过外部引脚RESET完成,RRSET引脚内部有47K上拉电阻,所以正常工作时为高电平,当RESET出
现大于20us的低电平时,ATT7022E/26E/28E进入复位状态,当RESET变为高电平时ATT7022E/26E/28E将
从复位状态进入正常工作状态。
软件复位:
通过SPI接口完成,当往SPI口写入0xD3命令后,系统就进行一次复位,复位之后ATT7022E/26E/28E
从初始状态开始运行。
ATT7022E/26E/28E在复位状态下IRQ信号为高电平,当 ATT7022E/26E/28E从上电复位到工作状态之
后,大约经过25ms左右,IRQ将从高电平变为低电平,此时芯片开始进入正常工作状态,方可写入校表数
据,一旦写入校表数据之后,IRQ又会立刻变为高电平。
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图2-3-1 系统复位时序图
2.4 A/D转换
ATT7022E/26E/28E片内集成了多路19位的ADC,采用双端差分信号输入,输入最大正弦信号(满量程)
有效值是0.5V,建议将电压通道 Un 对应到 ADC 的输入选在有效值0.22V左右,而电流通道 Ib 时的ADC
输入选在有效值0.05V 左右。参考电压 Refcap典型值是 1.2V。
ATT7022E/26E/28E内部 ADC 系统框图:
图2-4-1 ADC内部框图
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2.5 电能质量测量
2.5.1
SAG功能
7022E检测方式为:以半周波为单位(2个过零点之间),找到ADC采样值绝对值的最大值。
某相电压暂降判据为:该相电压波形采样值绝对值的峰值的高16 位小于SAG阈值设置寄存器
SAGLVL(校表参数0x39)的设置值 ,且持续时间为SAG长度设置寄存器Cyclength(校表参数0x38)设定的
半周波数,则判定该相电压暂降。当Cyclength=0x0000时,关闭SAG功能。
某相电压暂降发生时, 同时SAG标志置位,即SAGFlag(计量参数0x4F) 寄存器中该相SAGUx(x=A,
B,C)寄存器位置1,并且中断标志INTFlag寄存器(计量参数0x1B)中的SAGIF 寄存器位也同时置1。若开
启了SAG中断,即EMU中断配置寄存器EMUIE(校表参数0x30)中的SAGIE=1,SAGIF置1会导致IRQ中断。
清SAGIF 的同时会清该中断, SAGFlag寄存器中SAGUx 标志也同时被清掉。
不管是否发生电压暂降,7022E都将每一相的Cyclength(校表参数0x39)个半周波数中的最大值存入
对应相的PEAK寄存器(计量参数0x50~0x52)。
PEAK寄存器读到的值为峰值补码形式(负数表示绝对峰值的最大值出现在负半周波),与有效值寄存器
的关系为 2 倍。
2.5.2
过流检测功能
某相电流过流判据为:该相电流波形采样值绝对值的峰值的高16 位大于电流阈值设置寄存器
OILVL(校表参数0x71)的设定值 ,则判定该相电流过流;检测时间为Cyclength设定的半周期数,与SAG
设置共用寄存器Cyclength(校表参数0x38)。OILVL=0时,关闭该功能。
某相电流过流发生时, 同时过流标志置位,即SAGFlag(计量参数0x4F) 寄存器中对应相OVIx(x=A,
B,C)寄存器位置1,同时中断标志INTFlag寄存器(计量参数0x1B)中的OVIIF 寄存器位置1。若开启了过
流中断,即EMU中断配置寄存器EMUIE(校表参数0x30)中的OVIIE=1,OVIIF置1会导致IRQ中断。清OVIIF
的同时会清该中断, SAGFlag寄存器中OVIx 标志也同时被清掉。
2.5.3
闪变功能实现方案
通过设置Cyclength=1,每10mS读取一次Peak值,可得到所有半波有效值用于闪变电压计算。连续读
取60000个半波峰值,即可计算10分钟的短时闪变;基于短时闪变结果,还可计算长时闪变。
详见“闪变算法”文档。
2.5.4
电压相序检测
ATT7022E/26E/28E提供电压的相序检测功能,三相四线和三相三线模式的电压相序检测依据不完
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全一样。
三相四线模式下:电压相序检测按照A/B/C三相电压的过零点顺序进行判断,电压相序正确的依据:
当A相电压过零之后,B相电压过零,然后才是C相电压过零,否则电压错序。另外,只要当A/B/C三相
电压中任何一相没有电压输入时,ATT7022E/26E/28E也认为是电压错序。
三相三线模式下:电压相序检测按照A相电压与C相电压的夹角进行判断:当A相与C相的电压夹角
在300度左右时,才认为电压相序正常,否则判断电压出现错序。
2.5.5
电流相序检测
ATT7022E/26E/28E提供电流相序检测功能。
三相四线模式下:电流相序检测按照A/B/C三相电流的过零点顺序进行判断,电流相序正确的依据:
当A相电流过零之后,B相电流过零,然后才是C相电流过零,否则电流错序。另外,只要当A/B/C三相
电流中任何一相电流丢失,ATT7022E/26E/28E也认为是电流错序。
三相三线模式下:电流相序检测按照A相电流与C相电流的夹角进行判断:当A相与C相的电流夹角
在120度左右时,才认为电流相序正常,否则判断电流出现错序。
2.5.6
电压夹角测量
ATT7022E/26E/28E电压夹角测量精度为0.1度,并提供三个寄存器YUaUb、YUaUc、YUbUc分别表
示AB/AC/BC电压的夹角,范围为0~360度。数据更新时间为3Hz。
2.5.7
电压电流相角的测量
ATT7022E/26E/28E提供相角 ϕ 的检测功能, ϕ 表示为 ±180° 。
2.5.8
功率因数测量
Pf =
功率因数计算公式:
2.5.9
abs ( P )
abs ( S )
电压频率测量
ATT7022E/26E/28E可以直接输出电压频率参数,ATT7022E/26E/28E可以自动选择A/B/C三相中的
任意一相电压为电压频率测量的基准,并增加了稳定过零点的低通滤波,可有效减小噪声和谐波的干
扰影响,可更准确更可靠地测量电压线频率,精度达0.01Hz。
2.5.10 失压检测
ATT7022E/26E/28E可以根据设定的阈值电压对A/B/C三相电压是否失压进行判断。阈值电压可以通
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过失压阈值设置寄存器FailVoltage进行设定。ATT7022E/26E/28E上电复位后失压阈值设置会根据当前
选择的工作模式(三相三线/三相四线)默认设置为不同的参数。在没有对电压有效值进行校正时三相
四线模式的失压阈值对应在电压通道输入50mV左右,而三相三线模式的失压阈值对应在电压通道输入
150mV左右。如果对电压有效值进行了校正,则必须重新设定失压阈值设置寄存器FailVoltage,设置
方法参考失压阈值设定部分。
2.6 有效值测量
2.6.1
电流有效值测量
通过对电流采样值进行平方、开方以及数字滤波等一系列运算得到。电流通道输入有效值500mV到
1mV的信号时电流有效值的误差小于0.2%。
图2-6-1-1 电流有效值测量
2.6.2
电压有效值测量
通过对电压采样值进行平方、开方以及数字滤波等一系列运算得到。电压通道输入有效值500mV到
1mV的信号时电压有效值的误差小于0.2%。
图2-6-2-1 电压有效值测量
2.7 有功计量
2.7.1
有功功率计算
各相的有功功率是通过对去直流分量后的电流、电压信号进行乘法、加法、数字滤波等一系列数
字 信 号 处 理 后 得 到 的 。 电 压 、 电 流 采 样 数 据 中 包 含 高 达 41 次 的 谐 波 信 息 , 所 以 依 据 公 式
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=
P
1 N
∑ (U (n) × I ( n )) 计算得到的有功功率也至少包含41次谐波信息。有功功率的测量原理图如下
N n =0
图所示,合相有功功率 Pt = Pa + Pb + Pc 。
图2-7-1-1 有功功率测量
图 2-7-1-2 有功功率及能量测量
2.7.2
有功能量计算
有功能量通过瞬时有功功率对时间的积分得到。单相有功能量的计算公式为:
Ep = ∫ p ( t ) dt
。
合相有功能量可以根据设置按照代数或者绝对值的模式进行累加。代数和模式
Ept = Epa + Epb + Epc ,而绝对值加模式 Ept = Epa + Epb + Epc 。如图所示。
图 2-7-2-1 有功能量测量
2.8 无功计量
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2.8.1
无功功率计算
根据真无功功率(正弦式无功功率)定义公式,无功功率 Q =
∞
∑ (Un × In × sin(ϕ )) ,无功功率计
k =1
量算法与有功类似,只是电压信号采用移相90度之后的,移相方式采用Hilbert滤波器。测量带宽主要
受到数字移相滤波器的带宽限制,ATT7022E/26E无功功率的测量带宽也可高达41次谐波。
图 2-8-1-1 无功功率测量
2.8.2
无功能量计算
无功能量通过瞬时无功功率对时间的积分得到。单相无功能量的计算公式为:
Eq = ∫ q ( t ) dt
。合
相无功能量可以根据设置按照代数或者绝对值的模式进行累加。代数和模式 Eqt = Eqa + Eqb + Eqc ,
而绝对值加模式
Eqt = Eqa + Eqb + Eqc
,如图所示。
图 2-8-2-1 无功能量测量
2.9 视在计算
2.9.1
视在功率计算
视在功率有两类计算公式:
=
S
PQS视在功率(公式一):
P2 + Q2
RMS视在功率(公式二): S = Urms * Irms
ATT7022E/26E提供两类计算方式,用户可通过寄存器配置选择使用任意一种计算公式。
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采用PQS视在功率(公式一)实现的视在功率值。如下图所示。
图 2-9-1-1 视在功率测量
关于合相视在功率,ATT7022E/26E按照公式一,根据合相有功功率和合相无功功率计算得到,
如下图所示。
图 2-9-1-2 合相视在功率测量
根据RMS视在功率公式二实现的视在功率值,如下图所示。
图 2-9-1-3 视在功率测量
2.9.2
视在能量计算
视在能量定义视在功率对时间的积分,由于视在功率存在两类计算公式,所以ATT7022E/26E提供
这两类的视在能量,通过寄存器控制位选择。
按照公式=
ST
PT 2 + QT 2 计算PQS视在能量,如下图所示。
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图 2-9-2-1 合相视在能量测量
按照公式 ST = Ura * Ira + Urb * Irb + Urc * Irc 计算RMS视在能量,如下图所示。
图 2-9-2-2 视在能量测量
2.10 基波谐波功能
ATT7022E原来只有基波功能,提供基波电压/电流有效值,基波有功功率、基波电能。
新版ATT7022E需要提供基波/谐波有效值、基波/谐波有功功率、有功电能。其中基波/谐波使能控制
还是通过寄存器位HAREn (校表参数0x03.bit10)使能,并通过寄存器(校表参数0x70 bit5)EnHarmonic进行基
波测量和谐波测量的切换,具体命令为:EnHarmonic=1时为谐波测量,=0为基波测量。
2.11 功率方向判断
ATT7022E/26E/28E提供实时功率方向指示,方便实现四象限功率计量。负功率指示REVP:当检测到
三相中任意一相的有功功率为负,则REVP输出高电平,直到下次检测到所有的有功功率都为正时,REVP
才恢复为低电平。
注意,当某一相功率处于潜动时,该相功率值的方向不影响REVP的状态;REVP状态需要在芯片发出
第一个脉冲之后才正常指示,否则REVP一直处于低电平。
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2.12 起动/潜动
ATT7022E/26E/28E提供两种方式实现能量计量的起动和潜动:
电流阈值判断方式:即判断电流是否小于启动阈值来实现起动与潜动的判断。当ATT7022E/26E/28E
检测到某相电流大于起动阈值时,该相能量就开始计量,也就是可以起动,而当检测到某相电流小于起动
阈值时,该相能量停止计量,也就是处于潜动状态。
功 率 阈 值 判 断 方 式 : 即 判 断 有 功 功 率 和 无 功 功 率 是 否 同 时 小 于 起 动 功 率 阈 值 实 现 潜 动。 当
ATT7022E/26E/28E检测到某相有功功率或无功功率大于起动功率阈值,该相能量就开始计量,即起动,当
某相有功功率和无功功率同时小于起动功率阈值,该相能量停止计量,即潜动。
注:推荐使用功率阈值判断方式,设置值更准确。
2.13 硬件端口检测
ATT7022E/26E/28E 可 以 自 动 检 测 硬 件 端 口 , 当 硬 件 端 口 改 变 时 , 系 统 将 自 动 复 位 重 新 起 动 ,
ATT7022E/26E/28E外部端口输入主要有SEL,用于选择芯片工作在三相三线还是三相四线模式。
2.14 片上温度检测
ATT7022E/26E/28E内建温度传感器,并提供一个8位的ADC对环境温度进行采样输出,分辨率为0.726℃
/LSB。
2.15 基波测量功能
ATT7022E/26E/28E专门提供基波有功电能测量功能,将电压和电流信号中的基波成分分离出来,
直接提供精确的基波有功功率以及基波有功电能的计量。其中基波电压/电流有效值、基波有功功率分
别放在不同的寄存器,便于用户同时取得基波和全波数据计算畸变率,基波有功能量脉冲通过CF4输
出。
基波抽取滤波器用于完成基波测量功能,对高于3次(150Hz)以上的谐波信号进行衰减,仅保留基
波成分,谐波衰减率在-30dB以上。
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2.16 三相三线/四线应用
三相四线模式: ATT7022E/26E/28E采用三元件测量方法,合相功率计算公式为:
三相三线模式:ATT7022E/26E/28E采用两元件测量方法,合相功率计算公式为:
在三相三线模式下ATT7022E/26E/28E的B相通道不参加功率计量,只有A相和C相通道参与三相三
线的测量。但是ATT7022E/26E/28E可以将B通道的参数单独放出,只要在B相通道的电压与电流通道上
加入相应信号,在三相三线模式下仍可读取Pb/Qb/Sb/Urmsb/Irmsb/Pfb/Pgb参数,但是B通道的电压和电
流通道上所加的信号不会对三相三线的正常测量产生不良影响。
另外三相三线模式下.Urmsb寄存器可选择B通道输入信号,也可选择通过内部矢量方式直接计算
Uac有效值。
2.17 能量脉冲输出
4个高频脉冲输出CF1/CF2/CF3/CF4, 对应关系如下:
脉冲管脚
输出能量
CF1
全波有功电能 PF
CF2
全波无功电能 QF
CF3
全波视在电能 SF
CF4
基波有功电能 PoF
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
图 2-17-1 能量脉冲输出
电压、电流信号经过变换后在功率测量信号处理电路中相乘等到瞬时功率,对时间积分后成为电能
信号,根据设置将A/B/C三相电能做绝对值相加或代数值相加运算,并将结果变换成频率信号,然后按
照用户设定的分频系数进行分频,得到可用于校表的电能脉冲输出信号。
下图是高频输出常数为64时的分频示意图,电能脉冲输出的脉宽为90毫秒,当脉冲周期小于180毫
秒时,电能脉冲以占空比为1:1的等宽脉冲输出。
图2-17-2
CF脉冲输出时序
2.18 ADC采样数据缓冲功能
ATT7022E内建一个长度为1024*16bit的缓存存储区,用以实时保存ADC原始采样数据,供用户做
进一步的分析。用户发送命令(任务开始+预定channel的数据)后,ATT7022E在每个采样周期将相应的
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ADC数据保存到缓存中,直到缓存满为止。只要不发送新的命令,缓存的数据会保持上一次的数据。
用户可以随时读取缓存的内容。通过C1命令改变gWaveAddress,用户可以任意指定要读的缓存的
起始地址;每读一次缓存后,该地址会自加一,大于缓存长度后,会变为0。
读有效数据的方法:用户可以等待相应采样间隔以上的时间后,去读取缓存的内容,例如:单通
道时1024个采样间隔时间,双通道512个采样间隔时间,缓冲数据采样率可通过寄存器配置。或者,读
取地址小于ptrWaveFormRd的内容。(ptrWaveFormRd为ATT7022E内部保存数据时的指针,对应于7E
的内容。)
SPI读取到的数据格式:高8bit为0,低2byte为16bit的ADC数据。多通道时的数据为实际的存储顺
序,以UA UB UC为例,在缓存中的数据依次为UA0 UB0 UC0 UA1 UB1 UC1 …UA340 UB340 UC340
UA341。
2.19 同步采样数据缓冲功能
为便于用户实现分次谐波功能,ATT7022E额外提供同步采样数据缓冲功能,同时将7路ADC的同
步采样存储在1024*16bit的缓冲存储器中。ATT7022E根据外部输入信号频率调整采样率,实现在EMU
时钟为921.6kHz下,每周期固定64点数据。用户发送命令(0xC5+0x0002)启动自动同步采样功能,
ATT7022E根据内部计量的频率信息自动调整采样率后开始将同步采样数据保存到缓存中,直到存满为
止,只要不重新发送新的缓冲存储命令,缓存的数据会一直保持上一次的数据。
同样的用户也可以使用手动方式(0xC5+0x03),自己根据ATT7022E计量的频率值计算同步数据
系数写入到0xC4中,调整缓冲数据采样率,再启动同步采样缓冲功能。
同步采样数据存储到缓冲区后,用户可以随时读取缓存的内容。通过C1命令改变gWaveAddress,
用户可以任意指定要读的缓存的起始地址;每读一次缓存后,该地址会自加一,大于缓存长度后,会
变为0。
读有效数据的方法:用户可以等待相应采样间隔以上的时间后,去读取缓存的内容。或者,读取
地址小于ptrWaveFormRd的内容。(ptrWaveFormRd为ATT7022E内部保存数据时的指针,对应于7E的内
容。)
SPI读取到的数据格式:高8bit为0,低2byte为16bit的ADC数据(补码形式)。7路ADC数据每路146
个数据,存储顺序依次为Ua、Ub、Uc、Ia、Ib、Ic、In。
2.20 Vref数字自动补偿功能
新版ATT7022E/26E增加温度自动补偿功能,当VrefAotu_en=1(校表参数0x70 bit1)时开启。同时该功能
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只在TPS使能时才有效,即TPS_En=1(校表参数0x31 bit4)且VrefAotu_en=1(校表参数0x70 bit1)时有效。
工作机制如下:
1、 TPS 初始偏置校正:
新增加 Toffset 校正寄存器(校表参数 0x6B)
进行TPS一致性校正,使得TPSData(计量参数0x2A)值在常温(25度)输出为0x00。
校正方式:直接读取TPSData(计量参数0x2A)在常温(25度)输出值,直接写入Toffset校正寄存器(校
表参数0x6B)即可。
校正后温度的计算公式为TP=25-0.726*TMM。
TMM为温度输出寄存器(计量参数0x2A)的读数取补码。
2、 新增加 Tgain 校正寄存器
用于补偿TPS的系数,使得新版ATT7022E的TPS分辨率兼容原来ATT7022E的-0.726/LSB。
芯片直接调整ok,不需要校正。
3、 新增 Vrefgain 的补偿曲线系数 TCcoffA,TCcoffB,TCcoffC
1)补偿Vref和外围电阻(选用20ppm正温度系数电阻)时推荐系数:0x6D=0xFF11;0x6E=0x2B53;
0x6F=0xD483
2)只补偿ATT7022E本身的Vref温度特性时推荐系数:0x6D=0xFF00;0x6E=0x0DB8;0x6F=0xD1DA
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3
通信接口
3B
3.1 SPI通讯接口介绍
ATT7022E/26E/28E内部集成一个SPI串行通讯接口,采用从属方式工作,使用2条控制线和两条数
据线:CS/SCLK/DIN/DOUT。
CS:片选(INPUT),允许访问控制线,CS发生下降沿跳变时表示SPI操作开始,CS发生上升沿跳变
时表示SPI操作结束。
DIN:串行数据输入(INPUT),用于把数据传输到ATT7022E/26E/28E中。
DOUT:串行数据输出(OUTPUT),用于从ATT7022E/26E/28E寄存器中读出数据。
SCLK:串行时钟(INPUT),控制数据移出或移入串行口的传输率。上升沿放数据,下降沿取数据。
SCLK上升沿时将ATT7022E/26E/28E寄存器中的数据放置于DOUT上输出,SCLK下降沿时将DIN上的
数据采样到ATT7022E/26E/28E中,MSB在前,LSB在后。
ATT7022E/26E/28E SPI通讯接口采用固定长度的数据传输(一共4个字节),也就是说每次数据
通讯都是1个字节命令和3个字节的数据。
ATT7022E/26E/28E与外部MCU的SPI通讯接口典型接线如图所示:
图3-1-1 SPI典型接线图
考虑SPI传输信号线有可能受到干扰或者出现抖动,可以在SPI信号线上串联一个小电阻。这个电
阻与IC输入端的寄生电容C结合起来可构成一个低通滤波器,可以消除SPI接口信号上的任何振荡,一
般推荐使用10~100Ω电阻。如果数字输入端的内部电容不够大,还可在这个输入端加一个外接电容,
可选10pF左右的电容。对于这两个电阻、电容参数选择,要根据SPI通讯速率以及外部MCU的信号进
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行分析,并需要作些相关的实验,以确定电阻、电容值是否适合。
3.2 SPI读操作
ATT7022E/26E/28E的计量参数及校表参数寄存器是通过SPI提供给外部MCU的。
SPI读时序图:
CS
SCLK
DIN
76543210
DOUT
23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
图3-2-1 读操作时序
ATT7022E/26E/28E的SPI通讯格式是相同的,8位命令,24位数据,MSB在前,LSB在后,发送8
位命令后,读取24位数据。其中8位命令位格式说明如下:
Bit7:0 表示读命令,用于外部MCU读取ATT7022E/26E/28E寄存器数据
Bit6…0:表示寄存器地址,参照寄存器定义部分
注意:
通过SPI写入一个8 bits的命令字之后,可能需要一个等待时间,然后才能通过SPI读取24bits的数据。当
SCLK频率低于500kHz时,不需要等待时间,即等待时间为0uS;当SCLK频率高于500kHz时,则需要等待
2uS,ATT7022E/26E/28ESPI_SCLK速率最高为10MHz,详见w_ModuleCFG(0x31)配置描述。
SPI读操作示例:
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3.3 SPI写操作
Command
CS
Data
SCLK
DIN
7 6 5 4 3 2 1 023 22 21 20 1918 1716 1514 13 1211 10 9
8 7 6 5 4 3 2 1 0
图3-3-1 写操作时序
ATT7022E/26E/28E的SPI通讯格式是相同的,8位命令,24位数据,MSB在前,LSB在后,发送8
位命令后,紧随着写入24位数据。其中8位命令位格式说明如下:
Bit7:1 表示写命令,用于外部MCU写ATT7022E/26E/28E寄存器参数
Bit6…0:表示寄存器地址,参照寄存器定义部分
SPI写操作示例:
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3.4 SPI写特殊命令字操作
ATT7022E/26E/28E提供一些特殊的命令字以配合软件校表之用,SPI写特殊命令字的操作过程与
SPI写操作时序一致。
SPI写特殊命令字时序图:
Command
CS
Data
SCLK
DIN
7 6 5 4 3 2 1 023 22 21 20 1918 1716 1514 13 1211 10 9
8 7 6 5 4 3 2 1 0
图3-4-1 写特殊命令字操作时序
ATT7022E/26E/28E的SPI通讯格式是相同的,8位命令,24位数据,MSB在前,LSB在后,发送8
位命令后,紧随着写入24位数据。其中8位命令位格式说明如下:
Bit7/6:1 1 表示写入特殊命令字
Bit7/6:1 0 表示写命令,用于外部MCU更新ATT7022E/26E/28E校表数据
Bit7/6:0 X 表示读命令,用于外部MCU读取ATT7022E/26E/28E的参数
Bit5…0:
表示特殊命令字的类型
特殊命令使用说明:
ATT7022E/26E/28E提供的特殊命令主要有:0xC0,0xC1,0xC3,0xC4,0xC5,0xC6,xC9和0xD3。
特殊命令
命令
字
0xC0
24 位
数据
0x00CCCX
缓冲数据读
指针设置
清校表数据
0xC1
0x000000
0xC3
0x000000
同步数据系
数设置
同步数据启
动命令
0xC4
0x000120
0xC5
0x000002
采样数据缓
冲启动命令
命令说明
写入0x00CCCx启动波形数据缓冲,其它数据无
效。这里x代表需要保存数据的通道号,0~B有效,
依次对应:
Ua/Ia/Ub/Ib/Uc/Ic/In/Ua+Ia/Ub+Ib/Uc+Ic/Ua
+Ub+Uc/Ia+Ib+Ic
用于指定读取数据的位置,数值去0~1023范围
内有效,超过边界则自动归零。
发送命令字0xC3,数据位为0x000000,可以将校
表数据寄存器的内容恢复到上电初始值,然后重新进
行校表
同步数据系数自动模式下根据信号频率自动计
算;手动模式下根据信号频率计算写入。
同步数据功能启动命令,写入0x000002开启自动
同步数据功能;写入0x000003开启手动同步数据功
能;写入0x000000停止同步数据功能。同步数据功能
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校表数据读
出
0xC6
0x00005A
校表数据写
使能
0xC9
0x00005A
软件复位
0xD3
0x000000
为单次有效,每次开启前须先停后开。
2
1
0
B
2
3
it
3…4
N
P
P
Sy
Syn
ame
GA1
GA0
nc_En
c_sel
Sync_En:=1启动同步数据缓存;=0停止同步数
据缓冲
Sync_sel: =1选择手动方式; =0 选择自动方
式
PGA1,0 :
同步采样数据增益系数,
0x00/01/10/11分别表示增益1/2/4/8倍(便于在小信
号时提高分次谐波精度)
注意:同步缓冲功能受写保护命令的保护,即往
0xC9写 不等于0x005A开启写保护命令,此时无法启
动同步采样功能。
上电复位后默认读出计量数据寄存器的参数。发
送命令0xC6,数据不等于0x000005A,选择通过SPI读
出00~7FH的计量数据寄存器的参数。发送命令0xC6,
数据等于0x00005A选择SPI读出校表数据寄存器的参
数,此时不可读出计量参数寄存器的值。选择读出校
表数据寄存器的参数时,从0x00地址读出的值固定为
0x00AAAA,否则读取计量参数0x00地址为0x705200
上电复位后默认使能SPI校表数据寄存器写操
作。发送命令0xC9,数据0x00005A,可以使能SPI校
表写操作,此时才能通过SPI口修改校表数据寄存器
的参数,
发送命令0xC9,数据不等于0x00005A,可以关闭
SPI校表寄存器的写操作,防止校表数据被SPI误写。
发 送 命 令 0xD3 , 数 据 0x000000 可 以 对
ATT7022E/26E/28E进行复位操作。
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4
寄存器
4B
4.1 计量参数寄存器
表4-1-1 计量参数寄存器列表(Read Only)
地址
名称
字
长
复位值
功能描述
3
0x7122A0
0x7126A0
0x7128A0
0x000000
7022E0 Device ID
7026E0 Device ID
7028E0 Device ID
A相有功功率
r_Pb
3
0x000000
B相有功功率
03H
r_Pc
3
0x000000
C相有功功率
04H
r_Pt
3
0x000000
合相有功功率
05H
r_Qa
3
0x000000
A相无功功率
06H
r_Qb
3
0x000000
B相无功功率
07H
r_Qc
3
0x000000
C相无功功率
08H
r_Qt
3
0x000000
合相无功功率
09H
r_Sa
3
0x000000
A相视在功率
0AH
r_Sb
3
0x000000
B相视在功率
0BH
r_Sc
3
0x000000
C相视在功率
0CH
r_St
3
0x000000
合相视在功率
0DH
r_UaRms
3
0x000000
A相电压有效值
0EH
r_UbRms
3
0x000000
B相电压有效值
0FH
r_UcRms
3
0x000000
C相电压有效值
10H
r_IaRms
3
0x000000
A相电流有效值
11H
r_IbRms
3
0x000000
B相电流有效值
12H
r_IcRms
3
0x000000
C相电流有效值
13H
r_ItRms
3
0x000000
三相电流矢量和的有效值
14H
r_Pfa
3
0x000000
A相功率因数
15H
r_Pfb
3
0x000000
B相功率因数
16H
r_Pfc
3
0x000000
C相功率因数
17H
r_Pft
3
0x000000
合相功率因数
18H
r_Pga
3
0x000000
A相电流与电压相角
00H
r_DeviceID
3
01H
r_Pa
02H
/r_YIa
19H
r_Pgb
/Ia和参考向量之间的相角
3
0x000000
/r_YIb
1AH
r_Pgc
B相电流与电压相角
/Ib和参考向量之间的相角
3
0x000000
C相电流与电压相角
4.1.1 /r_YIc
4.1.2 /Ic和参考向量之间的
相角
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1BH
r_INTFlag
3
0x000000
中断标志,读后清零
1CH
r_Freq
3
0x000000
线频率
1DH
r_EFlag
3
0x000000
电能寄存器的工作状态,读后清零
1EH
r_Epa
3
0x000000
A相有功电能(可配置为读后清零)
1FH
r_Epb
3
0x000000
B相有功电能(可配置为读后清零)
20H
r_Epc
3
0x000000
C相有功电能(可配置为读后清零)
21H
r_Ept
3
0x000000
合相有功电能(可配置为读后清零)
22H
r_Eqa
3
0x000000
A相无功电能(可配置为读后清零)
23H
r_Eqb
3
0x000000
B相无功电能(可配置为读后清零)
24H
r_Eqc
3
0x000000
C相无功电能(可配置为读后清零)
25H
r_Eqt
3
0x000000
合相无功电能(可配置为读后清零)
26H
r_YUaUb
3
0x000000
Ua与Ub的电压夹角
4.1.3 /YUa
4.1.4 /Ua和参考向量之间的
相角
27H
r_YUaUc
3
0x000000
Ua与Uc的电压夹角
4.1.5 /YUb
4.1.6 /Ub和参考向量之间的
相角
28H
r_YUbUc
3
0x000000
Ub与Uc的电压夹角
4.1.7 /YUc
4.1.8 /Uc和参考向量之间的
相角
29H
r_RmsADC7
3
0x000000
第七路ADC输入信号的有效值
2AH
r_TPSD
3
0x000000
温度传感器的输出
2BH
r_UtRms
3
0x000000
三相电压矢量和的有效值
2CH
r_Sflag
3
0x000000
存放断相、相序、SIG等标志状态
2DH
r_BckReg
3
0x0000000
通讯数据备份寄存器
2EH
r_ComChksum
3
0x000000
通讯校验和寄存器
2FH
r_Sample_IA
3
0x000000
A相电流通道ADC采样数据
30H
r_ Sample _IB
3
0x000000
B相电流通道ADC采样数据
31H
r_ Sample _IC
3
0x000000
C相电流通道ADC采样数据
32H
r_ Sample _UA
3
0x000000
A相电压通道ADC采样数据
33H
r_ Sample _UB
3
0x000000
B相电压通道ADC采样数据
34H
r_ Sample _UC
3
0x000000
C相电压通道ADC采样数据
35H
r_Esa
3
0x000000
A相视在电能(可配置为读后清零)
36H
r_Esb
3
0x000000
B相视在电能(可配置为读后清零)
37H
r_Esc
3
0x000000
C相视在电能(可配置为读后清零)
38H
r_Est
3
0x000000
合相视在电能(可配置为读后清零)
39H
r_FstCntA
3
0x000000
A相快速脉冲计数
3AH
r_FstCntB
3
0x000000
B相快速脉冲计数
3BH
r_FstCntC
3
0x000000
C相快速脉冲计数
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3CH
r_FstCntT
3
0x000000
合相快速脉冲计数
3DH
r_PFlag
3
0x000000
有功/无功功率方向,正向为0,负向为1
3EH
r_ChkSum
3
0x01D4CD
校表数据校验和(三相四线模式下)
3
0x01E0CD
校表数据校验和(三相三线模式下)
3FH
r_InstADC7
3
0x000000
第七路ADC采样数据输出
5CH
r_Vrefgain
3
0x000000
Vref自动补偿系数
5DH
r_ChipID
3
0x000000
芯片版本指示寄存器
5EH
r_ChkSum1
3
0x01F2F5
新增校表寄存器校验和(0x60~0x70)
以下寄存器为ATT7022E专属寄存器,ATT7026E/28E无
40H
r_LinePa
3
0x000000
A相基波有功功率
41H
r_LinePb
3
0x000000
B相基波有功功率
42H
r_LinePc
3
0x000000
C相基波有功功率
43H
r_LinePt
3
0x000000
合相基波有功功率
44H
r_LineEpa
3
0x000000
A相基波有功电能(可配置为读后清零)
45H
r_LineEpb
3
0x000000
B相基波有功电能(可配置为读后清零)
46H
r_LineEpc
3
0x000000
C相基波有功电能(可配置为读后清零)
47H
r_LineEpt
3
0x000000
合相基波有功电能(可配置为读后清零)
48H
r_LineUaRrms
3
0x000000
基波A相电压有效值
49H
r_LineUbRrms
3
0x000000
基波B相电压有效值
4AH
r_LineUcRrms
3
0x000000
基波C相电压有效值
4BH
r_LineIaRrms
3
0x000000
基波A相电流有效值
4CH
r_LineIbRrms
3
0x000000
基波B相电流有效值
4DH
r_LineIcRrms
3
0x000000
基波C相电流有效值
4EH
r_LEFlag
3
0x000000
基波电能寄存器的工作状态,读后清零
4FH
r_SAGFlag
3
0x000000
SAG标志寄存器
50H
r_PeakUa
3
0x000000
A相电压最大值
51H
r_PeakUb
3
0x000000
B相电压最大值
52H
r_PeakUc
3
0x000000
C相电压最大值
53~56H
Reserved
3
0c000000
reserved
57H
r_LineQa
3
0x000000
A相基波无功功率
58H
r_LineQb
3
0x000000
B相基波无功功率
59H
r_LineQc
3
0x000000
C相基波无功功率
5AH
r_LineQt
3
0x000000
合相基波无功功率
5BH
Reserved
3
0x000000
reserved
5CH
r_Vrefgain
3
0x000000
Vref自动补偿系数
5DH
r_ChipID
3
0x000000
芯片版本指示寄存器
5EH
r_ChkSum1
3
0x01F2F5
新增校表寄存器校验和(0x60~0x70)
7EH
r_PtrWavebuff
3
0x000000
缓冲数据指针,指示内部缓冲buffer已
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
有数据长度
7FH
r_WaveBuff
3
0x000000
缓冲数据寄存器,内部自增益,重复读
取直至读完缓冲数据长度
4.2 计量参数寄存器说明
4.2.1 功率寄存器(地址:0x01~0x0C,0x40~0x43,0x57~0x5A)
功率寄存器包括:有功功率、无功功率、视在功率,以及基波有功功率。
Addr
Reg
Addr
Reg
0x01
Pa
0x0B
Sc
0x02
Pb
0x0C
St
0x03
Pc
0x40
LinePa
0x04
Pt
0x41
LinePb
0x05
Qa
0x42
LinePc
0x06
Qb
0x43
LinePt
0x07
Qc
0x57
LineQa
0x08
Qt
0x58
LineQb
0x09
Sa
0x59
LineQc
0x0A
Sb
0x5A
LineQt
Active Power Register (Pa~Pt) Address: 01H~04H
Bit23 22
21
20 … 3
Read:
P23
P22
P21
P20…P3
Write: X
X
X
X
Reset: 0
0
0
0
2
P2
X
0
1
P1
X
0
Bit0
P0
X
0
Rective Power Register
(Qa~Qt)
Bit23 22
Read:
Q23
Q22
Write: X
X
Reset: 0
0
2
Q2
X
0
1
Q1
X
0
Bit0
Q0
X
0
2
S2
X
0
1
S1
X
0
Bit0
S0
X
0
Apparent Power Register
(Sa~St)
Bit23 22
Read:
S23
S22
Write: X
X
Reset: 0
0
Line active Power Register
(Pa~Pt)
Bit23
22
Read:
LP23
LP22
Write:
X
X
Reset:
0
0
Address:
21
Q21
X
0
05H~08H
20 … 3
Q20…Q3
X
0
Address:
21
S21
X
0
09H~0CH
20 … 3
S20…S3
X
0
Address:
21
LP21
X
0
40H~43H
20 … 3
LP20…LP3
X
0
2
LP2
X
0
1
LP1
X
0
Bit0
LP0
X
0
ATT7022E/26E/28E功率寄存器采用补码形式给出,最高位是符号位,所以根据ATT7022E/26E/28E
功率寄存器给出的有功和无功功率的方向,可以直接得到当前所处的象限。视在功率总是大于或者等
于0,所以视在功率的符号位始终为0。
功率寄存器格式定义:
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A/B/C分相功率参数:X
X:24位数据,补码形式
如果X>2^23,则XX=X-2^24
否则 XX=X
实际的A/B/C分相功率参数为:XXX=XX*K(其中K为功率参数系数,所有功率参数共用)。
A/B/C合相功率参数:T
T:24位数据,补码形式
如果T>2^23,则TT=T-2^24
否则 TT=T
实际的合相功率参数为:TTT=TT*2*K(其中K为功率参数系数,所有功率参数共用)。
单位:功率单位是瓦(W),功率系数K=2.592*10^10/(HFconst*EC*2^23)
其中HFconst为寄存器HFconst写入值,EC为电表常数。
4.2.2
Addr
Reg
Addr
Reg
有效值寄存器(地址:0x0D~0x013、0x29、0x2B、0x48~0x4D)
0x0D
UaRms
0x29
InRms
0x0E
UbRms
0x48
LUaRms
0x0F
UcRms
0x49
LUbRms
0x10
IaRms
0x4A
LUcRms
0x11
IbRms
0x4B
LIaRms
0x12
IcRms
0x4C
LIbRms
0x13
ItRms
0x4D
LIcRms
0x2B
UtRms
Voltage Rms Register (Urms)
Bit23
22
Read:
Urms23
Urms22
Write: X
X
Reset: 0
0
Address: 0DH~0FH、2BH
21
20 … 3
2
Urms21
Urms20…Urms3
Urms2
X
X
X
0
0
0
1
Urms1
X
0
Bit0
Urms0
X
0
Current Rms Register (Irms)
Bit23
22
Read:
Irms23
Irms22
Write: X
X
Reset: 0
0
Address: 10H~13H、29H
21
20 … 3
2
Irms21
Irms20…Irms3
Irms2
X
X
X
0
0
0
1
Irms1
X
0
Bit0
Irms0
X
0
Line Rms Register (Lrms)
Bit23
22
Read:
Lrms23
Lrms22
Write:
X
X
Reset:
0
0
Address: 48H~4DH
21
20 … 3
Lrms21
Lrms20…Lrms3
X
X
0
0
1
Lrms1
X
0
Bit0
Lrms0
X
0
2
Lrms2
X
0
ATT7022E/26E/28E有效值寄存器采用补码形式给出,最高位是符号位,有效值总是大于或者等于
0,所以有效值的符号位始终为0。
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分相Vrms:24位数据,补码形式
实际分相电压有效值为:Urms = Vrms/2^13
实际分相电流有效值为:Irms = (Vrms/2^13)/N
(比例系数N定义:额定电流Ib输入到芯片端取样电压为50mV时,对应的电流有效值寄存器值为
Vrms,Vrms/2^13约等于60,此时N=60/Ib, Ib=1.5A,N=60/1.5=40,Ib=6A,N=60/6=10
同理,当输入到芯片端取样电压为25mV时,Vrms/2^13约等于30,Ib=1.5A,N=30/1.5=20,Ib=6A,
N=30/6=5。可根据当前Ib电流的实际值,计算N值。)
合相Vrms:24位数据,补码形式
实际合相电压有效值为:Urms=Vrms/2^12
实际合相电流有效值为:Irms = (Vrms/2^12)/N
(N为比例系数,计算方法同上)
单位为:伏特(V)或者安培(A)。
关于电流矢量和的计算方式,本处兼顾三相四线制使用零线电流互感器和不使用零线电流互感器
的情况:
采用那种算法由寄存器控制位ISUMSel(校表参数0x70 bit2)决定:
当ISUMSel=0,采用算法1;
当ISUMSel=1,采用算法2.
功率因数寄存器(地址:0x14~0x017)
4.2.3
Addr
Reg
0x14
Pfa
0x15
Pfb
0x16
Pfc
0x17
Pft
Power Factor Register (PF)
Address: 10H~13H
Bit23 22
21
20 … 3
Read:
PF23
PF22
PF21
PF20…PF3
Write: X
X
X
X
Reset: 0
0
0
0
2
PF2
X
0
1
PF1
X
0
Bit0
PF0
X
0
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
ATT7022E/26E/28E功率因数寄存器采用补码形式给出,最高位是符号位,功率因数的符号位与有
功功率的符号位一致。
PF:24位数据,补码形式
如果PF>2^23,则PFF=PF-2^24
否则 PFF=PF
实际功率因数为:pf=PFF/2^23
功率角和电压夹角寄存器(地址:0x18~0x1A、0x26~0x28)
4.2.4
Addr
Reg
0x18
Pga
/YIa
0x19
Pgb
/YIb
0x1A
Pgc
YIc
0x26
YUaUb
/YUa
Power Angle Register (Pg/YIx) Address: 18H~1AH
Bit23 22
21
20 … 3
Read:
Pg23
Pg22
Pg21
Pg20…Pg3
Write: X
X
X
X
Reset: 0
0
0
0
0x27
YUaUc
/YUb
2
Pg2
X
0
0x28
YUbUc
/YUc
1
Pg1
X
0
Bit0
Pg0
X
0
相角寄存器采用补码形式给出,高位是符号位,表示-180°~+180°之间的夹角。
θ:21位有效数据,补码形式,高3位均为扩展的符号位
如果θ>=2^20,则α=θ-2^24
否则 α=θ
实际相角为:Pg=(α/2^20)*180度
或者 Pg=(α/2^20)*pi弧度
Voltage to voltage Angle
Register (Ug/YUx)
Bit23 22
Read:
Ug23
Ug22
Write: X
X
Reset: 0
0
Address:
21
Ug21
X
0
26H~28H
20 … 3
Ug20…Ug3
X
0
2
Ug2
X
0
1
Ug1
X
0
Bit0
Ug0
X
0
电压夹角寄存器:21位有效数据,高3位均为扩展的符号位,表示0°~360°之间的夹角。电压夹
角测量精度在0.1度,三个电压夹角寄存器YUaUb/ YUaUc/ YUbUc分别表示AB/AC/BC电压的夹角。
θ:21位数据
电压夹角公式为:YUaUb=(YUaUb/2^20)*180度
或者 YUaUb=(YUaUb/2^20)*pi弧度
注:以上为算法一(老算法);
算法二(新算法):
根据采样信号Ua/Ub/Uc中的某一信号为参考,例如以UA 通道为相角基准,则YIb 表示Ib和Ua
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间的相角。用户可通过简单运算得知任意两个向量之间的相角,如Ia 和Ib 的相角YIaIb=YIa-YIb。
寄存器复用关系:YUa复用YUaUb寄存器,YUb复用YUaUc寄存器,YUc复用YUbUc寄存器,YIa复用YUaIa
寄存器,YIb复用YUbIb寄存器,YIc复用YUcIc寄存器。
采用那种算法通过寄存器Ymodsel(校表参数0x70 bit3)控制。
线频率寄存器(地址:0x1C)
4.2.5
Voltage Frequency Register (Freq)
Address: 1CH
Bit23
22
21
20 … 3
Read:
Freq23
Freq22
Freq21 Freq20…Freq3
Write:
X
X
X
X
Reset:
0
0
0
0
2
1
Freq2 Freq1
X
X
0
0
Bit0
Freq0
X
0
电压线频率寄存器采用24位补码形式给出,最高位为符号位,符号位总是为0。
Freq:24位数据,补码形式
实际频率为:f=Freq/2^13,单位:赫兹(Hz)。
温度传感器数据寄存器(地址:0x2A)
4.2.6
temperature Data Register (TPSD)
Bit23
22
Read:
TPSD 23
TPSD 22
Write:
X
X
Reset:
0
0
Address: 2AH
21
20 … 3
TPSD 21 TPSD 20…Freq3
X
X
0
0
2
TPSD 2
X
0
1
TPSD 1
X
0
Bit0
TPSD 0
X
0
温度传感器需要配置寄存器0x31,TPS_En=1开启,TPS_Sel=0 选择PN温度传感器。
数据格式为TM:24位数据的低8位有效
如果TM大于128,则TMM=TM-256
否则 TMM=TM
外部MCU读取该寄存器的值,按照上述变换之后,再根据下列公式得到真实温度值:
真实温度TP=TC - 0.726*TMM
其中TC为校正值,当室温为25度时,进行温度校正得到TC。
4.2.7
能量寄存器(地址:0x1E~0x25,0x35~0x38,0x44~0x47)
Addr
Reg
Addr
Reg
0x1E
Epa
0x35
Esa
0x1F
Epb
0x36
Esb
0x20
Epc
0x37
Esc
0x21
Ept
0x38
Est
0x22
Eqa
0x44
LineEpa
0x23
Eqb
0x45
LineEpb
0x24
Eqc
0x46
LineEpc
0x25
Eqt
0x47
LineEpt
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Active Energy Register (EP)
Bit23
22
Read:
EP23
EP22
Write:
X
X
Reset:
0
0
21
EP21
X
0
Address:
20 … 3
EP20…EP3
X
0
1E~21H
2
EP2
X
0
1
EP1
X
0
Bit0
EP0
X
0
Reactive Energy (EQ)
Bit23
Read:
EQ23
Write:
X
Reset:
0
22
EQ22
X
0
21
EQ21
X
0
Address:
20 … 3
EQ20…EQ3
X
0
22~25H
2
EQ2
X
0
1
EQ1
X
0
Bit0
EQ0
X
0
Apparent Energy (ES)
Bit23
Read:
ES23
Write:
X
Reset:
0
22
ES22
X
0
21
ES21
X
0
Address:
20 … 3
ES20…ES3
X
0
35~38H
2
ES2
X
0
1
ES1
X
0
Bit0
ES0
X
0
Line Active Energy Register (LineEP)
Bit23
22
Read:
LEP23
LEP22
Write:
X
X
Reset:
0
0
21
LEP21
X
0
Address: 44~47H
20 … 3
2
LEP20…LEP3 LEP2
X
X
0
0
1
LEP1
X
0
Bit0
LEP0
X
0
ATT7022E/26E/28E提供的能量寄存器可配置为:累加型能量寄存器和清零型能量寄存器,累加型
能量寄存器可以从0x000000到0xFFFFFF,继续累加,又回到0x000000开始累加,在0xFFFFFF溢出到
0x00000时,会产生溢出标志,参考电能寄存器工作状态寄存器部分说明。
能量寄存器:24位寄存器,无符号数
该参数与设定的脉冲常数有关,最小单位为(1/EC)kWh。
如设定的脉冲常数为3200imp/kwh,则这些能量寄存器的单位为1/3200kwh。
基波无功电能与全波无功电能复用,使用控制位QEnergySel控制(校表参数0x70 bit4);
当QEnergySel=0,无功电能选择全波无功;
当QEnergySel=1,无功电能选择基波无功;
快速脉冲计数寄存器(地址:0x39~0x3C)
4.2.8
Addr
Reg
0x39
FstCntA
0x3A
FstCntB
Fast Pulse Counter (FPC)
Bit23
22
0x3B
FstCntC
0x3C
FstCntT
Address: 39H~3CH
21
20 … 3
2
1
Bit0
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
Read:
Write:
Reset:
FPC23
X
0
FPC22
X
0
FPC21
X
0
FPC20…FPC3
X
0
FPC2
X
0
FPC1
X
0
FPC0
X
0
为了防止上下电时丢失电能,ATT7022E/26E/28E提供快速脉冲计数寄存器。当快速脉冲计数寄存
器FstCntA / FstCntB / FstCntC/ FstCntT计数的值大于等于HFconst时,相应的能量寄存器Epa / Epb / Epc/
Ept会相应的加1。
快速脉冲计数寄存器:24位寄存器,补码格式,高位为符号位
该参数与设定的高频脉冲常数HFconst及脉冲常数EC有关,最小单位为(1/EC/HFconst)kWh。
如设定的高频脉冲常数HFconst=0x100=256,脉冲常数EC=3200imp/kwh,则快速脉冲计数寄存器
的单位为:1/256/3200kwh
4.2.9
标志状态寄存器(地址:0x2C)
EMU State Register (EMUState)
Address:
Bit 23
Bit 22
Bit 21
Bit 20
Read:
Write:
Reset:
X
0
Bit 15
X
0
Bit 14
Read:
Sync_er
r
Sync_rea
dy
X
0
Bit 7
IRQ
X
0
X
0
Bit 6
Revq
X
0
Write:
Reset:
Read:
Write:
Reset:
位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
Bit06
Bit07
Bit09
Bit10
Bit11
Bit12
Bit13
X
0
Bit 13
Negq
X
0
Bit 5
Revp
X
0
2CH
Bit 19
Bit 18
Bit 17
Line
Cstart
Line
Bstart
Line
Astart
X
0
Bit 12
X
0
Bit 11
X
0
Bit 10
X
0
Bit 9
X
0
Bit 8
Negp
Cstart
Astart
-
X
0
Bit 4
Iorder
X
0
X
0
Bit 3
Uorder
X
0
X
0
Bit 1
PB
X
0
X
0
Bit 0
PA
X
0
Bstar
t
X
0
Bit 2
PC
X
0
Bit 16
描述
PA =1,表示A相失压;=0,A相未失压。
PB =1,表示B相失压;=0,B相未失压。
PC =1,表示C相失压;=0,C相未失压。
Uorder =1,表示电压相序错;=0,电压未错相序。
Iorder =1,表示电流相序错;=0,电流未错相序。
Revp =1,表示至少有一相有功功率为负;=0,所有相有功功率为正。
Revq =1,表示至少有一相无功功率为负;=0,所有相无功功率为正。
上电复位后,IRQ pin信号自动变低,同时SFlag.7置高;当SPI写入数据后,
IRQ信号自动变高的同时SFlag.7自动变低,即SFlag的bit07 IRQ标志位与硬件
IRQ信号是完全同步的。
=1,表示A相处于潜动状态;=0,A相处于起动状态。
=1,表示B相处于潜动状态;=0,B相处于起动状态。
=1,表示C相处于潜动状态;=0,C相处于起动状态。
=1,表示合相有功功率为负;=0,合相有功功率为正。
=1,表示合相无功功率为负;=0,合相无功功率为正。
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Bit14
=1,表示同步数据缓存完毕,Sync_En写0清除。
Bit15
=1,表示同步数据功能系数超出范围,ync_En写0清除。
Bit17
=1,表示A相基波处于潜动状态;=0,A相基波未潜动。
Bit18
=1,表示B相基波处于潜动状态;=0,B相基波未潜动。
Bit19
=1,表示C相基波处于潜动状态;=0,C相基波未潜动。
注:电流逆序判别条件,原ATT7022E以潜动标志(可选电流防潜或功率防潜)为屏蔽条件,以功率防潜
时存在只加电流不加电压的潜动状态,导致电流逆序置位(误判);
新版(5000:1)修正电流逆序的屏蔽条件为起动电流,与潜动标志无关,因此配置起动阈值时,需要同
时写起动电流阈值(校表参数0x1D)与起动功率阈值(校表参数0x36)。
4.2.10 电能寄存器工作状态寄存器(地址:0x1D,0x4E)
Energy Overflow Register (Eov)
Address:
Bit 15 Bit 14
Bit 13
Bit 12
Read:
Write:
Reset:
Read:
Write:
Reset:
X
0
Bit 7
QtOV
X
0
X
0
Bit 6
QcOV
X
0
X
0
Bit 5
QbOV
X
0
X
0
Bit 4
QaOV
X
0
1DH
Bit 11
Bit 10
StOV
X
0
Bit 3
PtOV
X
0
ScOV
X
0
Bit 2
PcOV
X
0
Bit 9
Bit 8
SbOV
SaOV
X
0
Bit 1
PbOV
X
0
X
0
Bit 0
PaOV
X
0
该寄存器读后自动清零。当电能寄存器采用读后不清零方式时,这些标志用于指示电能寄存器是
否发生过溢出。
位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
Bit06
Bit07
Bit08
Bit09
Bit10
Bit11
描述
=1,表示A相有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示B相有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示C相有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示合相有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示A相无功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示B相无功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示C相无功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示合相无功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示A相视在电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示B相视在电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示C相视在电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示合相视在电能溢出;=0,未溢出。
Fundamental Energy Overflow
Register (FEov)
Bit 15 Bit 14
Read:
-
Bit 13
Write:
Reset:
X
0
X
0
X
0
Address:
-
Bit 12
4EH
Bit 11
Bit 10
Bit 9
Bit 8
X
0
X
0
X
0
X
0
X
0
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Read:
Write:
Reset:
Bit 3
LinePtO
V
X
0
Bit 2
LinePcO
V
X
0
Bit 1
LinePbO
V
X
0
Bit 0
LinePaO
V
X
0
该寄存器读后自动清零。当电能寄存器采用读后不清零方式时,这些标志用于指示电能寄存器是
否发生过溢出。
位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
描述
=1,表示A相基波有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示B相基波有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示C相基波有功电能溢出;=0,未溢出。
=1,表示合相基波有功电能溢出;=0,未溢出。
4.2.11 功率方向寄存器(地址:0x3D)
Power Sign Register (Psign)
Bit 15
Bit 14
Read:
Write: X
X
Reset: 0
0
Bit 7
Bit 6
Read:
QtSign
QcSign
Write: X
X
Reset: 0
0
Bit 13
X
0
Bit 5
QbSign
X
0
Address:
Bit 12
X
0
Bit 4
QaSign
X
0
3DH
Bit 11
X
0
Bit 3
PtSign
X
0
Bit 10
X
0
Bit 2
PcSign
X
0
Bit 9
X
0
Bit 1
PbSign
X
0
Bit 8
X
0
Bit 0
PaSign
X
0
Bit 9
Bit 8
-
-
X
0
Bit 1
Updata
X
0
X
0
Bit 0
IRQ
X
0
功率方向指示寄存器,用于指示A/B/C/合相有功及无功功率的方向。
位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
Bit06
Bit07
描述
=1,表示A相有功功率反向;=0,正向。
=1,表示B相有功功率反向;=0,正向。
=1,表示C相有功功率反向;=0,正向。
=1,表示合相有功功率反向;=0,正向。
=1,表示A相无功功率反向;=0,正向。
=1,表示B相无功功率反向;=0,正向。
=1,表示C相无功功率反向;=0,正向。
=1,表示合相无功功率反向;=0,正向。
4.2.12 中断标志寄存器(地址:0x1B)
Interrupt Flag Register (Iflag)
Address:
Bit 15
Bit 14
Bit 13
Bit 12
Buffer
Read:
TPS_Ok
Full
Write: X
X
X
X
Reset: 0
0
0
0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Read:
OVIIF
SAGIF
WaveIE
UcZx
Write: X
X
X
X
Reset: 0
0
0
0
1BH
Bit 11
X
0
Bit 3
UbZx
X
0
Bit 10
X
0
Bit 2
UaZx
X
0
当中断使能开启后,若置位表示发生相应事件,标志位采用读后清零(IRQ除外)。
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位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
Bit06
Bit07
Bit13
Bit14
描述
芯片IRQ信号,=1,表示提示用户校表,写校表清零。
=1,表示计量参数更新中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生A相电压过零中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生B相电压过零中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生C相电压过零中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生ADC采样数据寄存器数据更新中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生SAG事件;=0,表示未发生SAG事件
=1,表示发生过流事件;=0,表示未发生过流事件
=1,表示发生缓冲buffer满中断;=0,未发生此中断。
=1,表示发生TPS转换结束中断;=0,未发生此中断。
4.2.13 ADC采样数据寄存器(地址:0x2F~0x34、0x3F)
Addr
Reg
0x2F
Sample_IA
0x30
Sample_IB
ADC Sampledata Register
(SampleData)
Bit23
22
Read:
Sample2 Sample22
3
Write:
X
X
Reset:
0
0
0x31
Sample_IC
0x32
Sample_UA
Address:
21
Sample21
X
0
0x33
Sample_UB
0x34
Sample_UC
0x3F
InstADC7
2
Sample2
1
Sample1
Bit0
Sample0
X
0
X
0
X
0
0x2F~0x34、0x3F
20 … 3
Sample20…Sampl
e3
X
0
ADC采样数据为19位补码数据,高6位为符号位,即bit18~23为符号位,实时存储ADC采样数据,可
配合中断WaveIE得到ADC实时采样数据。
4.2.14 校表数据校验和寄存器(地址:0x3E/5E)
Cali-Checksum Register
(Scheck)
Bit23
22
Read:
Chksum2 Chksum22
3
Write:
X
X
Reset:
0
0
Address:
21
Chksum2
1
X
0
3EH/5EH
20…3
Chksum20…..
Chksum3
X
0
2
Chksum2
1
Chksum1
Bit0
Chksum0
X
0
X
0
X
0
ATT7022E/26E/28E提供校验和寄存器ChkSum,用于存放ATT7022E/26E/28E内部所有校表数据的校
验和,外部MCU可以检测这个寄存器的值来监控ATT7022E/26E/28E的校表数据是否错乱。注意,校验
和是从地址0x01到0x39的所有校表数据之和,采用无符号方式累加,且只保留低24位。
新增校表寄存器校验和(0x5E)存放的是校表参数地址0x60到0x71的所有校表数据之和,采用无符
号方式累加,且只保留低24位。
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4.2.15 通讯数据备份寄存器(地址:0x2D)
BackupData Register
Address: 2DH
(BCKREG)
Bit23
22
21
20…3
2
1
Bit0
Read:
BCKData BCKData2 BCKData BCKData20…..BCK BCKData BCKData BCKData0
23
2
21
Data3
2
1
Write:
X
X
X
X
X
X
X
Reset:
0
0
0
0
0
0
0
BCKREG寄存器是保存上一次SPI通讯传输的数据,共3个字节,分别存储SPI通讯读取数据或者写入
的上一次数据的高,中,低字节。
4.2.16 通讯校验和寄存器(地址:0x2E)
ComChecksum Register
(Ccheck)
Read:
Write:
Reset:
Bit23
Ccheck23
X
0
22
Ccheck 22
X
0
Address:
21
Ccheck 21
X
0
2EH
20…3
Ccheck20….. Ccheck 3
X
0
2
Ccheck 2
X
0
1
Ccheck 1
X
0
Bit0
Ccheck 0
X
0
通讯校验和寄存器:每次SPI通讯的命令和数据都被累加放入r_ComChkSum寄存器的低两个字节。
ComChecksum的高8位bit16….bit23 会保存SPI通讯的上一次的命令。
SPI通讯中的数据为单字节长度的加法。
4.2.17 SAG标志寄存器(0x4F)
SAG Flag(SAGFlag)
Bit 15
Bit 14
Read:
Write: X
X
Reset: 0
0
Bit 7
Bit 6
Read:
Write: X
X
Reset: 0
0
Address:
Bit 13
Bit 12
X
X
0
0
Bit 5
Bit 4
OVIc
OVIb
X
X
0
0
4FH
Bit 11
X
0
Bit 3
OVIa
X
0
Bit 10
X
0
Bit 2
SAGUc
X
0
Bit 9
X
0
Bit 1
SAGUb
X
0
Bit 8
X
0
Bit 0
SAGUa
X
0
功率方向指示寄存器,用于指示A/B/C/合相有功及无功功率的方向。
位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
描述
=1,表示A相电压发生SAG事件;=0,正常。
=1,表示B相电压发生SAG事件;=0,正常。
=1,表示C相电压发生SAG事件;=0,正常。
=1,表示A相电流发生SAG事件;=0,正常。
=1,表示B相电流发生SAG事件;=0,正常。
=1,表示C相电流发生SAG事件;=0,正常。
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4.2.18 峰值电压寄存器(0x50~0x52)
Addr
Reg
0x50
PeakUa
0x51
PeakUb
0x52
PeakUc
峰值电压寄存器为20位补码数据,bit19为符号位,bit20~23无效,与SAG功能相配合,记录SAG长
度设置寄存器Cyclength设置时间长度内电压最大值。与电压有效值Urms的计算公式:
PeakU = Urms*2^9*1.414
与电压有效值寄存器值Vrms的关系:
PeakU = Vrms/16*1.414
4.2.19 芯片ID(地址:0x5D)
保留原ATT7022E/26E的device寄存器(计量参数0x01)= 7122A0/7126A0不动。增加ID寄存器(计量参数
0x5D),作为版本区别:
对应芯片型号
DeviceID
ID
7022
0x7122A0
0x7022E0
7026
0x7126A0
0x7026E0
4.3 校表参数寄存器
表4-3-1
校表参数寄存器列表:(Read/Write)
地址
名称
字长
复位值
功能描述
00
Reserved
2
0xAAAA
校表参数寄存器起始标志
01
w_ModeCfg
2
0x89AA
模式相关控制
02
w_PGACtrl
2
0x0000
ADC增益选择
03
w_EMUCfg
2
0x0804
EMU模块配置寄存器
04
w_PgainA
2
0x0000
A相有功功率增益
05
w_PgainB
2
0x0000
B相有功功率增益
06
w_PgainC
2
0x0000
C相有功功率增益
07
w_QgainA
2
0x0000
A相无功功率增益
08
w_QgainB
2
0x0000
B相无功功率增益
09
w_QgainC
2
0x0000
C相无功功率增益
0A
w_SgainA
2
0x0000
A相视在功率增益
0B
w_SgainB
2
0x0000
B相视在功率增益
0C
w_SgainC
2
0x0000
C相视在功率增益
0D
w_PhSregApq0
2
0x0000
A相相位校正0
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0E
w_PhSregBpq0
2
0x0000
B相相位校正0
0F
w_PhSregCpq0
2
0x0000
C相相位校正0
10
w_PhSregApq1
2
0x0000
A相相位校正1
11
w_PhSregBpq1
2
0x0000
B相相位校正1
12
w_PhSregCpq1
2
0x0000
C相相位校正1
13
w_PoffsetA
2
0x0000
A相有功功率offset校正
14
w_PoffsetB
2
0x0000
B相有功功率offset校正
15
w_PoffsetC
2
0x0000
C相有功功率offset校正
16
w_QPhscal
2
0x0000
无功相位校正
17
w_UgainA
2
0x0000
A相电压增益
18
w_UgainB
2
0x0000
B相电压增益
19
w_UgainC
2
0x0000
C相电压增益
1A
w_IgainA
2
0x0000
A相电流增益
1B
w_IgainB
2
0x0000
B相电流增益
1C
w_IgainC
2
0x0000
C相电流增益
1D
w_Istarup
2
0x0160
起动电流阈值设置
1E
w_Hfconst
2
0x0500
高频脉冲输出设置
2
0x0600
失压阈值设置(三相四线模式)
1F
w_FailVoltage
2
0x1200
失压阈值设置(三相三线模式)
20
w_GainADC7
2
0x0000
第七路ADC输入信号增益
21
w_QoffsetA
2
0x0000
A相无功功率offset校正
22
w_QoffsetB
2
0x0000
B相无功功率offset校正
23
w_QoffsetC
2
0x0000
C相无功功率offset校正
24
w_UaRmsoffse
2
0x0000
A相电压有效值offset校正
25
w_UbRmsoffse
2
0x0000
B相电压有效值offset校正
26
w_UcRmsoffse
2
0x0000
C相电压有效值offset校正
27
w_IaRmsoffse
2
0x0000
A相电流有效值offset校正
28
w_IbRmsoffse
2
0x0000
B相电流有效值offset校正
29
w_IcRmsoffse
2
0x0000
C相电流有效值offset校正
2A
w_UoffsetA
2
0x0000
A相电压通道ADC offset校正
2B
w_UoffsetB
2
0x0000
B相电压通道ADC offset校正
2C
w_UoffsetC
2
0x0000
C相电压通道ADC offset校正
2D
w_IoffsetA
2
0x0000
A相电流通道ADC offset校正
2E
w_IoffsetB
2
0x0000
B相电流通道ADC offset校正
2F
w_IoffsetC
2
0x0000
C相电流通道ADC offset校正
30
w_EMUIE
2
0x0001
中断使能
31
w_ModuleCFG
2
0x3527
电路模块配置寄存器
32
w_AllGain
2
0x0000
全通道增益,用于校正ref自校正
33
w_HFDouble
2
0x0000
脉冲常数加倍选择
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34
w_LineGain
2
0x2C59
基波增益校正
35
w_PinCtrl
2
0x000F
数字pin上下拉电阻选择控制
36
w_Pstartup
2
0x0030
起动功率阈值设置
37
w_Iregion0
2
0x7FFF
相位补偿区域设置寄存器
38
w_Cyclength
2
0x1000
SAG数据长度设置寄存器
39
w_SAGLvl
2
0x4500
SAG检测阈值设置寄存器
60
w_Iregion1
2
0x0000
相位补偿区域设置寄存器1
61
w_PhSregApq2
2
0x0000
A相相位校正2
62
w_PhSregBpq2
2
0x0000
B相相位校正2
63
w_PhSregCpq2
2
0x0000
C相相位校正2
64
w_PoffsetAL
2
0x0000
A相有功功率offset校正低字节
65
w_PoffsetBL
2
0x0000
B相有功功率offset校正低字节
66
w_PoffsetCL
2
0x0000
C相有功功率offset校正低字节
67
w_QoffsetAL
2
0x0000
A相无功功率offset校正低字节
68
w_QoffsetBL
2
0x0000
B相无功功率offset校正低字节
69
w_QoffsetCL
2
0x0000
6A
w_ItRmsoffset
2
0x0000
电流矢量和offset校正寄存器
6B
w_TPSoffset
2
0x0000
TPS初值校正寄存器
6C
w_TPSgain
2
0x0000
TPS斜率校正寄存器
6D
w_TCcoffA
2
0xFEFF
Vrefgain的二次系数
6E
w_TCcoffB
2
0xEF7A
Vrefgain的一次系数
6F
w_TCcoffC
2
0x047C
Vrefgain的常数项
70
w_EMCfg
2
0x0000
新增算法控制寄存器
71
w_OILVL
2
0x0000
过流阈值设置寄存器
C相无功功率offset校正低字节
注:用户在通过SPI通信读写校表寄存器时,校表数据需放置在3个数据字节的低2个字节里。
4.4 校表参数寄存器说明
4.4.1
模式配置寄存器(地址:0x01)
Mode Config (ModeCfg)
Bit 15
Bit 14
Read:
Chop_RE
UbSel
Write: F_En
Address:
Bit 13
Bit 12
RmsLpf_
En
PRFCFG
Reset:
0
Bit 6
EnADC6
0
Bit 5
EnADC5
0
1
Read:
Write:
Reset:
1
Bit 7
Chop_AD
C_En
1
01H
Bit 11
Bit 10
Bit 9
Bit 8
CIB_ADC
1
CIB_ADC
0
SampleR
1
SampleR
0
0
Bit 4
EnADC4
1
Bit 3
EnADC3
0
Bit 2
EnADC2
0
Bit 1
EnADC1
1
Bit 0
EnADC0
0
1
0
1
0
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位名称
Bit00
Bit01
Bit02
Bit03
Bit04
Bit05
Bit06
Bit07
Bit09 Bit08
描述
=1表示开启零线电流I0通道adc;=0关闭。
=1表示开启Ia通道adc;=0关闭。
=1表示开启Ua通道adc;=0关闭。
=1表示开启Ib通道adc;=0关闭。
=1表示开启Ub通道adc;=0关闭。
=1表示开启Ic通道adc;=0关闭。
=1表示开启Uc通道adc;=0关闭。
=1表示开启adc的chop功能;=0关闭。推荐关闭,配置为0。
SampleR1/0:用于选择femu时钟
00
01
1X
1.8432MHz
921.6kHz/
460.8kHz
CIB_ADC1/0:用于选择iref偏置电流
11
10
01
00
10uA
7.5uA
5uA
5uA
在降低芯片功耗与得到更好的ADC性能矛盾,折中推荐0x10选择 7.5uA
有效值和功率的更新速率选择,=1表示慢速(1.76Hz);=0快速(14.4Hz)。
正常运用时,为得到稳定的有效值与功率值,推荐慢速方式;
在全失压模式下,为快速得到电流有效值,推荐选用快速。
Femu=1.8432MHz时,更新速率慢速为3.52Hz,快速为28.8Hz
选择有效值的稳定时间,=1表示慢速,跳动小;=0快速,跳动大。
正常运用时,为得到稳定的有效值,推荐慢速方式;
在全失压模式下,为快速得到电流有效值,推荐选用快速。
三相三线时Ub有效值数据源选择,=1表示内部(ua-uc);=0表示ub通道。
=1表示开启ref的chop功能;=0关闭。为得到更稳定的Vref,推荐打开。
Bit11 Bit10
Bit12
Bit13
Bit14
Bit15
注:单adc的功耗为600uA,chop_adc可改善小信号的跳动。
4.4.2
ADC增益配置寄存器(地址:0x02)
Analog PGA Control(PGACtrl)
Bit 15
Bit 14
Read:
Write:
Address:
Bit 13
Bit 12
-
-
-
-
Reset:
Read:
Write:
Reset:
Bit 10
Bit 9
UPGA1
Bit 8
UPGA0
0
Bit 7
IcPGA1
0
Bit 6
IcPGA0
0
Bit 5
IbPGA1
0
Bit 4
IbGA0
0
Bit 3
IaPGA1
0
Bit 2
IaPGA0
0
Bit 1
I0PGA1
0
Bit 0
I0PGA0
0
0
0
0
0
0
0
0
位名称
Bit01 Bit00
Bit03 Bit02
Bit05 Bit04
Bit07 Bit06
Bit09 Bit08
4.4.3
02H
Bit 11
描述
表示零线电流I0通道ADC增益放大,00/01/10/11分别表示为1/2/8/16倍增益
表示A相电流通道ADC增益放大,00/01/10/11分别表示为1/2/8/16倍增益
表示B相电流通道ADC增益放大,00/01/10/11分别表示为1/2/8/16倍增益
表示C相电流通道ADC增益放大,00/01/10/11分别表示为1/2/8/16倍增益
表示三相电压通道ADC增益放大,00/01/10/11分别表示为1/2/8/8倍增益
EMU单元配置(地址:0x03)
EMU Config (EMUCfg)
Bit 15
Bit 14
Read:
LinePRu
SRun
Write: n
Address:
Bit 13
Bit 12
QRun
PRun
03H
Bit 11
StartSe
l
Bit 10
Bit 9
Bit 8
HAREn
WaveSel
1
WaveSel
0
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ATT7022E/26E/28E 用户手册(P73-13-45)
Reset:
Read:
Write:
Reset:
0
Bit 7
EnergyC
lr
0
0
Bit 6
0
Bit 5
0
Bit 4
1
Bit 3
0
Bit 2
0
Bit 1
0
Bit 0
EAddmode
Zxd1
Zxd0
Smode
SPL2
SPL1
SPL0
0
0
0
0
1
0
0
位名称
Bit02 Bit01 Bi00
描述
SPL[2:0]:波形采样频率选择,当fosc=5.5296M,femu=921.6kHz时,选择
频率如下:
1XX
011
010
001
000
14.4K
7.2K
3.6K
1.8K
0.9K
当femu=1.8432MHz /460.8kHz时,选择的波形采样频率与上表成正向比例
变化。
=1, 视在功率/能量寄存器采用RMS方式计量;
=0,视在功率/能量寄存器采用PQS方式计量。
ZXD:选择电压过零中断方式
00
01
1X
正向过0中断
/负向过0中断/
双向过0中断
=1,三相四线制使用代数和累加方式,三相三线下使用绝对值和累加方式;
=0,三相四线制使用绝对值和累加方式,三相三线下使用代数和累加方式。
=1,能量寄存器读后清0;
=0能量寄存器读后不清0。
WaveSel[1:0]:波形缓冲数据源选择,
=00,选择ADC采样数据来源于未经高通的原始数据;
=01,选择ADC采样数据来源于经高通且增益校正后的数据;
=1x,选择ADC采样数据来源于经基波滤波器后的数据。
=1,开启基波/谐波计量功能;
=0,关闭基波/谐波计量功能。
需通过寄存器(校表参数0x70 bit5)EnHarmonic进行基波测量和谐波测量的
切换
该bit为ATT7022E专有,ATT7026E/28E无效。
=1,选择功率作为潜动起动判断依据;
=0,选择电流有效值作为潜动起动判断依据。
推荐使用功率作为潜动起动判断依据。
=1,开启有功能量CF1通路能量计量功能;=0,关闭CF1计量功能。
=1,开启无功能量CF2通路能量计量功能;=0,关闭CF2计量功能。
=1,开启视在能量CF3通路能量计量功能;=0,关闭CF3计量功能。
=1,开启基波有功能量CF4通路能量计量功能;=0,关闭CF4计量功能。
Bit03
Bit05 Bit04
Bit06
Bit07
Bit09 Bit08
Bit10
Bit11
Bit12
Bit13
Bit14
Bit15
4.4.4
功率增益补偿寄存器(地址:0x04~0x0C)
Addr
Reg
0x04
Pa
Active Power Gain
Bit15
Read:
Pg15
Write:
Reset:
0
0x05
Pb
(Pga~Pgc)
14
Pg14
0
0x06
Pc
0x07
Qa
0x08
Qb
0x09
Qc
0x0A
Sa
0x0B
Sb
0x0C
Sc
Address: 04H~06H
13
12 … 3
Pg13
Pg12…Pg3
2
Pg2
1
Pg1
Bit0
Pg0
0
0
0
0
2
Qg2
1
Qg1
Bit0
Qg0
0
Ractive Power Gain (Qga~Qgc)
Address: 07H~09H
Bit15
14
13
12 … 3
Read:
Qg15
Qg14
Qg13
Qg12…Qg3
Write:
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Reset:
0
0
0
0
Apparent Power Gain (Sga~Sgc)
Address: 0AH~0CH
Bit15
14
13
12 … 3
Read:
Sg15
Sg14
Sg13
Sg12…Sg3
Write:
Reset: 0
0
0
0
0
0
0
2
Sg2
1
Sg1
Bit0
Sg0
0
0
0
在功率因数cos(φ)=1时进行功率增益校正,其中有功功率增益校正寄存器与无功功率增益校正寄
存器写入同一个校正值,视在功率增益校正寄存器在Smode=0选择PQS方式计量时,可以不校正,但在
Smode=1选择RMS方式计量时,需要校正,校正值与有功/无功功率增益值相同。
已知:
标准表上读出误差为err%
计算公式:
Pgain =
−err %
1 + err %
如果Pgain>=0,则GP1=INT[Pgain*2^15]
否则Pgain= 0 , PhSregpq = INT[θ * 2 ^15]
否则 θ < 0 , PhSregpq
= INT[2 ^16 + θ * 2 ^15]
4.4.6
功率offset校正 (地址:0x13~0x15,0x21~0x23,0x64~0x69)
Active Power Offset (Posa~Posc)
Address:
13H~15H
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Read:
Write:
Reset:
Bit15
Pos15
14
Pos14
13
Pos13
12 … 3
Pos12…Pos3
2
Pos2
1
Pos1
Bit0
Pos0
0
0
0
0
0
0
0
Reactive Power Offset
(Qosa~Qosc)
Bit15
14
Read:
Qos15
Qos14
Write:
Reset: 0
0
Address:
21H~23H
13
Qos13
12 … 3
Qos12…Qos3
2
Qos2
1
Qos1
Bit0
Qos0
0
0
0
0
0
在功率增益校正及相位校正后,进行功率offset校正,输入小信号x%Ib(5%或者2%)点的电表误
差为 Err%
x%Ib点在阻性下读取标准表上输出的有功功率值Preal
应用公式来计算,Poffset = INT[(Preal*EC*HFCONST*2^31*(-Err%))/(2.592*10^10)]。
计 算 值Poffset的 高 16bit写 入 原 寄 存 器 (校 表 参 数0x13~0x15/0x21~23);低 8位 写 入 新 增 加 的 寄 存器
(0x64~0x69)。
基波无功相位校正寄存器(地址:0x16)
4.4.7
Reactive Power Phase(Qph)
Bit15
14
Read:
Qph15
Qph14
Write:
Reset:
0
0
Address: 16H
13
12 … 3
Qph13
Qph12…Qph3
2
Qph2
1
Qph1
Bit0
Qph0
0
0
0
0
0000
默认值对应于femu=921.6K时的情况,不需要再校正;femu为其他频率、或测量的工频频率不为
50Hz时需要按照下面的公式进行校正:只用于无功选择为基波无功时使用,无功选择全波无功时不需
校正。
在30度时进行校正,功率Q的误差值为:err%
QPhasCal的计算公式为:
如果err>=0,QPhscal=INT[err%*32768/1.732]
如果err
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