HY3403P

厂商：
HUAYI(华羿微)
封装：
TO-220-3
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id...

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HY3403P 数据手册

HY3403P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Feature Description z 30V/140A RDS(ON)=2.2mΩ(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=2.7mΩ(typ.) @VGS = 4.5V z 100% avalanche tested z Excellent CdV/dt effect decline z Lead- Free Device Available S GD GD S TO-220FB-3L TO-263-2L Applications z Switching Application z Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P B HY3403 HY3403 YYXXXJWW G P: TO-220FB-3L Date Code YYXXX WW YYXXXJWW G B: TO-263-2L Assembly Material G:lead Free Note: H8$

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