BTA04F TO-220F
4A 三象限双向可控硅 BTA04F-600/800
产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件;
P型对通扩散隔离;
台而玻璃纯化工艺;
背而多层金属电极;
工作结温高;换向能力强;
高电压变化率dV/dt;
大电流变化率dI/dt;
符合Rohs规范…..
应 用:
加热控制器;马达调速控制器;麻将机;搅拌机; 直发器;面包机等家用电
器等等...
T1:主端子 T2:主端子 G:触发极
主要参数:
符号
参数
数值
单位
IT(RMS)
通态有效值电流
4
A
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
600/800
V
VTM
导通压降
1.55
V
极限参数(TCASE=25℃):
符号
参数
条件
数值
单位
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
Tj=25℃
600/800
V
IT(RMS)
通态均方根电流
TO-220F(TC≤105℃),Fig,1,2
4
A
ITSM
通态不重复浪涌电流
40
A
It
2
I t值
8
AS
dIT/dt
通态电流临界上升率
IGM
门极峰值电流
tP=20us,Tj=125℃
4
A
PG(AV)
门极平均功率
Tj=125℃
1
W
TSTG
存储温度
-40~+150
Tj
工作结温
-40~+125
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2
全正弦波,
Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5
正弦波脉冲,tp=10ms
IG=2*IGT,tr≤10ns,
F=120Hz,Tj=125℃
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
2
50
A/us
℃
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BTA04F TO-220F
产品电性能
数值
符号
参数
测试条件
VD=12V,
RL=30Ω,
Tj=25℃,
Fig.6
单位
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
VGD
门极不触发电压
VD=VDRM,Tj=125℃
IH
维持电流
IT=100mA,Fig. 6
IL
擎住电流
IG=1.2IGT,
Fig. 6
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
TW
SW
CW
≤5
≤10
≤35
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
mA
≤1.3
V
≥0.2
V
≤10
≤15
≤35
mA
Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ
≤10
≤25
≤50
mA
Ⅱ
≤15
≤30
≤60
mA
≥20
≥40
≥400
V/us
dVD/dt
断态电压临界上升率
VD=67%VDRM,门极开路
Tj=125℃
VTM
通态压降
ITM=6A,tp=380us,Fig.4
IDRM / IRRM
断态重复峰值电流
V
≤1.55
VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃
≤5
≤5
≤5
uA
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
≤0.5
≤0.5
≤0.5
mA
热阻参数:
符号
参数
数值
单位
Rth(j-c)
结到管壳的热阻(AC)
TO-220F(Ins)
3.3
℃/W
Rth(j-a)
结到环境的热阻
TO-220F(Ins)
60
℃/W
产品标识:
BT
A
04
-600
C W
三象限可控硅
双向可控硅
T:IGT1-3≤5mA
S:IGT1-3≤10mA
TO-220F绝缘封装
C:IGT1-3≤35mA
IT(RMS)=4A
断态重复峰值电压
600:≥600V
800: ≥800V
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BTA04F TO-220F
参数特性曲线图:
FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图
P(W)
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
IT(RMS)(A)
0
45
1
FIG.2:均方根电流与壳温关系曲线图
IT(RMS)(A)
TC(℃)
2
3
0
-50
4
FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量关系图
ITSM(A)
0
50
100
150
FIG.4: 输出特性图(最大值图)
100
ITM(A)
40
TJ=125℃
35
30
25
10
20
15
10
TJ=25℃
5
VTM(V)
Number of cycles
0
10
100
1000
1
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住
电流与结温关系曲线图
FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽
关系曲线
1000
1
ITSM(A)
2.4
IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC)
2.0
IGT
1.6
100
1.2
IH&IL
0.8
10
0.4
Tj(ºC)
tp(ms)
1
0.01
0.1
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1
10
0.0
-40
-20
3/4
0
20
40
60
80
100
120
140
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BTA04F TO-220F
封装外形:
TO-220F(Ins)
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