AP8022FNEC-T1

Chipown AP8022 低待机功耗离线式开关电源IC 概述 AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和全新一代的高可靠性功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该 芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护。内置抖屏可优化EMI表现，突发 模式能够降低系统处于待机模式时的功耗。该芯片还内置高压启动模块和软启动控制电路，保证系统迅速而安全的启动。 特征 应用领域 ■ 满足85~265V宽AC输入工作电压 ■ 家电辅助电源 ■ 单芯片集成700V功率MOSFET ■ LED驱动 ■ 内部集成高压启动电路 封装/订购信息 ■ 9.5～27V宽电压工作范围 ■ 60KHz中心工作频率 ■ 内置抖屏和软启动功能 ■ 轻载自动调周期功能 ■ 欠压保护功能 ■ 保护功能 — 过流保护（OCP） — 过温保护（OTP） — 过压保护（OVP） 订购代码 封装 AP8022FNEC-T1 DIP8 典型功率 85~265 VAC 10W 备注：最大输出功率是在环境温度50°C时具备足够散热片的开放式应 用情形下测试。 典型应用 S n ub b e r AC 8 5 ~ 2 6 5V VCC O TP B lock C o ntrol B lock COMP DC O u tp u t SW S U P P LY &UVLO H V S ta rt B lock P W M S w itch & G ate D river FB B lock A P 8 0 22 GND 图 1.应用框图 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 1/7 AP8022 管脚定义 表 1. 管脚定义 管脚标号 管脚名 管脚功能描述 1,2 GND 3 COMP 4 VCC 5,6 NC 空脚 7,8 SW 功率MOS的漏极。 功率MOS以及控制电路的参考地 反馈输入脚，用以确定功率MOS的峰值电流 控制电路的供电电源，启动时由高压启动管对VCC电容进行充 电，当达到UVLO启动电压时，启动过程结束。 备注：NC 脚可接到 SW 引脚 典型功率 表 2. 典型功率 产品型号 85~265 VAC 230 VAC ±15% AP8022 8W 12W 备注：最大连续功率在 50 度开放环境且有足够散热条件下测试 极限工作范围 VCC 工作电压范围 SW 脚最高电压 ……………………………………………………….….-0.3~27V …………………………………………………………….…670V 上电时启动管最高电压……………………………………………………… 670V 反馈脚最大电流…………………………………………………………………3mA 高压功率管电流……………………………………………………………… Internally limited ESD 能力（MM）……………………………………………. ……………… 200V 结工作温度…………………………………………………………………… Internally limited 工作温度范围…………………………………………………………………-40~150℃ 存储温度范围…………………………………………………………………-55~150℃ 管脚焊接温度 (10秒) …………………………………………………………260℃ 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 2/7 AP8022 电气特性 (TA =25°C, VCC = 15 V；特殊情况另行说明) 表 3. 热阻部分 符号 参数 DIP7 单位 RTHJC_MAX 结与封装壳之间热阻 40 ℃/W RTHJA_MAX 封装与环境之间热阻 80 ℃/W 备注：漏极引脚 PCB 铺铜超过 100mm2 表 4. 功率部分 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP BVDSS 功率管耐压 ID=250uA;VCOMP=2V IDSS 功率管关态漏电流 VSW=500V;VCOMP=2V; RDSON 功率管导通电阻 ID=0.4A; 15 Tr 上升沿 ID=0.1A;VSW=300V 50 Tf 下降沿 ID=0.2A;VSW=300V 100 Coss 功率管输出电容 VSW=25V 20 MAX 670 UNIT V 100 μA 17 Ω ns pF 表 5. 控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 欠压保护部分 VSTART 欠压保护启动电压 VCOMP=0V 13 14.5 16 V VSTOP 欠压保护关断电压 VCOMP=0V 7.5 8.5 9.5 V VHYS 欠压保护回差 6 V 振荡器部分 FOSC 开关频率 0≤Tj≤ 100°C 54 ΔF/ΔT 开关频率随温度变化率 -25°C ≤ Tj ≤ +125°C FD 抖频范围 ±5 kHz FM 调制频率 125 Hz DMAX 最大占空比 60 60 66 kHz ±2 ±5 % 75 90 % 反馈部分 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 3/7 AP8022 ICOMP COMP关断电流 RCOMP COMP脚输入阻抗 1 mA 1.1 kΩ 限流部分 ILIM 峰值电流 TONMIN 最小导通时间 tSS 软启动时间 Tj = 25°C 0.6 0.7 0.8 A 400 ns 8 ms 过温保护部分 TSD 过温保护温度 THYST 过温保护回差 VOVP VCC过压保护电压 Vclamp VCC电流嵌位电压 120 160 - 40 VCOMP=0 IVCC>3mA °C °C 27 30 33 V 30 33 36 V 105 V 工作电流部分 VSW_START 漏源启动电压 VDRAIN = 120 V, ICH VCOMP = GND,VCC = 4 启动管充电电流（SW 脚） -1 mA V IOP0 开关态工作电流 VCOMP = 0V 0.6 mA IOP1 非开关态工作电流 VCOMP = 2V 0.3 mA 典型应用 图 2. 应用典型线路 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 4/7 Chipown AP8022 功能描述 1. 启动 AP8022 内部集成高压启动电路，启动时 SW 脚对 VCC 电源提供充电电流。当 VCC 电压达到 VSTART 电压时，内部高压启动电路关闭，VCC 电容的能量由变换器提供；一旦 VCC 电压低于欠压保护点，高压启 动管开启并为 VCC 电容充电，直至 VCC 电压达到 VSTART。 图 9. 启动电路 2. 软启动 启动阶段，漏极的最大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动 时间典型值为8ms。 3. 输出驱动 AP8022采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会使得较高的开关损耗，驱动太强则容易出现EMI问题。 AP8022采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低的损 耗。 4. 振荡器 AP8022的振荡频率固定在60 kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善EMI 特性。 5. 反馈回路 反馈脚通过控制 MOSFET 的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式 PWM 控制电路， AP8022 采用电流控制方式（如图 10 所示），通过内部采样管得到流过功率 MOS 的电流。从 COMP 脚流入 的电流通过 R2 进行采样，采样电压（VR2)）跟内部基准 VR2 比较；当 VR2 的电压超过内部基准电压时， 则关断 MOSFET 实现环路的控制。 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 5/7 AP8022 图 10. 反馈电路 6. 前沿消隐 由于SW脚的寄生电容，当MOS开通瞬间存在较大的峰值电流，如果采样MOSFET采样到该信号，芯片 会过入过流保护状态。为了防止MOS开通瞬间引起电路误触发，过流保护电路在功率管开通一段时间（典 型值300ns）后才开始工作。 7. 欠压锁定 由于异常情况导致功率管被关闭后，VCC脚电压由于没有提供能量将会一直下降，当VCC电压下降到 欠压锁定保护点（典型值9V）时，欠压锁定电路被复位，内部高压电流源重新开始给VCC提供能量。直至 VCC电压上升到欠压锁定解除点（典型值13V）时，芯片开始正常工作，功率管正常开启和关闭。通过这种 控制方法，芯片在异常情况消除后能自动重启动。 8. 过温保护 功率MOSFET和控制芯片集成在一起，能保证温度采样电路更准确的采样功率管的温度信号，从而更及 时的对功率管进行保护。当芯片结温超过160℃时（典型值） ，芯片进入过温保护状态；直至结温回到120℃ （典型值）时，芯片重新开始工作。温度保护存在滞回，保证芯片不会出现热振荡现象。 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 6/7 AP8022 封装尺寸 表 6. DIP8 封装尺寸 尺寸 符号 A 最小(mm) 最大(mm) 9.30 9.50 A1 尺寸 符号 C2 1.524 A2 0.39 0.53 最小(mm) 最大(mm) 0.50 C3 3.3 C4 1.57TYP A3 2.54 D 8.2 8.8 A4 0.66TYP D1 0.2 0.35 A5 0.99TYP D2 7.62 7.87 B 6.3 C 6.5 7.2 C1 3.3 3.5 Θ1 8ºTYP Θ2 8ºTYP Θ3 5ºTYP 图 11. 外形示意图 表层丝印 封装 AP8022 DIP8 YWWXXXXX 备注：Y：年份代码； W：周代码； XXXXX：内部代码 8/F, ChuangYuan Building No.21-1 Changjiang Road, Wuxi New Destrict Tel: +86(510)8521-7718 http://www.chipown.com.cn Rev.F.1307 7/7