3525

深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ ＰＷＭ控制芯片 SG3525 用于所有类型的开关电源上，都可以改进其性能和 减少外部元器件数量。 实物图 芯片＋５．１Ｖ基准电压精度为 ± 1%，由于基准电压值在误差 放大器的输入共模电压范围内，因此无需外接电阻。 SG3525 可以工作在主从模式，也可以与外部时钟同步。 通过Ｃｒ与放电端之间的电阻可以调节死区时间。 芯片内部其他功能电路还包括：软启动电路、关断电路、欠压锁定 电路。 SG3525 控制芯片的输出级为大功率图腾柱式输出，其电路电流 和吸收电流超过２００ｍＡ．其给出逻辑电平为‘或非‘　 关断状态时为低电平 SO–16L 封装 16 1 • • • • • • • • • 8.0 V to 35 V 操作 5.1 V ± 1.0% 平衡参考 100 Hz to 400 kHz 振荡器范围 分离振荡器同步引脚 可调死区控制 输入欠压闭锁 锁存脉宽调制以防止多个脉冲 逐脉冲关机 双源／下陷输出： ±400 mA Peak 引脚连线 代表性方框图 16 Vref 15 Reference Regulator VCC 12 To Internal Circuitry Under– Voltage Lockout 4 F/F Oscillator Q NOR 5 CT Discharge 2 15 VCC Sync 3 14 Output B OSC. Output 4 13 VC CT 5 12 Ground RT 6 11 Output A Discharge 7 10 Shutdown Soft–Start 8 9 顶部视图 Output B R 1 INV. Input 2 Noninv. Input – Error Amp + + – PWM – S Latch VREF 8 SG3525A Output Stage 13 VC 订购须知 Output A S 50µA OR 11 Device CSoft–Start 10 5.0k Shutdown 5.0k 14 SG3525AN SG3525ADW SG3527A Output Stage
Operating Temperature Range Package Output B OR 电话：0755-82568886 Compensation 14 7 9 Compensation Noninv. Input 11 Q 6 16 Vref Output A NOR 3 Sync RT 1 VC 13 Ground OSC Output Inv. Input 82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































公司地址：深圳市福田区滨河大道联合广场Ａ座１３０８ Plastic DIP TA = 0° to +70°C SG3527AN SO–16L Plastic DIP 邮箱：ｉｄｃｈｉｐ＠ｉｎｄｒｅａｍｃｈｉｐ．ｃｏｍ























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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ 极限参数 (Note 1) 极限 SG3525A SG3527A 符号 数值 单位 供电电压 VCC +40 Vdc 集电极电源电压 逻辑输入 模拟输入 VC +40 Vdc –0.3 to +5.5 V –0.3 to VCC V 吸收流出电流 IO ±500 mA 基准输出电流 振荡器充电电流 功耗 Iref 50 mA 5.0 mA PD mW 1000 2000 TA = +25°C (Note 2) TC = +25°C (Note 3) 热阻结至空气 RθJA 100 °C/W 热阻结至外壳 操作结温 RθJC 60 °C/W TJ +150 °C 存储温度范围 焊接温度 (Soldering, 10 seconds) Tstg –55 to +125 °C TSolder +300 °C NOTES: 1. Values beyond which damage may occur. 2. Derate at 10 mW/°C for ambient temperatures above +50°C. 3. Derate at 16 mW/°C for case temperatures above +25°C. 推荐操作条件 特性 供电电压 字符 Min Max Unit VCC 8.0 35 Vdc 集电极电源电压 VC 4.5 35 Vdc 0 0 ±100 ±400 IO 吸收和输出电流 mA 参考负载电流 Iref 0 20 mA 振荡频率范围 fosc 0.1 400 kHz 振荡器定时电阻 振荡器定时电容器 RT 2.0 150 kΩ CT 0.001 0.2 µF RD 0 500 Ω TA 0 +70 °C 死区电阻范围 工作环境温度范围 应用信息 关机操作 (See Block diagram, front page) 由于补偿和软启动引脚都有上拉电流源，当有下拉 信号时，最大只能吸收１００ｕＡ的电流就可关断输出。 也可以 通过脚１０来关电路，脚１０上面的信号为高 电平时可以实现两个功能，ＰＷＭ锁存器立即动作 同时软启动电容开始放电，放电电流只有１００ｕＡ， 如果关断信号为短暂的高电平，ＰＷＭ信号将会被终止 电话：0755-82568886
82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































公司地址：深圳市福田区滨河大道联合广场Ａ座１３０８ 但此时的软启动电容没有明显的放电过程。利用 这个特点，可以很容易实现逐个脉冲限幅。 但是 如果引脚１０上面的高电平维持较长时间， 当中断信号结束时，将 软启动电容将充分充电， 进入软启动过程。 引脚１０不应悬空，因为从该脚耦合进来的噪声信号 将影响电路的正常工作。 邮箱：ｉｄｃｈｉｐ＠ｉｎｄｒｅａｍｃｈｉｐ．ｃｏｍ























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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ 电气特性 (VCC = +20 Vdc, TA = Tlow to Thigh [Note 4] 特性 Symbol Min Typ Max Unit Vref 5.00 5.10 5.20 Vdc Regline – 10 20 mV Regload – 20 50 mV ∆Vref/∆T – 20 – mV ∆Vref 4.95 – 5.25 Vdc ISC – 80 100 mA Vn – 40 200 µVrms S – 20 50 mV/khr – ±2.0 ±6.0 % ∆fosc D VCC – ±1.0 ±2.0 % ∆fosc D T – ±0.3 – % 最小频率稳定性 (R T = 150 kΩ, CT = 0.2 µF) fmin – 50 – Hz 最大频率稳定性 (R T = 2.0 kΩ, CT = 1.0 nF) 电流反射 (I RT = 2.0 mA) 时钟幅度 fmax 400 – – kHz 1.7 2.0 2.2 mA 3.0 3.5 – V 0.3 0.5 1.0 µs 1.2 2.0 2.8 V – 1.0 2.5 mA VIO – 2.0 10 mV 参考输出电压 (TJ = +25°C) 线性调节 (+8.0 V ≤ VCC ≤ +35 V) 负载调节 (0 mA ≤ IL ≤ 20 mA) 温度稳定性 总输出波动 包括线路和负载随温度的调节 短路电流 (Vref = 0 V, TJ = +25°C) 输出噪声电压(10 Hz 时长稳定性 ≤ f ≤ 10 kHz, TJ = +25°C) (T J = +125°C) (Note 5) 初始精度 (T J = +25°C) 电压频率稳定性 (+8.0 V ≤ VCC ≤ +35 V) 温度频率稳定性 J 时钟宽度 (T = +25°C) 同步阈值 同步输入电流 (Sync Voltage = +3.5 V) 误差放大器部分 (VCM = +5.1 V) 输入失调电压 输入偏执电流 输入失调电流 直流开环增益 (R L ≥ 10 MΩ) 低电平输出电压 高电平输出电压 IIB – 1.0 10 µA IIO – – 1.0 µA AVOL 60 75 – dB VOL – 0.2 0.5 V VOH 3.8 5.6 – V 共模抑制比 (+1.5 V ≤ VCM ≤ +5.2 V) CMRR 60 75 – dB 电源抑制比 (+8.0 V ≤ VCC ≤ +35 V) PSRR 50 60 – dB 最小占空比 DCmin – – 0 % 最大占空比 DCmax 45 49 – % (Note 6) Vth 0.6 0.9 – V 输入阈值，最大占空比 (Note 6) 输入偏执电流 Vth – 3.3 3.6 V IIB – 0.05 1.0 µA PWM COMPARATOR SECTION 输入阈值，零占空比 NOTES: 4. Tlow = 0° for SG3525A, 3527A Thigh = +70°C for SG3525A, 3527A 5. Since long term stability cannot be measured on each device before shipment, this specification is an engineering estimate of average stability from lot to lot. 6. Tested at fosc = 40 kHz (RT = 3.6 kΩ, CT = 0.01 µF, RD = 0Ω). 电话：0755-82568886
82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ 电气特性（继续） 特性 软启动部分 软启动电流 字符 Min Typ Max Unit 25 50 80 µA – 0.4 0.6 V – 0.4 1.0 mA – – 0.2 1.0 0.4 2.0 18 17 19 18 – – VUL 6.0 7.0 8.0 V IC(leak) – – 200 µA tr – 100 600 ns (V shutdown = 0 V) 软启动电压 (V shutdown = 2.0 V) 关断输入电流 (V shutdown = 2.5 V) 输出驱动 (Each Output, VCC = +20 V) 输出低电平 VOL 输出高电平 VOH (Isink = 20 mA) (Isink = 100 mA) (Isource = 20 mA) (Isource = 100 mA) 欠压闭锁 (V8 and V9 = High) 集电极漏电V C = +35 V (Note 7) 上升沿 (C L = 1.0 nF, TJ = 25°C) 下降沿 (C L = 1.0 nF, TJ = 25°C) 关断延迟 (V DS = +3.0 V, CS = 0, TJ = +25°C) 供电电流 NOTE: (VCC = +35 V) V V tf – 50 300 ns tds – 0.2 0.5 µs ICC – 14 20 mA 7. Applies to SG3525A only, due to polarity of output pulses. 实验室测试装置 Vref 16 4 PWM ADJ. 13 Flip/ Flop 3 O s c i l l a t o r RT 6 Deadtime 1.5k 0.009 7 Ramp 100Ω 5 Out A 11 A 1.0k, 1.0W (2) 14 B 0.001 0.1 VC 0.1 Sync 1.0k VCC 0.1 0.1 Clock 3.0k 15 Reference Regulator Out B Comp 10k 1 = VIO 2 = 1(+) 3 = 1(–) 1 2 – V/I Meter + 50µA 8 1 2 1 3 2 – 5.0k E/A 5.0k + 1 Gnd Softstart + 5.0µF 10 Vref 2.0k 2 3 电话：0755-82568886
12 PWM 0.01 3 1 2 3 9 DUT 82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ R D , DEAD TIME RESISTOR (Ω ) 500 RT, TIMING RESISTOR (k Ω ) 100 50 * RD = 0 Ω 20 10 5 6 5.0 RT 7 RD * 400 300 200 100 CT 2.0 0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10,000 充电时间 ( µs) 0.2 0.5 – 2 + CP RZ RZ = 20 k 20 0 –20 1.0 10 100 1.0 k 10 k 100 k 1.0 M 4.0 3.5 2.0 1.5 Source Sat, (VC–VOH) 1.0 Sink Sat, (VOL) 0.5 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 IO, 输出源或吸收电流 Ａ Q5 Q8 Q3 Q3 6 Q6 5 12 2.0k Q9 2.0k Ramp To PWM 14k Q11 Q10 25k 5.0pF Blanking Q14 To Output 400µA Q4 23k Q7 1.0k 1.0k Q12 Q13 3.0k 250 Inverting Q1 Input 1 Noninverting Input 2 200µA Q4 Q2 To PWM Comparator 100µA 5.8V 30 9 Compensation 4 OSC Output Gnd 电话：0755-82568886
0.5 0.7 1.0 图６ 误差放大器原理图 7.4k Q2 100 200 15 VCC Q1 3 Sync 7 Discharge 50 2.5 16 CT 20 ( µs) VCC = +20 V TJ = +25°C 图５振荡器原理图 RT 10 3.0 0 0.01 10 M 频率赫兹 Vref 5.0 9 V sat , SATURATION VOLTAGE (V) 1 80 40 2.0 图４ 输出饱和 特征 100 60 1.0 放电时间 图３ 误差放大器开环频响 A VOL, VOLTAGE GAIN (dB) 振荡器放电时间与ＲＤ的关系 图２ 图１ 振荡器充电时间与ＲＴ电阻的关系 200 82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ SG3525A 输出电路 图７ 13 VCC VC Q7 Q5 (1/2 Circuit Shown) Q9 Q10 Q4 5.0k Vref 11, 14 Q11 Output Q8 Q6 2.0k Q1 Q2 5.0k Clock 10k F/F Q3 Q6 Omitted in SG3527A 10k PWM 图９ 推拉配置 图８ 单端电源 Q1 +Vsupply To Output Filter +Vsupply R1 R1 R2 VC A 13 VC A SG3525A 11 11 Q1 14 14 B Gnd Q2 B R3 12 12 在单电源中，驱动电流输出端应接地 Ｖｃ端通过图腾柱输出晶体管接地 图１０ 驱动功率场效应晶体管 在传统推挽式双极设计中，正向基极驱动 由Ｒ１–Ｒ３控制。电源的快速关闭时间 器件通过加速电容器Ｃ１和Ｃ２实现 图１１ 驱动变压器 半桥配置 +Vsupply R1 Q1 C1 T1 13 VC A 11 Q1 T1 11 SG3525A 14 Q2 Gnd B 12 12 输出驱动器的低源阻抗提供 功率ＦＥＴ输入电容的快速充电 最小化外部组件 电话：0755-82568886
13 VC A SG3525A Gnd B T1 R2 C2 SG3525A Gnd +Vsupply C1 13 82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































公司地址：深圳市福田区滨河大道联合广场Ａ座１３０８ R1 T2 Q2 14 C2 R2 SG3525 低功率变压器可直接由　　　驱动 自动复位发生在空载期间， 当 初级绕组切换到地 邮箱：ｉｄｃｈｉｐ＠ｉｎｄｒｅａｍｃｈｉｐ．ｃｏｍ























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www.idchip.cn 深圳市英锐芯电子科技 ＰＷＭ控制芯片ＳＧ３５２５ 外形尺寸 (DIP16) 封装 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN FORMED PARALLEL. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL. –A– 16 9 1 8 B F C DIM A B C D F G H J K L M S L S –T– SEATING PLANE K H G D M J 16 PL 0.25 (0.010) M T A M INCHES MIN MAX 0.740 0.770 0.250 0.270 0.145 0.175 0.015 0.021 0.040 0.70 0.100 BSC 0.050 BSC 0.008 0.015 0.110 0.130 0.295 0.305 0_ 10 _ 0.020 0.040 MILLIMETERS MIN MAX 18.80 19.55 6.35 6.85 3.69 4.44 0.39 0.53 1.02 1.77 2.54 BSC 1.27 BSC 0.21 0.38 2.80 3.30 7.50 7.74 0_ 10 _ 0.51 1.01 封装 (SO–16L) –A– 16 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE. 5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 9 –B– 1 P 8 PL 0.25 (0.010) 8 M B S G R K F X 45 _ C –T– SEATING PLANE M D 16 PL 0.25 (0.010) 电话：0755-82568886
M T B S A S 82568883 传真：０７５５－８２５６８８８６




































公司地址：深圳市福田区滨河大道联合广场Ａ座１３０８ J DIM A B C D F G J K M P R MILLIMETERS MIN MAX 9.80 10.00 3.80 4.00 1.35 1.75 0.35 0.49 0.40 1.25 1.27 BSC 0.19 0.25 0.10 0.25 0_ 7_ 5.80 6.20 0.25 0.50 INCHES MIN MAX 0.386 0.393 0.150 0.157 0.054 0.068 0.014 0.019 0.016 0.049 0.050 BSC 0.008 0.009 0.004 0.009 0_ 7_ 0.229 0.244 0.010 0.019 邮箱：ｉｄｃｈｉｐ＠ｉｎｄｒｅａｍｃｈｉｐ．ｃｏｍ























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