EM78P447N
8-Bit Microcontroller
with OTP ROM
Product
Specification
DOC. VERSION 1.1
ELAN MICROELECTRONICS CORP.
March 2005
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Contents
Contents
1
概括描述................................................................................................................................ 1
2
功能特点................................................................................................................................ 1
3
引脚分配................................................................................................................................ 3
4
功能描述................................................................................................................................ 7
4.1
4.2
操作寄存器 ...................................................................................................................7
4.1.1
R0 (间址寄存器).............................................................................................................7
4.1.2
R1 (定时器 /计数器) .......................................................................................................7
4.1.3
R2 (程序计数器)和堆栈..................................................................................................7
4.1.4
4.1.5
R3 (Status Register) ......................................................................................................8
R4 (RAM 选择寄存器)....................................................................................................9
4.1.6
4.1.7
R5 ~ R7 (Port 5 ~ Port 7)............................................................................................. 11
R8-R1F and R20-3E (通用寄存器) .............................................................................. 11
4.1.8
R3F (中断状态寄存器) ................................................................................................. 11
特殊功能寄存器 .......................................................................................................... 11
4.2.1
A (累加器) .................................................................................................................... 11
4.2.2
CONT (控制寄存器) ..................................................................................................... 11
4.2.3
IOC5 ~ IOC7 (I/O 口控制寄存器).................................................................................12
4.2.4
IOCB (P6 口唤醒控制寄存器) ......................................................................................12
4.2.5
IOCE (WDT 控制寄存器) .............................................................................................13
4.2.6
IOCF (中断屏蔽寄存器) ...............................................................................................14
4.3
TCC/WDT 和预除器 ...................................................................................................15
4.4
I/O 端口 ......................................................................................................................15
4.5
复位和唤醒 .................................................................................................................17
4.5.1
复位..............................................................................................................................17
4.5.2
状态寄存器的 RST, T, 和 P ..........................................................................................21
4.6
中断 ............................................................................................................................22
4.7
振荡器 ........................................................................................................................23
4.7.1
振荡模式 ......................................................................................................................23
4.7.2
晶体振荡/陶瓷谐振(XTAL)............................................................................................24
4.7.3
外部 RC 振荡模式 ........................................................................................................25
4.8
代码选项寄存器（CODE Option Register） ..............................................................26
4.9
上电问题.....................................................................................................................27
4.10 外部上电复位电路 ......................................................................................................28
4.11 残余电压保护护 ..........................................................................................................28
4.12 指令集 ........................................................................................................................29
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
• iii
Contents
4.13 时序图 ........................................................................................................................32
5
绝对最大值 .......................................................................................................................... 33
6
电参数 33
6.1
直流电参数 .................................................................................................................33
6.2
交流电参数 .................................................................................................................34
6.3
设备特性.....................................................................................................................35
附录
A
封装类型.............................................................................................................................. 45
B
封装信息.............................................................................................................................. 45
B.1 20-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 300 mil..............................................45
B.2 24-Lead plastic dual inline skinny package（DIP）－ 300 mil ..................................46
B.3 28-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 600 mil..............................................46
B.4 32-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 600 mil..............................................47
B.5 20-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil ........................................47
B.6 24-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil ........................................48
B.7 28-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil ........................................48
B.8 32-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil ........................................49
B.9 28-Lead Shrink Small Outline Package（SSOP）－ 209 mil ....................................49
Specification Revision History
iv •
Doc. Version
Revision Description
Date
1.0
初始版本
10/29/2004
1.1
增加四种封装类型
03/30/2005
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
1
概括描述
EM78P447N是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的高抗杂性的8位单片机。其内部有
4K×13位一次性编程ROM (OTP-ROM)。它还提供一个保护位避免用户存在OTP的程序
被读取。7个选择位完全可以满足用户的需要。
具有OTP-ROM特点的EM78P447N能够为用户提供开发和校验程序的便利，而且用户可
以使用 EMC Writer 容易地编程自己的开发代码。
2
功能特点
工作电压范围： 2.5V~5.5V。
工作温度范围： -40°C~85°C。
工作频率范围 (基于2个 clocks )：
• 晶振模式： DC~20MHz（5V）， DC~8MHz（3V）， DC~4MHz（2.5V）。
• ERC模式： DC~4MHz（ 5V）， DC~4MHz（3V）， DC~4MHz（2.5V）。
低功耗：
• 5V/4MHz工作条件下电流小于 2.2 mA。
• 3V/32KHz工作条件下电流典型值为35 µA。
• 睡眠模式下电流典型值为2 µA。
4K × 13 位片内ROM。
三个保护位保证程序不被读出。
一个配置寄存器满足用户要求。
148× 8位片内寄存器 (SRAM通用寄存器)。
3个双向 I/O 端口。
5级堆栈。
8位实时定时器/计数器(TCC)，其信号源和触发沿可由软件设定，可设置溢出中断。
每个指令周期为2个时钟周期。
省电模式(SLEEP模式)。
2个中断源。
• TCC 溢出中断。
• 外部中断。
可编程自由运行看门狗定时器（WDT）。
10个引脚可编程设置为上拉。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
•1
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
2个引脚可编程设置为漏极开路。
2 个引脚可编程设置为R-option。
封装形式：
•
•
•
•
•
•
•
•
•
20引脚 DIP 300mil:EM78P447NDP
20引脚 SOP 300mil:EM78P447NDM
24引脚 Skinny DIP 300mil:EM78P447NCK
24引脚SOP 300mil:EM78P447NCM
28 引脚 DIP 600mil ： EM78P447NAP
28 引脚 SOP(SOIC) 300mil ： EM78P447NAM
28引脚 SSOP 209mil ：EM78P447NAS
32 引脚 DIP 600mil ：EM78P447NBP
32引脚 SOP(SOIC) 450mil：EM78P447NBWM
99.9% 指令为单指令周期。
系统区分HXT和LXT的频率点在400KHz左右。
2•
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
3
引脚分配
P55
1
32
P56
P54
2
31
P57
1
28
/RESET
Vss
1
28
/RESET
TCC
3
30
/RESET
VDD
2
27
OSCI
TCC
2
27
OSCI
VDD
4
29
OSCI
NC
3
26
OSCO
VDD
3
26
OSCO
NC
5
28
OSCO
Vss
4
25
P77
/INT
4
25
P77
Vss
6
27
P77
26
P76
25
P75
24
P74
24
P76
P50
5
24
P76
/INT
7
6
23
P75
P51
6
23
P75
P50
8
P51
7
22
P74
P52
7
22
P74
P51
9
P52
8
21
P73
P53
8
21
P53
9
20
P72
P60
9
P60
10
19
P71
P61
10
P61
11
18
P70
P62
11
18
P62
12
17
P67
P63
12
17
P63
13
16
P66
P64
13
16
P64
14
15
P65
Vss
14
15
EM78P447NAS
5
P50
EM78P447NAP
EM78P447NAM
/INT
EM78P447NBP
EM78P447NBWM
TCC
P73
P52
10
23
P73
20
P72
P53
11
22
P72
19
P71
P60
12
21
P71
P70
P61
13
20
P70
P67
P62
14
19
P67
P66
P63
15
18
P66
P65
P64
16
17
P65
DIP
SOP
SSOP
DIP
SOP
P54
1
24
/RESET
2
23
OSCI
3
22
OSCO
Vss
4
21
P77
/INT
5
20
P76
P50
6
19
P75
Vss
4
P51
7
18
P74
/INT
5
P52
8
17
P67
P50
6
P53
9
16
P66
P51
7
P60
10
15
P65
P52
P61
11
14
P64
P62
12
13
P63
1
20
/RESET
TCC
2
19
OSCI
VDD
3
18
OSCO
17
P77
16
P76
15
P75
14
P74
8
13
P73
P53
9
12
P72
P60
10
11
P71
P54
Skinny DIP
SOP
EM78P447NDP
EM78P447NDM
EM78P447NCK
EM78P447NCM
TCC
VDD
DIP
SOP
图 1 引脚分配
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
•3
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
表 1 EM78P447NAP 和 EM78P447NAM 引脚描述
Symbol Pin No.
Type
Function
VDD
2
-
OSCI
27
I
OSCO
26
I/O
TCC
1
I
■ 实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。
/RESET
28
I
■ 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。
P50~P53
6-9
I/O
P60~P67
10-13
I/O
P70~P77
18-25
I/O
/INT
5
I
■ 下降沿触发的外部中断引脚
VSS
4
-
■ 地
NC
3
-
■ 未接
■ 电源
■
■
■
■
■
XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
RC 型： RC 振荡器输入端
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端
RC 型：指令时钟输出端
外部时钟信号输入
■ P50~P53 是双向 I/O 引脚
■
■
■
■
■
■
P60~P67 是双向 I/O 引脚
都可由软件设为上拉
P70~P77 是双向 I/O 引脚
P74~P75 可由软件设为上拉
P76~P77 可由软件设为漏极开路
P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚
表2 EM78P447NAS 引脚描述
Symbol
Pin No.
Type
VDD
3
-
OSCI
27
I
OSCO
26
I/O
TCC
2
I
/RESET
28
I
P50~P53
5-8
I/O
Function
■ 电源
■
■
■
■
■
■
XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
RC 型： RC 振荡器输入端
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端
RC 型：指令时钟输出端
外部时钟信号输入
实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连
接。
■ 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。
■ P50~P53 是双向 I/O 引脚
■
■
■
■
■
■
P60~P67 是双向 I/O 引脚
都可由软件设为上拉
P70~P77 是双向 I/O 引脚
P74~P75 可由软件设为上拉
P76~P77 可由软件设为漏极开路
P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚
P60~P67 9-13,15-17
I/O
P70~P77
18-25
I/O
/INT
4
I
■ 下降沿触发的外部中断引脚
VSS
1,14
-
■ 地
4•
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
表 3 EM78P447NBP 和 EM78P447NBWM 引脚描述
Symbol
Pin No.
Type
VDD
4
-
OSCI
29
I
OSCO
28
I/O
TCC
3
I
■ 实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。
I
■ 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。
/RESET
30
8-11,2-1
P50~P57
32-31
Function
■ 电源
I/O
■
■
■
■
■
XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
RC 型： RC 振荡器输入端
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端
RC 型：指令时钟输出端
外部时钟信号输入
■ P50~P57 是双向 I/O 引脚
■
■
■
■
■
■
P60~P67 是双向 I/O 引脚
都可由软件设为上拉
P70~P77 是双向 I/O 引脚
P74~P75 可由软件设为上拉
P76~P77 可由软件设为漏极开路
P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚
P60~P67
12-19
I/O
P70~P77
20-27
I/O
/INT
7
I
■ 下降沿触发的外部中断引脚
VSS
6
-
■ 地
NC
5
-
■ 未接
表 4 EM78P447NCK 及 EN78P447NCM 的引脚描述
Symbol
Pin No.
Type
VDD
3
-
Function
■ 电源
■
■
■
■
■
XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
RC 型： RC 振荡器输入端
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端
RC 型：指令时钟输出端
外部时钟信号输入
OSCI
23
I
OSCO
22
I/O
TCC
2
I
■ 实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。
/RESET
24
I
■ 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。
P50~P54
6~9,1
I/O
P60~P67
10~17
I/O
P74~P77
18~21
I/O
/INT
5
I
■ 下降沿触发的外部中断引脚
VSS
4
-
■ 地
NC
3
-
■ 未接
■ P50~P54 是双向 I/O 引脚.
■
■
■
■
■
P60~P67 是双向 I/O 引脚
都可由软件设为上拉
P74~P75 可由软件设为上拉
P76~P77 可由软件设为漏极开路
P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
•5
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
表5 EM78P447NDK 及 EM78P447NDM 引脚的描述
Symbol
Pin No.
Type
VDD
3
-
OSCI
19
I
OSCO
18
I/O
TCC
2
I
■ 实时定时计数器（斯密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。
/RESET
20
I
■ 斯密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。
P50~P54
6~9,1
I/O
P60
10
I/O
P71~P77
11~17
I/O
/INT
5
I
■ 下降沿触发的外部中断引脚
VSS
4
-
■ 地
NC
3
-
■ 未接
6•
Function
■ 电源
■
■
■
■
■
XTAL 型：晶振或外部时钟输入端
RC 型： RC 振荡器输入端
XTAL 型：晶振输出或外部时钟输入端
RC 型：指令时钟输出端
外部时钟信号输入
■ P50~P54 是双向 I/O 引脚
■
■
■
■
■
P60 是双向 I/O 引脚
都可由软件设为上拉
P74~P75 可由软件设为上拉
P76~P77 可由软件设为漏极开路
P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4
功能描述
OSCI
/R E S E T
OSCO
T C C /IN T
W D T T im e r
STACK 1
P C
O scilla to r/T im in g
STACK 2
C o n tro l
STACK 3
P re sca le
STACK 5
W DT
T im -e o u t
In te rru p t
C o n tro l
R 1 (T C C )
In stru ctio n
R e g iste r
ALU
In stru ctio n
D e co d e r
RAM
S le e p
&
W a ke
C o n tro l
STACK 4
ROM
r
R3
ACC
R4
DATA & CO NTROL BUS
IO C 5
R5
IO C 6
R6
PPPPPPPP
55555555
0123 4567
PPPPPPPP
66666666
0123 4567
IO C 7
R7
PPPPPPPP
77 777777
0123 4567
图 2 功能模块图
4.1 操作寄存器
4.1.1 R0 (间址寄存器)
R0 并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以R0为指针的指
令实际上是对RAM选择寄存器R4所指的数据进行操作。
4.1.2 R1 (定时器 /计数器)
由TCC引脚的边沿（由CONT-4：TE设定）或指令周期时钟触发加1操作。
可读写
通过设置PAB(CONT-3)来定义。
如果PAB 位(CONT-3)被清零，可将预除器分配给TCC。
只有当写入TCC寄存器时，预分频计数器的内容被请零。
4.1.3 R2 (程序计数器)和堆栈
根据控制器的类型，R2和硬件堆栈为10位宽。参见图3所示的程序计数器结构图。
产生1024×13位片内OTP ROM 地址以获取对应的程序指令编码。一个程序页是
1024字长。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
•7
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
在复位状态下R2所有位被清零 。.
"JMP"指令直接装载R2低10位值。因此 "JMP"可以让 PC在一个程序页中任意跳转。
"CALL"指令装载PC的低10 位值，并将PC+1的值入栈。因此子程序的入口地址可以
在一个程序页任意地方。
"RET" ("RETL k", "RETI")指令将栈顶的数据装载到PC中。
"ADD R2, A"允许把A的内容加到当前PC上，同时PC的第9位和第10位被清零。
"MOV R2, A" 允许将A寄存器的内容装载到PC的低8位，同时PC的第9位和第10位
被清零。.
任何对R2进行直接修改的指令 （如： "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6",⋅⋅⋅⋅⋅） 都
将会引起PC的第9、10位清零，因此产生的跳转只限于一程序页前256个地址。
除了改变R2的指令需要2个指令周期外，其余的指令只需要一个指令周期。
R3
A11 A10 A9 A8
A7
~
A0
Hardware Vector
Software Vector
On-chip Program
Memory
Stack Level 1
Stack Level 2
Stack Level 3
Stack Level 4
Stack Level 5
00 PAGE0 0000~03FF
01 PAGE1 0400~07FF
10 PAGE2 0800~0BFF
11 PAGE3 0C00~0FFF
User Memory
Space
CALL
RET
RETL
RETI
000H
001H
002H
Reset Vector
FFFH
图 3 程序计数器结构图
4.1.4 R3 (Status Register)
7
6
5
4
3
2
1
0
GP
PS1
PS0
T
P
Z
DC
C
第0位 (C)
进位标志。
第1位 (DC) 辅助进位标志。
第2位 (Z)
零标志位。
当算术运算或逻辑运算的结果为0时，该位置1。
第3位 (P)
低功耗位。
执行 "WDTC"指令或上电后该位置1，执行 "SLEP" 指令后该位清零。
8•
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
第4位 (T)
时间溢出位。
执行 "SLEP"和 "WDTC" 指令或上电后该位置1，当 WDT 溢出时清零。
第5 ~6 位 (PS0-PS1) 页面选择位。PS0，PS1用于选择程序存储器页面。
当执行“JMP＂，“CALL＂或其它改变R2的指令时，PS0、PS1被装入
PC的第11，12位，以选择一个程序页面。注意：RET，RETI、RETL指令
不改变PS0、PS1。也就是说，直接返回到子程式被调用的页面，不管当
前PS0、PS1值。
PS1
PS0
Program memory page [Address]
0
0
Page 0 [000-3FF]
0
1
Page 1 [400-7FF]
1
0
Page 2 [800-BFF]
1
1
Page 3 [C00-FFF]
第位7（GP）通用读写位。
4.1.5 R4 (RAM 选择寄存器)
第 0~5 位在间接寻址方式中用于选择寄存器(地址： 00~3F)。
第6~7 位用于选择寄存器组BANK0-3。
如果不作为间址寻址使用，RSR也可被用作通用读写寄存器
参见图4 数据存储结构图。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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•9
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Aaddress
R PAGE registers
IOC PAGE registers
00
R0
(Indirect Addressing Register)
Reserve
01
R1
(Time Clock Counter)
02
R2
(Program Counter)
Reserve
03
R3
(Status Register)
Reserve
04
R4
(RAM Select Register)
Reserve
05
R5
(Port5)
IOC5
(I/O Port Control Register)
06
R6
(Port6)
IOC6
(I/O Port Control Register)
07
R7
(Port7)
IOC7
(I/O Port Control Register)
CONT (Control Register)
08
General Register
Reserve
09
General Register
Reserve
0A
General Register
Reserve
0B
General Register
0C
General Register
Reverse
0D
General Register
Reverse
0E
General Register
IOCE
(WDT,SLEEP2,Open Drain,R -Option
Control Register)
0F
General Register
IOCF
(Interrupt Mask Register)
10
︰
1F
General Registers
20
：
3E
Bank0
3F
R3F
Bank1
Bank2
IOCB
(Wake-Up Control Register for Port6 )
Bank3
(Interrupt Status Register)
图 4 数据存储器分配图
10 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.1.6 R5 ~ R7 (Port 5 ~ Port 7)
R5、R6、R7 是输入/输出寄存器。
4.1.7 R8-R1F and R20-3E (通用寄存器)
R8-R1F，and R20-R3E（包括Bank0-3）是通用寄存器
4.1.8 R3F (中断状态寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
EXIF
-
-
TCIF
第 0 位(TCIF) TCC 溢出中断标志。当 TCC 溢出时置1，软件清零。
第 3 位(EXIF) 外部中断标志。由/INT引脚的下降沿置1，软件清零。
第 1、2、4 ~ 7位 未用。
“1” 表示有中断申请， “0” 表示没有中断发生。
R3F 可通过指令清零，但不能置1。
IOCF 是中断屏蔽寄存器。
注意：读 出的R3F的值是 R3F和 IOCF逻辑与的结果。
4.2 特殊功能寄存器
4.2.1 A (累加器)
用于内部数据传输，指令操作数保持。
不可寻址。
4.2.2 CONT (控制寄存器)
7
6
5
4
3
2
1
0
/PHEN
/INT
TS
TE
PAB
PSR2
PSR1
PSR0
第0位 ~ 第 2 位(PSR0~ PSR2) 是TCC/WDT 预分频位。
PSR2
PSR1
PSR0
TCC Rate
WDT Rate
0
0
0
1:2
1:1
0
0
1
1:4
1:2
0
1
0
1:8
1:4
0
1
1
1:16
1:8
1
0
0
1:32
1:16
1
0
1
1:64
1:32
1
1
0
1:128
1:64
1
1
1
1:256
1:128
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 11
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
第 3 位(PAB) 预除器分配位。
0：TCC
1：WDT
第 4 位(TE)
TCC 信号沿选择位。
0：当TCC引脚发生由低到高的变化时R1 加1。
1：当TCC引脚发生由高到低的变化时R1 加1。
第 5 位(TS)
TCC 信号源选择位。
0：内部指令周期时钟。
1：TCC 引脚状态变化。
第 6 位(/INT) 中断允许标志。
0： 由DISI指令或硬件中断屏蔽。
1：由 ENI/RETI 指令允许中断。
第 7 位（/PHEN）是P60-67，P74andP75引脚的上拉使能控制位。
0：使能内部上拉。
1：不使能内部上拉。
CONT寄存器可读写。
4.2.3 IOC5 ~ IOC7 (I/O 口控制寄存器)
"1" 定义相关 I/O 引脚为高阻输入状态， "0"定义相关 I/O 引脚为输出。
IOC5 和 IOC7 寄存器都是可读可写的。
4.2.4 IOCB (P6口唤醒控制寄存器)
7
6
5
4
3
2
1
0
/WUE7
/WUE6
/WUE5
/WUE4
/WUE3
/WUE2
/WUE1
/WUE0
第 0 位(/WUE0) 使能P60 引脚唤醒功能的控制位。
0：使能内部唤醒。
1：禁止内部唤醒。
第 1 位(/WUE1) 使能P61 引脚唤醒功能的控制位。
第 2 位(/WUE2) 使能P62 引脚唤醒功能的控制位。
第 3 位(/WUE3) 使能P63 引脚唤醒功能的控制位。
第 4 位(/WUE4) 使能P64 引脚唤醒功能的控制位。
第 5 位(/WUE5) 使能P65 引脚唤醒功能的控制位。
第 6 位(/WUE6) 使能P66 引脚唤醒功能的控制位。
第 7 位(/WUE7) 使能P67 引脚唤醒功能的控制位。
IOCB 寄存器是可读写的。
12 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.2.5 IOCE (WDT 控制寄存器)
7
6
5
4
3
2
1
0
-
ODE
WDTE
SLPC
ROC
-
-
/WUE
第 0 位(/WUE)
使能P74、P75 引脚唤醒功能的控制位。
0：使能唤醒功能.
1：禁止唤醒功能.
/WUE可读可写。
第 3 位(ROC)
ROC 用于 R-option功能。
置ROC 为1，使能R-option 功能，其引脚P70∼P71的状态可由控制器
读出。 ROC 清零禁止R-option功能。如果R-option 功能被使用，用户
必须使 P71引脚和/或 P70 引脚通过一个430KΩ 外接电阻r (Rex)与
VSS相连。若Rex 接入/未接到VDD， 读到P70 (P71) 的状态是0/1。参
见图7(B)所示。ROC位可读写
第 4位（SLPC）该位由唤醒信号低电平引起硬件触发置1，由软件清0，SLEP用于控制
振荡器的工作。在SLPC位从1变成0時，振荡器被禁止（振荡器停止，
单片机进入休眠模式2），在SLPC位从0变成1，振荡器使能（单片机
由休眠模式唤醒）。为了确保振荡器输出信号稳定，一旦振荡器再次
起振，在执行下条指令前会有18ms1（一个振荡器起振时间）的延时，
唤醒后，如果CODE OPTION中ENWDT为1，则WDT将被使能，休眠
模式2的输入唤醒放框图如图5。
SLPC位可读写。
第 5位（WDTE）看门狗使能控制位
只在CODE OPTION的ENWDT为0时该位才有效，此时WDT是否工作
由WDTE决定。
0：禁止WDT
1：使能WDT
CODE OPTION的ENWDT为1时WDTE无用，也就是，如果ENWDT
为1，无论WDTE为0或1，WDT禁止
WDTE位可读写
注： Vdd = 5V，启动时间 = 16.2ms ± 30%
Vdd = 3V，启动时间 = 19.6ms ± 30%
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 13
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
第6位（ODE）P76及P77脚开漏极使能控制位
0：禁止开漏极输出
1：使能开漏极输出
第1~2及7位
没有使用
4.2.6 IOCF (中断屏蔽寄存器)
7
6
5
4
3
2
1
0
-
-
-
-
EXIE
-
-
TCIE
第 0 位(TCIE) TCIF 中断使能位。
0：禁止 TCIF 中断。
1：使能 TCIF 中断。
第3位 (EXIE) EXIF 中断使能位。
0：禁止 EXIF 中断。
1：使能 EXIF 中断。
第1、2、4~7 位 未用。
通过IOCF中的相关控制位置1，使能各个相关中断。
总中断是由ENI 指令使能，由DISI 指令禁止。参见图9所示。
IOCF 寄存器是可读写的。
/WUE0
Oscillator
Enable
Disable
/WUE1
Reset
Q
PR D
CLK
Q
Clear
VCC
CL
Set
8
/WUE7
from S/W
P60~P67
VCC
/WUE
/PHEN
2
P74~P75
图 5 I/O 口休眠模式与唤醒电路框图
14 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.3 TCC/WDT 和预除器
TCC 或WDT 有一个8位计数器做预除器。在同一时间它只能分配给其中一方，这由
CONT 寄存器的PAB 位决定。PSR0~PSR2位确定分频系数。若分配给TCC ，在TCC
模式下则每次写TCC 操作均将预除器清0 。若分配给WDT ，则WDT 和预除器均在执行
WDTC 或SLEP指令时清0 。图6 详细描述了TCC/WDT电路特性。
R1(TCC)为8 位定时器/计数器。TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟（由TCC 引脚输
入，触发沿可选择）。如果是内部时钟，每个指令周期TCC 加1（无预除器）。由图6 可
知，指令周期是2 个还是4个时钟周期由代码选择寄存器CLKS 位决定。CLKS=0 则
CLK=Fosc/2 ，CLKS=1 则CLK=Fosc/4 。如果是外部时钟，则TCC 由外部信号边沿触
发。
WDT 是一个自由运行的片内RC 振荡器。当控制器振荡关闭后，WDT 依然运行，即使
在睡眠模式下亦如此。WDT溢出将引起复位（若WDT 使能）。在正常工作时，WDT 可
由软件设置IOCE的WDTE 位来使能或禁止。在没有预分频情况下，WDT溢出时间约为
18ms2。
Data Bus
CLK(=Fosc/2 or Fosc/4)
0
TCC
Pin
1
1
M
U
X
0
M
U
X
SYNC
2 cycles
TE
TS
TCC (R1)
TCC overflow interrupt
PAB
0
WDT
1
WTE
(in IOCE)
M
U
X
8-bit Counter
PAB
8-to-1 MUX
M
U
X
IOCA
PAB
PSR0~PSR2
0
Initial
value
1
MUX
PAB
WDT time-out
图 6 TCC 和 WDT 模块图
4.4 I/O 端口
I/O端口P5 、P6、P7 均为双向三态I/O口。可以由CONT、IOCE分别设置为上拉电阻、
R-option、漏级开路功能。P6 口、P74和P75具有输入变化唤醒功能。每个I/O引脚能被
I/O控制寄存器（IOC5-IOC7）置为输入或输出。 I/O 寄存器和 I/O 控制寄存器都是可读
可写的。 P5 、P6和P7的I/O 接口电路I见图 7(a)，7(b)。
注： Vdd = 5V，启动时间 = 16.2ms ± 30%
Vdd = 3V，启动时间 = 19.6ms ± 30%
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 15
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
PCRD
Q PR D
PCWR
CLK
Q
CL
IOD
Q PR D
PORT
PDWR
CLK
Q
0
1
CL
M
U
X
PDRD
图 7 (a) I/O 端口和 I/O 控制寄存器电路
PCRD
VCC
ROC
Q PR D
Weakly
Pull- up
PCWR
CLK
Q
PORT
CL
Q
PR
Q
CL
IOD
D
PDWR
CLK
0
Rex*
1
PDRD
M
U
X
*The Rex is 430K ohm external resistor
图 7(b) 具有 R-option(P70,P71)功能的 I/O 口电路
16 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.5 复位和唤醒
4.5.1 复位
复位由下列情况之一引起：
(1) 上电复位。
(2) /RESET 引脚输入低电平。
(3) WDT 溢出（若使能）。
在复位动作被检测到之后，单片机保持复位状态18ms3 (振荡器起振时间) 。一旦复位发
生，单片机将会执行下列功能。参见图8。
振荡器振荡或起振。
PC 都置为1 。
上电时，R3的Bit5-6，R4的Bit7-6清0。
所有I/O 引脚定义为输入模式（高阻状态）。
WDT 和预除器清0 。
上电时，R3的Bit5-6清0 。
上电时，R4的Bit7-6清0 。
CONT 寄存器除第6 位（INT 标志）外，全置为1 。
IOCB 寄存器全置为1（P60-67唤醒功能禁止）。
IOCE 寄存器第0、4、5 位置1 ，第3 、6 位清0 。
R3F 、IOCF 寄存器第0、3 位清0 。
执行SLEP指令可进入睡眠模式（低功耗模式）。进入睡眠模式时，WDT（若使能）清0
但
继续运行。单片机可被如下情况唤醒：
(1) /RESET引脚上输入的外部复位信号。
(2) WDT溢出(若使能)。
以上两种情况会引起EM78P447N复位，R3的T、P标志位用于判断复位产生原因。
除了基本的休眠模式1，EM78P447N还有休眠模式2，它由IOCE寄存器的SLPC清0产
生。在休眠模式2下，单片机可由下列条件唤醒：
(A) 任何一个唤醒引脚为低电平，如图5所示。唤醒后控制器将继续向下执行指令。在这
种条件下，当进入SLEEP2模式之前，触发源(P60~P67 和 P74~P75)的唤醒功能应
注： Vdd = 5V，启动时间 = 16.2ms ± 30%
Vdd = 3V，启动时间 = 19.6ms ± 30%
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 17
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
当选择（如，设为输入脚）和使能（如，设置上拉和唤醒控制）。应当注意到如果在
CODE OPTION的ENWDT位为“0＂，则在唤醒后，WDT将被使能。所以，WDT的
操作（使能或禁止）应当在软件中进行适当的处理。
(B) WDT 定时器溢出（若使能）或在/RESET引脚有外部复位输入，都会引起控制器复
位。
表4 Sleep2及Sleep1模式的使用
Sleep2及Sleep1模式的使用
SLEEP2
SLEEP1
(a) 进入SLEEP2之前的操作
1. 设置P6口或P74或P75为输入口
2. 使能上拉及设置WDT的预分频大
于1：1（设置CONT.7及
CONT.3~CONT.0）
3. 使能唤醒功能（设置IOCB或
IOCE.0）
4. 执行Sleep2(设置IOCE.4)
(b) 唤醒之后的操作
1. 执行下一条指令
2. 禁止唤醒功能
3. 禁止WDT（设置IOCE.5）
(a) Sleep1之前的操作
1. 执行SLEP指令
(b) 唤醒之后的操作
1. 复位
如果想用P6口输入状态变化来唤醒EM78P447N，这如下指令在进入SLEEP2模式之前
必须被执行：
MOV
A, @11111111b
IOW
R6
MOV
A, @0xxx1010b
;设置P6为上拉及WDT的预分频，WDT预分频必须大
于1：1
MOV
A, @00000000b
; 使能P6口的输入唤醒功能
IOW
RB
MOV
A, @xx00xxx1b
;设置P6口为输入
CONTW
; 进入SLEEP2模式
IOW
RE
唤醒之后的
操作
NOP
18 •
MOV
A, @11111111b
IOW
RB
MOV
A, @ xx01xxx1b ; 禁止WDT
IOW
RE
;禁止P6口的输入唤醒功能
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
注意
从SLEEP2模式唤醒之后，WDT自动地被使能。从SLEEP2唤醒之后WDT是使能
/禁止状态应在软件里做准确的定义。
为了避免MCU被唤醒后进入复位，这WDT的预分频必须设为大于1：1的比率。
表 7 寄存器初始化值
Address Name
Reset Type
Bit Name
N/A
N/A
N/A
N/A
0x00
0x01
0x02
IOC5
IOC6
IOC7
CONT
R0(IA
R)
R1(T
CC)
R2(P
C)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
C57
C56
C55
C54
C53
C52
C51
C50
Type
A
B
A
B
A
B
A
B
-
-
-
-
Power-On
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
0
P
0
P
0
P
0
P
P
P
P
P
Bit Name
C67
C66
C65
C64
C63
C62
C61
C60
Power-On
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
C77
C76
C75
C74
C73
C72
C71
C70
Power-On
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
/PHEN
/INT
TS
TE
PAB
PSR2
PSR1
PSR0
Power-On
1
0
1
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
1
P
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
-
-
-
-
-
-
-
Power-On
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
-
-
-
-
-
-
-
Power-On
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
-
-
-
-
-
-
-
Power-On
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
1
1
1
1
1
1
1
1
**0/P
**0/P
**0/P
**0/P
**0/P
**0/P
**0/P
**0/P
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 19
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Address Name
0x03
0x04
0x05
0x06
0x07
0x3F
R3(S
R)
R4(R
SR)
R5(P5
)
R6(P6
)
R7(P7
)
R3F(I
SR)
Reset Type
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Bit Name
GP
PS1
PS0
T
P
Z
DC
C
Power-On
0
0
0
1
1
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
0
0
0
t
t
P
P
P
P
P
P
t
t
P
P
P
Bit Name
RSR.1
RSR.0
-
-
-
-
-
-
Power-On
0
0
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
0
0
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
P57
P56
P55
P54
P53
P52
P51
P50
Power-On
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
P67
P66
P65
P64
P63
P62
P61
P60
Power-On
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
P77
P76
P75
P74
P73
P72
P71
P70
Power-On
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
-
-
-
EXIF
-
-
TCIF
Power-On
U
U
U
U
0
U
U
0
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
U
U
U
U
0
U
U
0
U
U
U
U
P
U
U
P
Bit Name
0x0B
0x0E
0x0F
20 •
IOCB
IOCE
IOCF
/WUE7 /WUE6 /WUE5 /WUE4 /WUE3 /WUE2 /WUE1 /WUE0
Power-On
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
ODE
WDTE
SLPC
ROC
-
-
/WUE
Power-On
U
0
1
1
0
U
U
1
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
U
0
1
1
0
U
U
1
U
P
1
1
P
U
U
P
Bit Name
-
-
-
-
EXIE
-
-
TCIE
Power-On
U
U
U
U
0
U
U
0
/RESET and WDT
U
U
U
U
0
U
U
0
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Address Name
0x08
R8
0x09~0x3 R9~R
E
3E
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Wake-Up from Pin
Change
Reset Type
U
U
U
U
P
U
U
P
Bit Name
-
-
-
-
-
-
-
-
Power-On
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit Name
-
-
-
-
-
-
-
-
Power-On
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET and WDT
Wake-Up from Pin
Change
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
** IOCE寄存器的SLPC位元 1变成0转换后执行一下条指令。
X: 未使用。 U: 未知或无关。 P: 复位前的初值。 t: 对照表 5。
4.5.2 状态寄存器的 RST, T, 和 P
复位可由下列条件之一引起：
1. 上电条件。
2. 复位引脚有一个高-低-高的脉冲。
3. WDT定时器溢出。
以下表6列出RST, T, 和 P的值, 常用来检查控制器是怎样唤醒的。
表 7表示可能影响到 RST, T, 和 P状态的各种情况。
表 8 复位后的 RST, T, 和 P值
Reset Type
T
P
上电
1
1
运行模式下/RESET引脚复位
*P
*P
睡眠1模式下/RESET引脚复位
1
0
睡眠2模式下/RESET引脚复位
*P
*P
运行模式下WDT溢出复位
0
*P
睡眠1模式下WDT溢出唤醒
0
0
睡眠2模式下WDT溢出唤醒
0
*P
睡眠2模式下引脚状态改变唤醒
*P
*P
* P: 复位前状态
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 21
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
表 9 事件对 RST, T,和 P状态的影响
Event
T
P
上电
1
1
WDTC 指令
1
1
WDT 溢出
0
*P
SLEP 指令
1
0
睡眠2模式下引脚状态改变唤醒
*P
*P
* P: 复位前状态
VDD
D
CLK
Oscillator
Q
CLK
CLR
Power-on
Reset
Voltage
Detector
WDTE
WDT
WDT Timeout
Setup Time
RESET
/RESET
图 8 控制器复位功能框图
4.6 中断
EM78P447N有两个中断源：
(1) TCC 溢出中断
(2) 外部中断（/INT引脚）
R3F 是中断状态寄存器，它的相关标志位记录了中断请求状态。 IOCF是中断屏蔽寄存
器。 通过执行指令ENI使能总的中断，通过执行DISI禁止总的中断。 当一个被使能的中
断发生，下一条指令将从地址001H获取。在中断服务程序中，通过轮询R3F的标志位来
确定中断源。 在离开中断服务程序之前，必须用指令清除中断标志以免发生重复中断。
中断状态寄存器(R3F)的标志位(除ICIF位以外)的设置与中断屏蔽寄存器状态或者是否
执行了ENI指令无关。 注意读R3F的输出得到的是R3F和IOCF0的逻辑与的结果 (参见图
12)， RETI指令结束中断程序并使能总的中断(自动执行ENI)。
当一个中断是由INT指令产生（若使能），则下一条指令将从地址002H获取。
22 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
VCC
P
R
D
/IRQn
CLK
C
L
Q
IRQn
INT
_
Q
IRQm
RFRD
RF
ENI/DISI
P
R
Q
IOCF
_
Q
C
L
IOD
D
CLK
IOCFWR
/RESET
IOCFRD
RFWR
图 9 中断输入电路
4.7 振荡器
4.7.1 振荡模式
EM78P447N可在三种不同的振荡模式下运行，例如，高频晶体振荡模式（HXT）和低
频晶体振荡模式（LXT）、外部RC振荡器模式（ERC）。用户可通过编程CODE Option
寄存器的 MS, HLF 及HLP来选择某一种振荡方式。表7描述如何定义这三种模式。
在不同的电源电压VDD下，晶体或陶瓷振荡的最大操作频率列于表8中。
表 8 由MS 和 HLP 定义的振荡模式
Mode
MS
HLF
HLP
ERC(外部RC振荡器模式)
0
*X
*X
HXT(高频晶体振荡模式)
1
1
*X
LXT(低频晶体振荡模式)
1
0
0
注意
1. X， 无关。
2. 在HXT和 LXT之间的系统频率区分点大约为400 KHz。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 23
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
表 9 最大操作频率表
条件
一个指令周期两个时钟
VDD
Fxt max.(MHz)
2.5
4.0
3.0
8.0
5.0
20.0
4.7.2 晶体振荡/陶瓷谐振(XTAL)
EM78P447N可通过OSCI管脚用外部时钟信号驱动，如图10示。
在大多数的应用场所，通过在OSCI和OSCO管脚连接晶体或陶瓷振荡器来产生振荡。如
图12电路所示。无论在HXT或LXT振荡模式，都可以应用这种电路。表10列出建议的电
容C1和C2的值。由于每一种谐振器都有自己的特性，用户应根据它们的特性选择合适
的C1和C2的值。RS，串联电阻，在AT切片的晶体或低频模式是必要的。
Ext. Clock
OSCI
OSCO
EM 78P447S
图 10 外部时钟输入电路
C1
OSCI
EM 78P447S
XTAL
OSCO
C2
RS
图 11 晶体或陶瓷振荡电路
表 10陶瓷谐振器及晶体谐振器电容选择参考
Oscillator Type
Frequency Mode
Frequency
C1(pF)
C2(pF)
陶瓷谐振器
HXT
455 kHz
2.0 MHz
4.0 MHz
100~150
20~40
10~30
100~150
20~40
10~30
LXT
32.768kHz
100KHz
200KHz
25
25
25
15
25
25
455KHz
1.0MHz
2.0MHz
20~40
15~30
15
20~150
15~30
15
4.0MHz
15
15
晶体振荡器
HXT
24 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.7.3 外部RC振荡模式
在一些对时序要求不太严格的地方，RC振荡可节省许多成本。然而，应当注意到RC振
荡器的振荡频率会受到电源电压、电阻（Rext）值的大小、电容（Cext）甚至环境温度
的影响。而且，由于制造工艺的不同，不同芯片的频率也会有微小的差异。
为了维持一个比较稳定的系统频率，建议电容值不要小于20pF,电阻值不要大于1M ohm.
如果不能保证在该范围内，频率就会很容易受到噪音、湿度、漏电流的影响。
在RC振荡模式中，Rext越小，振荡频率越高。但是，Rext的值越低，例如，1KΩ，由
于NMOS不能准确的通过电容放电，所以振荡器将变的不稳定。
基于以上原因，必须牢记操作电压、构成RC振荡器的元件、封装形式、PCB的布线都
将影响系统的振荡频率。
VCC
Rext
OSCI
Cext
EM 78P447S
图 12 外部 RC 振荡器模式
表 4 RC振荡器频率
Cext
20 pF
100 pF
300 pF
Rext
Average Fosc 5V,25°C
Average Fosc 3V,25°C
3.3k
4.32 MHz
3.56 MHz
5.1k
2.83 MHz
2.8 MHz
10k
1.62MHz
1.57 MHz
100k
184 KHz
187 KHz
3.3k
1.39 MHz
1.35 MHz
5.1k
950 KHz
930 KHz
10k
500 KHz
490 KHz
100k
54KHz
55 KHz
3.3k
580 KHz
550 KHz
5.1k
390 KHz
380 KHz
10k
200 KHz
200 KHz
100k
21 KHz
21 KHz
注意
1. 以DIP封装测量
2. 仅供参考
3.这频率的漂移大约在±30%。
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• 25
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.8 代码选项寄存器（CODE Option Register）
EM78P447N 有一个代码选项字, 它们不是程序存贮器的一部分。程式执行期间不能对
选项位寻址。
代码配置寄存器及用户ID寄存器的分配情况：
Word 0
Word 1
Bit12~Bit0
Bit12~Bit0
1、代码配置字（字0）
Word 0
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
-
-
EC
-
CLK
S
ENW
DTB
TYP
E
HLF
OSC
HLP
PR2
PR1
PR0
Bit 12、11：未用
保留；
这些位在任何时候都设为“1＂
Bit 10(EC): 错误恢复位
0：使能
1：禁止
Bit 9：
未用
保留；
这位在任何时候都设为“0＂
Bit 8 (CLKS): 指令时间选择位。
0: 两个振荡器时间
1: 四个振荡器时间
参考指令集部份介绍。
Bit 7(ENWDTB): WDT定时器使能位。
0: 使能
1: 禁上
Bit 6(TYPE): EM78P447NA 或 B 类型选择位
0: EM78P447NB
1: EM78P447NA
26 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Bit 5 (HLF): XTAL 晶体频率选择位
0: XTAL2 型 (低频, 32.768KHz)
1: XTAL1 型 (高频)
这一位仅当Bit12(MS)位为“1”时可选，当Bit12(MS)位为“0”，则HLF位必须
置为“0”。
注意
判断HXT 和 LXT的频率点约为 400 KHz.
Bit 4(OSC): 振荡器类型选择。
0: RC 型
1: XTAL 型(XTAL1 和 XTAL2)
Bit 3 (HLP): 功率选择位。
0: 低功耗
1: 高功耗
Bit 2~0 (PR2~PR0): 代码保密位
PR2~PR0 是保护位, 对应保护类型如下表
PR2
PR1
PR0
Protect
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
Enable
Enable
Enable
Enable
Enable
Enable
Enable
Disable
2. 用户ID寄存器（字1）
Word 1
Bit 12~Bit 0
XXXXXXXXXXXXX
Bit 12~0:
用户的ID代码
4.9 上电问题
任何微控制器在电源达到稳定之前，都不能保证正确的执行程序。EM78P447N内部有
一个2.0V的上电电压探测器（POVD）。如果电源VDD上升的足够快（10ms或更少），
外部复位电路会具有更好的性能。然而，在许多应用要求严格的情况下，在解决上电复
位问题时，仍然需要其它器件辅助。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
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• 27
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.10 外部上电复位电路
图15中的电路用外部RC产生一个复位脉冲。脉冲的宽度（时间常数）应保持足够长的
时间以使电源达到最小的操作电压。该电路应用在电源电压上升比较慢的情况下。因为
/RESET脚的漏电流大约在±5μA，所以建议R应小于40K。按照这种方法，在/RESET
脚上的电压将在0.2V之下。二极管（D）在掉电时作为短路电路。电容C将快速彻底的
放电。Rin，限流电阻，防止大电流放电或ESD（静电放电）对/RESET脚的冲击。
Vdd
R
/RESET
D
EM78P447S
Rin
C
图 13 外部上电复位电路
4.11 残余电压保护护
当更换电池时，芯片的电源（Vdd）已被拿走但残留电压仍然存在。残留电压可能低于
VDD的最小工作电压，但又不为零，在这种情况下有可能引起不良的上电复位。图16
和图17出示如何建立一个残留电压保护电路。
Vdd
Vdd
33K
EM78P447S
Q1
10K
/RESET
40K
1N4684
图 14 残留电压保护电路 1
28 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Vdd
Vdd
R1
EM78P447S
Q1
/RESET
40K
R2
图 15 残留电压保护电路 2
4.12 指令集
指令集的每条指令为13-bit 的字宽，由操作代码和一个或一个之上的操作数组成。在一
般情况下，如果PC的值在没有被改变的情况下,所有的指令花费一个指令周期（一个指
令周期由两个振荡周期组成），除非PC的值的被"MOV R2,A", "ADD R2,A"指令改变，
或对R2 进行算术、逻辑运算 时(如 "SUB R2,A", "BS(C) R2,6", "CLR R2", ⋅⋅⋅⋅)，在这种
情况下, 指令执行将花费两个指令周期。
如果由于其它的原因，对某一个应用场所指令周期的的特性不适合的话，试着按照以下
方法修改:
(A) 指令周期改为由4个振荡周期组成。
(B) 执行花费两个指令周期的"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI" 命令，或结果为真
的条件转移命令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA") 。有关写PC的指令，都
将花费两个指令周期。
(A) 种的情况由CODE Option的CLK位控制。 如果CLK设为｀0＇，指令周期将由两个振
荡周期构成，如果CLKS设为｀1＇，指令周期将由四个振荡周期构成。
请注意如果在(A) 种情况中选择指令周期将由四个振荡周期构成，那么内部TCC的时钟
源将是CLK=Fosc/4 (不是 Fosc/ 2) ，如图6所示。
另外，指令集有以下特性：
(1) 任何寄存器的每一个 bit 位可以置｀1＇、清零或直接测试。
(2) I/O 寄存器可当作通用寄存器来对待。即，相同的指令可用于I/O 寄存器。
符号 "R" 表示寄存器（包括操作寄存器和通用寄存器）中的某一个指定的寄存器，符号
"b" 表示当前寄存器R的一指定bit位。符号"k" 表示一个 8 或10-bit的常数或立即数。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 29
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
INSTRUCTION
BINARY
HEX
0 0000 0000 0000
0000
NOP
No Operation
None
0 0000 0000 0001
0001
DAA
Decimal Adjust A
C
0 0000 0000 0010
0002
CONTW
A → CONT
None
0 0000 0000 0011
0003
SLEP
0 → WDT, Stop oscillator
T,P
0 0000 0000 0100
0004
WDTC
0 → WDT
T,P
0 0000 0000 rrrr
000r
IOW R
A → IOCR
None
0 0000 0001 0000
0010
ENI
Enable Interrupt
None
0 0000 0001 0001
0011
DISI
Disable Interrupt
None
0 0000 0001 0010
0012
RET
[Top of Stack] → PC
None
0 0000 0001 0011
0013
RETI
[Top of Stack] → PC,
Enable Interrupt
None
0 0000 0001 0100
0014
CONTR
CONT → A
None
0 0000 0001 rrrr
001r
IOR R
IOCR → A
None
0 0000 0010 0000
0020
TBL
R2+A → R2,
Bits 8~9 of R2 unchanged
Z,C,DC
0 0000 01rr rrrr
00rr
MOV R,A
A→R
None
0 0000 1000 0000
0080
CLRA
0→A
Z
0 0000 11rr rrrr
00rr
CLR R
0→R
Z
0 0001 00rr rrrr
01rr
SUB A,R
R-A → A
Z,C,DC
0 0001 01rr rrrr
01rr
SUB R,A
R-A → R
Z,C,DC
0 0001 10rr rrrr
01rr
DECA R
R-1 → A
Z
0 0001 11rr rrrr
01rr
DEC R
R-1 → R
Z
0 0010 00rr rrrr
02rr
OR A,R
A∨R→A
Z
0 0010 01rr rrrr
02rr
OR R,A
A∨R→R
Z
0 0010 10rr rrrr
02rr
AND A,R
A&R→A
Z
0 0010 11rr rrrr
02rr
AND R,A
A&R→R
Z
0 0011 00rr rrrr
03rr
XOR A,R
A⊕R→A
Z
0 0011 01rr rrrr
03rr
XOR R,A
A⊕R→R
Z
0 0011 10rr rrrr
03rr
ADD A,R
A+R→A
Z,C,DC
0 0011 11rr rrrr
03rr
ADD R,A
A+R→R
Z,C,DC
0 0100 00rr rrrr
04rr
MOV A,R
R→A
Z
0 0100 01rr rrrr
04rr
MOV R,R
R→R
Z
0 0100 10rr rrrr
04rr
COMA R
/R → A
Z
0 0100 11rr rrrr
04rr
COM R
/R → R
Z
0 0101 00rr rrrr
05rr
INCA R
R+1 → A
Z
0 0101 01rr rrrr
05rr
INC R
R+1 → R
Z
0 0101 10rr rrrr
05rr
DJZA R
R-1 → A, skip if zero
None
0 0101 11rr rrrr
05rr
DJZ R
R-1 → R, skip if zero
None
0 0110 00rr rrrr
06rr
RRCA R
R(n) → A(n-1),
C
30 •
MNEMONIC
OPERATION
STATUS AFFECTED
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
INSTRUCTION
BINARY
HEX
MNEMONIC
OPERATION
STATUS AFFECTED
R(0) → C, C → A(7)
R(n) → R(n-1),
R(0) → C, C → R(7)
R(n) → A(n+1),
R(7) → C, C → A(0)
R(n) → R(n+1),
R(7) → C, C → R(0)
R(0-3) → A(4-7),
R(4-7) → A(0-3)
0 0110 01rr rrrr
06rr
RRC R
0 0110 10rr rrrr
06rr
RLCA R
0 0110 11rr rrrr
06rr
RLC R
0 0111 00rr rrrr
07rr
SWAPA R
0 0111 01rr rrrr
07rr
SWAP R
R(0-3) ↔ R(4-7)
None
0 0111 10rr rrrr
07rr
JZA R
R+1 → A, skip if zero
None
0 0111 11rr rrrr
07rr
JZ R
R+1 → R, skip if zero
None
0 100b bbrr rrrr
0xxx
BC R,b
0 → R(b)
None
0 101b bbrr rrrr
0xxx
BS R,b
1 → R(b)
None
0 110b bbrr rrrr
0xxx
JBC R,b
if R(b)=0, skip
None
0 111b bbrr rrrr
0xxx
JBS R,b
if R(b)=1, skip
None
None
C
C
C
None
1 00kk kkkk kkkk
1kkk
CALL k
PC+1 → [SP],
(Page, k) → PC
1 01kk kkkk kkkk
1kkk
JMP k
(Page, k) → PC
None
1 1000 kkkk kkkk
18kk
MOV A,k
k→A
None
1 1001 kkkk kkkk
19kk
OR A,k
A∨k→A
Z
1 1010 kkkk kkkk
1Akk
AND A,k
A&k→A
Z
1 1011 kkkk kkkk
1Bkk
XOR A,k
A⊕k→A
Z
1 1100 kkkk kkkk
1Ckk
RETL k
k → A, [Top of Stack] → PC
None
1 1101 kkkk kkkk
1Dkk
SUB A,k
k-A → A
Z,C,DC
1 1110 0000 0010
1E02
INT
PC+1 → [SP], 002H → PC
None
1 1111 kkkk kkkk
1Fkk
ADD A,k
k+A → A
Z,C,DC
注意
这个指令只能应用于IOC5 ~ IOC7, IOCB, IOCE, IOCF。
建议这个指令不用于对R3F的操作。
这个指令不能操作R3F。
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 31
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
4.13 时序图
AC T est Inp ut/O u tp ut W aveform
2.4
2.0
0.8
TE S T P O IN TS
2.0
0.8
0.4
AC T estin g : In p u t is d riv en at 2.4V fo r lo g ic "1",an d 0.4V fo r lo g ic "0".T im in g m easu rem en ts are
m ad e at 2.0V fo r lo g ic "1",an d 0.8V fo r lo g ic "0".
R E S E T Tim ing (C L K ="0")
NOP
In stru ction 1
E xe cu te d
CLK
/R E S E T
T d rh
TC C In p ut Tim ing (C L K S ="0")
T in s
CLK
TCC
T tcc
32 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
绝对最大值
5
Items
Rating
Temperature under bias
-40°C
to
85°C
Storage temperature
-65°C
to
150°C
Input voltage
VSS-0.3V
to
VDD+0.5V
Output voltage
VSS-0.3V
to
VDD+0.5V
Operating Frequency (2clk)
32.768KHz
to
20MHz
2.5V
to
5.5V
Operating Voltage
电参数
6
6.1 直流电参数
( Ta= 0°C ~ 70 °C, VDD= 5.0V±5%, VSS= 0V )
Symbol
FXT
ERC
IIL
VIH1
VIL1
VIHT1
VILT1
VIHX1
VILX1
VIH2
VIL2
VIHT2
VILT2
VIHX2
VILX2
VOH1
VOL1
Parameter
Condition
Min
Typ.
Max
Unit
XTAL: VDD to 2.3V
Two cycle with two clocks
DC
4.0
MHz
XTAL: VDD to 3V
Two cycle with two clocks
DC
8.0
MHz
XTAL: VDD to 5V
Two cycle with two clocks
DC
20.0
MHz
ERC: VDD to 5V
Input Leakage Current for
input pins
Input High Voltage
(VDD=5V)
Input Low Voltage
(VDD=5V)
Input High Threshold
Voltage (VDD=5V)
Input Low Threshold
Voltage (VDD=5V)
Clock Input High Voltage
(VDD=5V)
Clock Input Low Voltage
(VDD=5V)
Input High Voltage
(VDD=3V)
Input Low Voltage
(VDD=3V)
Input High Threshold
Voltage (VDD=3V)
Input Low Threshold
Voltage (VDD=3V)
Clock Input High Voltage
(VDD=3V)
Clock Input Low Voltage
(VDD=3V)
Output High Voltage
(Ports 5, 6, 7)
Output Low Voltage
(Ports 5, 6)
R: 5.1KΩ, C: 100 pF
F±30%
KHz
±1
µA
F±30%
VIN = VDD, VSS
Ports 5, 6
2.0
Ports 5, 6
/RESET, TCC
2.0
3.5
/RESET, TCC
1.5
OSCI
1.5
IOH = -10.0 mA
IOL = 9.0 mA
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
V
V
0.4
2.1
OSCI
V
V
0.4
/RESET, TCC
V
V
1.5
Ports 5, 6
V
V
0.8
OSCI
Ports 5, 6
V
0.8
/RESET, TCC
OSCI
950
V
V
0.9
2.4
V
V
0.4
V
• 33
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Symbol
Parameter
IPH
Output Low Voltage
(Port7)
Pull-high current
ISB1
Power down current
ISB2
Power down current
VOL2
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
Operating supply current
(VDD=3V)
at two cycles/four clocks
Operating supply current
(VDD=3V)
at two cycles/four clocks
Operating supply current
(VDD=5V)
at two cycles/two clocks
Operating supply current
(VDD=5V)
at two cycles/four clocks
Condition
Min
Typ.
Max
Unit
0.4
V
-240
µA
1
µA
7
µA
25
30
µA
30
35
µA
2.2
mA
5.0
mA
IOL = 14.0 mA
Pull-high active, input pin at VSS
All input and I/O pins at VDD,
output pin floating, WDT disabled
All input and I/O pins at VDD,
output pin floating, WDT enabled
/RESET= 'High', Fosc=32KHz
(Crystal type,CLKS="0"), output
pin floating, WDT disabled
/RESET= 'High', Fosc=32KHz
(Crystal type,CLKS="0"), output
pin floating, WDT enabled
/RESET= 'High', Fosc=4MHz
(Crystal type, CLKS="0"), output
pin floating, WDT enabled
/RESET= 'High', Fosc=10MHz
(Crystal type, CLKS="0"), output
pin floating, WDT enabled
-50
-100
15
6.2 交流电参数
(Ta=0°C ~ 70 °C, VDD=5V±5%, VSS=0V)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
45
50
55
%
Dclk
Input CLK duty cycle
Tins
Instruction cycle time
(CLKS="0")
Ttcc
TCC input period
Tdrh
Device reset hold time
Ta = 25°C
11.3
Trst
/RESET pulse width
Ta = 25°C
2000
Twdt
Watchdog timer period
Ta = 25°C
11.3
Tset
Input pin setup time
0
ns
Thold
Input pin hold time
20
ns
Tdelay
Output pin delay time
50
ns
Crystal type
100
DC
ns
RC type
500
DC
ns
(Tins+20)/N*
Cload=20pF
ns
16.2
21.6
ms
ns
16.2
21.6
ms
N= 选择的预除器比率。
数据在5V，25°C情况测得
34 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
6.3 设备特性
这下面几页所提供的图解是来源于有限数量样品的测试及只涉及相关的特性被列出。设
备特性曲线在这里不保证它的精确性。在一些情况下，数据有可能超出所指定的允许的
操作范围内。
Vih/Vil (Input pins with schmitt inverter)
2
Vih max(-40℃ to 85℃ )
Vih typ 25℃
Vih min(-40℃ to 85℃)
Vih Vil(Volt)
1.5
1
Vil max(-40℃ to 85℃ )
Vil typ 25℃
Vil min(-40℃ to 85℃)
0.5
0
2.5
3
3.5
4
Vdd(Volt)
4.5
5
5.5
图 16 Vih, Vil of TCC, /INT, /RESET Pin
Vth (Input thershold voltage) of I/O pins
2
1.8
1.6
Vth(Volt)
1.4
Typ 25 ℃
Max (-40 ℃ to 85 ℃)
1.2
Min (-40 ℃ to 85 ℃)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.5
3
3.5
4
VDD(Volt)
4.5
5
5.5
图 17 Vth（起始电压）of P60~P67, P70~P77 VS. VDD
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 35
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Voh/Ioh (VDD=3V)
Voh/Ioh (VDD=5V)
-5
-2
-10
-4
Ioh(mA)
0
Ioh(mA)
0
Min 85 ℃
Min 85 ℃
-6
-15
Typ 25 ℃
Typ 25 ℃
-8
-20
Max -40℃
Max -40℃
-10
-25
0
1
2
3
4
0
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Voh(Volt)
Voh(Volt)
图 18 Port5, Port6, and Port7 Voh vs. Ioh,
图 19 Port5, Port6, and Port7 Voh vs. Ioh,
VDD=5V
VDD=3V
Vol/Iol (VDD=5V)
Vol/Iol (VDD=3V)
90
40
Max -40 ℃
80
35
Max -40 ℃
70
30
Typ 25 ℃
60
Iol(mA)
Iol(mA)
25
50
Min 85 ℃
40
Typ 25 ℃
20
Min 85 ℃
15
30
10
20
10
5
0
0
0
1
2
3
4
5
6
Vol(Volt)
图 20 Port5, and Port6 Vol vs, Iol,VDD=5V
36 •
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vol(Volt)
图 21 Port5, and Port6 Vol vs. Iol, VDD=3V
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Vol/Iol (5V)
Vol/Iol (3V)
100
45
90
Max -40 ℃
40
80
Max -40 ℃
35
70
Typ 25 ℃
30
50
Iol(mA)
Iol(mA)
60
Min 85 ℃
Typ 25 ℃
25
20
Min 85 ℃
40
15
30
10
20
5
10
0
0
0
1
2
3
4
5
6
Vol(Volt)
图 22 Port7 Vol vs. Iol, VDD=5V
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vol(Volt)
图 23 Port7 Vol vs. Iol, VDD=3V
• 37
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
WDT Time_out
35
30
Max 85 ℃
WDT period (mS)
25
20
Max 75 ℃
Typ 25 ℃
15
Min 0℃
Min -40℃
10
5
0
2
3
4
5
VDD (Volt)
6
图 24 WDT Time Out Period vs. VDD, Prescaler Set to 1 : 1
38 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Cext=100pF, Typical RC OSC Frequency
1.4
R = 3.3 k
Frequency(M Hz)
1.2
1
R = 5.1 k
0.8
0.6
R = 10 k
0.4
0.2
R = 100 k
0
2.5
3
3.5
4
4.5
VDD(Volt)
5
5.5
图 25 Typical RC OSC Frequency vs. VDD （Cext=100pF, Temperature at 25 ℃）
ERC OSC Frequency vs Temp.(Cext=100pF, Rext=5.1K)
1.005
Fosc/Fosc(25℃)
1
0.995
3V
5V
0.99
0.985
0.98
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature(℃)
图 26 Typical RC OSC Frequency vs. Temperature（R and C are ideal component）
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 39
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
四种工作条件（ICC1到ICC4）下的工作电流，工作条件如下：
ICC1：VDD=3V, Fosc=32 kHz, 2clock, WDT disable.
ICC2：VDD=3V, Fosc=32 kHz, 2clock, WDT enable.
ICC3：VDD=5V, Fosc=4 MHz, 2clock, WDT enable.
ICC4：VDD=5V, Fosc=10 MHz, 2clock, WDT enable.
Typical ICC1 and ICC2 vs. Temperature
Current (uA)
21
Typ ICC2
18
Typ ICC1
15
12
9
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 27 Typical Operating Current（ICC1 and ICC2） vs. Temperature
Maximum ICC1 and ICC2 vs. Temperature
Current (uA)
27
Max ICC2
24
Max ICC1
21
18
15
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 28 Maximum Operating Current（ICC1 and ICC2） vs. Temperature
40 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Current (mA)
Typical ICC3 and ICC4 vs. Temperature
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
Typ ICC4
Typ ICC3
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 29 Typical Operating Current（ICC3 and ICC4） vs. Temperature
Maximum ICC3 and ICC4 vs. Temperature
4.5
Max ICC4
Current (mA)
4
3.5
3
2.5
Max ICC3
2
1.5
1
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 30 Maximum Operating Current（ICC3 and ICC4） vs. Temperature
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 41
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
两种条件（ISB1、ISB2）下所消耗的电流，条件如下：
ISB1：VDD=5V, WDT disable
ISB2：VDD=5V, WDT enable
Typical ISB1 and ISB2 vs. Temperature
Current (uA)
12
9
Typ ISB2
6
3
Typ ISB1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 31 Typical Standby Current（ISB1 and ISB2） vs. Temperature
Maximum ISB1 and ISB2 vs. Temperature
15
Current (uA)
12
Max ISB2
9
6
3
Max ISB1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (℃)
Fig. 32 Maximum Standby Current（ISB1 and ISB2） vs. Temperature
42 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
Operating voltage (-40℃~85℃)
Frequency (M Hz)
25
20
15
10
5
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
VDD (Volt)
Fig. 33 Operating Voltage In Temperature Range from -40 ℃ to 85 ℃
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 43
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
EM78P447N HXT I-V
3
2.5
I(mA)
2
1.5
max
1
min
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
Volt(V)
Fig. 34 EM78P447N I-V Curve Operating at 4 MHz
EM78P447N LXT I-V
40
35
30
I(uA)
25
max
20
15
min
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
Volt(V)
Fig. 35 EM78P447N I-V Curve Operating at 32.768KHz
44 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
附录
A 封装类型
OTP MCU
Package Type
Pin Count
Package Size
EM78P447NCP
DIP
20
300 mil
EM78P447NCM
SOP
20
300 mil
EM78P447NDK
Skinny DIP
24
300 mil
EM78P447NDM
SOP
24
300 mil
EM78P447NAP
DIP
28
600 mil
EM78P447NAM
SOP
28
300 mil
EM78P447NAS
SSOP
28
209 mil
EM78P447NBP
DIP
32
600 mil
EM78P447NBWM
SOP
32
450 mil
B 封装信息
B.1 20-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 300 mil
Symbal
A
A1
A2
c
D
E1
E
eB
B
B1
L
e
θ
Min
0.381
3.175
0.203
25.883
6.220
7.370
8.510
0.356
1.143
3.048
0
Normal
Max
4.450
3.302
3.429
0.254 0.356
26.060 26.237
6.438
6.655
7.620
7.870
9.020
9.530
0.457 0.559
1.524 1.778
3.302 3.556
2.540(TYP)
15
A1
A2
E
TITLE:
PDIP-20L 300MIL PACKAGE OUTLINE
DIMENSION
File :
D20
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 45
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
B.2 24-Lead plastic dual inline skinny package（DIP）－ 300 mil
13
24
E
12
Min
0.381
3.175
0.203
31.750
6.426
7.370
8.380
0.356
1.470
3.048
0
Normal
Max
5.334
3.302
3.429
0.254
0.356
31.801 31.852
6.628
6.830
7.620
7.870
8.950
9.520
0.457
0.559
1.520
1.630
3.302
3.556
2.540(TYP)
15
A1
A2
1
Symbal
A
A1
A2
c
D
E1
E
eB
B
B1
L
e
θ
e
TITLE:
PDIP-24L SKINNY 300MIL PACKAGE
OUTLINE DIMENSION
File :
K24
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
B.3 28-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 600 mil
46 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
B.4 32-Lead plastic dual inline package（DIP）－ 600 mil
B.5 20-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil
Symbal
A
A1
b
c
E
H
D
L
e
θ
b
Min
2.350
0.102
Normal
Max
2.650
0.300
0.406(TYP)
0.230
7.400
10.000
12.600
0.630
0
0.838
1.27(TYP)
0.320
7.600
10.650
12.900
1.100
8
e
c
TITLE:
SOP-20L(300MIL) PACKAGE OUTLINE
DIMENSION
File :
SO20
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 47
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
B.6 24-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil
Symbal
A
A1
b
c
E
H
D
L
e
θ
b
Min
2.350
0.102
Normal
Max
2.650
0.300
0.406(TYP)
0.230
7.400
10.000
15.200
0.630
0
0.838
1.27(TYP)
0.320
7.600
10.650
15.600
1.100
8
e
c
TITLE:
SOP-24L(300MIL) PACKAGE OUTLINE
DIMENSION
File :
SO24
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
B.7 28-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil
48 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
B.8 32-Lead plastic small outline package（SOP）－ 300 mil
B.9 28-Lead Shrink Small Outline Package（SSOP）－ 209 mil
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
• 49
EM78P447N
8-Bit Microcontroller
50 •
Product Specification (V1.1) 03.30.2005
(This specification is subject to change without further notice)
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