AP3400S

AP3400S 。iW AIIP ER DATA SHEET 。 N-Channel p wer MOSFET Descriptions 描述I SOT23塑封封装N道MOS场效应管o N- CHA NNEL MOSFET in a SOT23 Plastic Package. Features 特征I Vos(V) 30V lo = 5.8 A (VGs = = 10V) RoscoN) < 29m0 (VGs = 1 OV) RoscoN) < 33m0 (VGs = 4.5V) 。 Rose N)< 52m0 (VGs = 2.5V) 用途l Applications 适用于作负载开关或脉宽调制应用． This device is suitable for use as a load switch O 「 in PWM applications. 内部等放电瞌l Equivalent Circuit J G 冒l脚排列 2 PIN1: S 印章代回I PIN2: G PIN3: D Marking �些 All Power Semiconduct。「co.,Ltd v1.0 AP3400S 。iW AIIP ER DATA SHEET 。 N-Channel p wer MOSFET 。 q 极限参踉I Abs lute Maximum Ratings(Ta=25。 符号 Symbol 数值 RatinQ Vos 30 v D 「ain Current - Continuous lo 5.8 A D 「ain Current- Continuous lo(Ta=70 ℃） 4.9 A Pulsed Drain Current loM 30 A Gate-Source Voltage VGs ±12 Po 1.4 Po(Ta= 70 ℃） 1.0 TJ, Tsrn -55 to�O 参数 Parameter Drain-Source Voltage 。 。 Total Power Dissipati。n Operating and St。rage Juncti。n Temperature T tal Power Dissipati n RanQe All Power Semiconduct。「co.,Ltd """" 2 单位 Unit v w ／型＼ ..I” ／ �？ ,9) 咱－ ... """" ＿＿＿＿＿，＿』 v1.0 AP3400S 。iW AIIP ER DATA SHEET 。 N-Channel p wer MOSFET 电参数由纬国 I Electrical Characteristic Curve 25 20 3V 20 16 2.5V 15 12 10 VGs=2V 5 2 Vos w。Its) 3 4 4 。 5 1.5 VG5(Volts) 2 2.5 i． ‘’ 60 1.8 50 巨 0.5 1.6 a。 40 c 1.4 Eι 20 10 5 10 lo(A) 70 10 。 1.0E」06 2 4 。 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 。 0.8 1.0 1.2 Vso W Its) VGs(V Its) 1400 100.0 1200 ｛ ω aEd『 ） 。 － ε 1000 t 日口。 ·.:; 6日口 u 400 c J!I 1.0 2日。 0.1 0.1 10 100 c,,. ＼～」 le 田E ／／ c，且 口 0 V田 （Volts) 5 10 15 V田 All Power Semiconduct。「co.,Ltd 3 w。Its) 20 25 30 v1.0 AP3400S 。iW AIIP ER DATA SHEET 。 N-Channel p wer MOSFET Package Dimensions （／」 T｜ 门U ？＼U qu 外形尺寸固l 单位： MM L Ll A 2 Ll I Syr1bol c b All Power Semiconduct。「co.,Ltd 0.35 Cl c K M 1.50 3 ‘ 10 2.10 1.05 0.55 p 4 DiMensions In MillMeters Min Mo.x l.30Mo.× 1.20 0.90 0.20 0.05 0.10 0.20MIN 7• 。 v1.0 AP3400S 。iW AIIP ER DATA SHEET 。 N-Channel p wer MOSFET 回流焊温匿曲线固｛无锯） 。 。 I Temperature Profile for IR Refl w s ldering(Pb-Free) 350 ρ 30自 245左号℃ ←－s在口－5sec 250 200 150 E t旦' 60- 90 sec 100 。。 � 50 23 40 60 80 1口0 120 140 Time (sec) 1:60 180 200 220 240 .......-..... 260 。 2.80 N te: 说明： ° 1、预热温度25～150 （，时间60-90sec; 2、 峰值温度245±5℃，时间持续为5±0.5sec; 3、 焊接制程冷却速度为2 由 10℃／sec. 酣焊接热试验条件I Time:10±1 sec 温度：260±5℃ Units包装数量 Unit叫Inner Box Inner BoxeslOu怡r Box 只 l金 金l箱 4 30,000 使用说明I Units/Outer Box 只 l箱 120,000 I I 3 Dimension 包装尺寸 (unit: mm ) 阳el Inner Box金 OuterB似箱 1" xa I 21ox2osx2os I 44sx23ox435 Notices All Power Semiconduct。「co.,Ltd 5 v1.0