ES32F3654LT

ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 32 位 MCU ES32F3656 ES32F3655 ES32F3654 ES32F3653 ES32F3651 数 据 手 册  产品简介  数据手册  参考手册 上海东软载波微电子有限公司 2022-04-19 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 基于 ARM Cortex-M3 的 ES32F365x 系列 MCU 内核  ARM 32 位 Cortex-M3 CPU – 最高频率可达 72MHz (3T 96MHz) – 支持 MPU 存储  最大 512K Byte FLASH 存储器  最大 64K Byte SRAM 数据存储  EBI 接口可扩展外部存储 电源、复位  芯片工作电压范围: – 2.6V≤VDD≤5.5V  POR,BOR（支持 16 个阈值选择） ，LVD 时钟  外部高速晶体振荡器: 1~24MHz  内部高速 RC 振荡器: 24 MHz 输出  外部低速晶体振荡器: 32.768KHz  内部低速 RC 振荡器: 32.768KHz  内部超低速 RC 振荡器: 10KHz  PLL 最高可倍频至 96MHz 低功耗模式  支持以下低功耗模式 – SLEEP – STOP1 – STOP2 – STANDBY 系统外设  调试：SWD 串口调试协议  调试配置控制模块（DBGC）  DMA：支持 12 个多路复用通道  PIS：支持 16 个外设互联通道  看门狗定时器：IWDT 和 WWDT  系统节拍定时器 接口资源  通用 I/O：多达 90 个通用 I/O 安全及运算加速单元  CRC  运算加速器    2 路 12 位 DAC：最大采样速率达 500KHz 3 路模拟比较器 温度传感器 定时器  2 路 16 位高级定时器：支持 4 个输入捕捉 和输出比较通道，支持 3 个死区可编程 PWM 互补输出通道，支持刹车功能  2 路 16 位通用定时器：支持 4 路独立的输 入捕捉和输出比较通道  2 路 32 位通用定时器：支持 4 路独立的输 入捕捉和输出比较通道  2 路基本定时器  RTC：支持日历，闹钟等功能 通信接口  2 路 I2C 接口：支持多主模式和总线仲裁； 支持 16 级深度 FIFO  3 路 SPI/I2S 接口：支持 16 级深度 FIFO， I2S 支持主机使用  5 路 UART：带 16 级深度 FIFO，可支持自 动波特率检测， 红外调制功能；其中 UART4 可支持 ISO7816  1 路 CAN：支持 CAN2.0B 产品系列代码 产品代号 ES32F3656LX ES32F3655LX ES32F3654LX ES32F3653LX ES32F3651LX ES32F365x ES32F3656LT ES32F3655LT ES32F3654LT ES32F3653LT ES32F3651LT ES32F3653LQ 模拟  2 路 12 位 ADC：1MSPS，支持 16 个外部 模拟通道 ES32F3651LQ V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 目 录 基于 ARM Cortex-M3 的 ES32F365x 系列 MCU ............................................................................ 2 第1章 简介 ............................................................................................................................ 8 第2章 概述 ............................................................................................................................ 9 2. 1 器件资源 ................................................................................................................... 10 2. 2 器件资源概述 ............................................................................................................ 13 2. 2. 1 ES32F365x 系列 MCU 内核 .............................................................................. 13 2. 2. 1. 1 ARM Cortex-M3 内核 ............................................................................. 13 2. 2. 1. 2 嵌套向量中断控制器（NVIC） .............................................................. 13 2. 2. 1. 3 存储保护单元（MPU）.......................................................................... 13 2. 2. 1. 4 系统节拍定时器（SysTick） ................................................................. 13 2. 2. 1. 5 串行线调试（SWD） ............................................................................. 13 2. 2. 2 存储器 ............................................................................................................... 13 2. 2. 2. 1 闪存（FLASH）..................................................................................... 13 2. 2. 2. 2 静态随机存取存储器（SRAM） ............................................................ 13 2. 2. 2. 3 扩展总线接口（EBI） ............................................................................ 13 2. 2. 3 系统管理............................................................................................................ 14 2. 2. 3. 1 电源........................................................................................................ 14 2. 2. 3. 2 电源监视 ................................................................................................ 14 2. 2. 3. 3 稳压器 .................................................................................................... 14 2. 2. 3. 4 低功耗模式............................................................................................. 14 2. 2. 3. 5 时钟管理 ................................................................................................ 15 2. 2. 3. 6 直接存储器访问（DMA） ...................................................................... 15 2. 2. 3. 7 外设互联（PIS） ................................................................................... 16 2. 2. 3. 8 看门狗定时器（WDT） ......................................................................... 16 2. 2. 4 外部接口............................................................................................................ 16 2. 2. 4. 1 通用端口（GPIO） ................................................................................ 16 2. 2. 5 安全管理及运算加速 ......................................................................................... 16 2. 2. 5. 1 循环冗余校验（CRC） .......................................................................... 16 2. 2. 5. 2 运算加速器（CALC）............................................................................ 16 2. 2. 6 定时器 ............................................................................................................... 17 2. 2. 6. 1 高级定时器（AD16C4T） ..................................................................... 17 2. 2. 6. 2 通用 32 位定时器（GP32C4T）............................................................ 17 2. 2. 6. 3 通用 16 位定时器（GP16C4T）............................................................ 18 2. 2. 6. 4 基本定时器（BS16T） .......................................................................... 18 2. 2. 6. 5 实时时钟计数器（RTC）....................................................................... 18 2. 2. 7 通信 ................................................................................................................... 19 2. 2. 7. 1 内部集成电路总线（I2C） ..................................................................... 19 2. 2. 7. 2 串行外设接口（SPI/I2S） ..................................................................... 19 2. 2. 7. 3 通用异步收发器（UART） .................................................................... 19 2. 2. 7. 4 基本扩展控制器局域网络（BxCAN）.................................................... 19 2. 2. 8 模拟 ................................................................................................................... 20 2. 2. 8. 1 模数转换（ADC） ................................................................................. 20 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 3/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第3章 3. 1 3. 2 第4章 第5章 5. 1 5. 2 5. 3 5. 4 5. 5 2. 2. 8. 2 数模转换（DAC） ................................................................................. 20 2. 2. 8. 3 模拟比较器（ACMP） ........................................................................... 20 2. 2. 8. 4 温度传感器（TSENSE） ....................................................................... 20 管脚说明 ................................................................................................................... 21 管脚图 ....................................................................................................................... 21 3. 1. 1 LQFP100 ........................................................................................................... 21 3. 1. 2 LQFP64 ............................................................................................................. 22 3. 1. 3 LQFP48 ............................................................................................................. 23 管脚功能定义 ............................................................................................................ 24 存储器映射图 ............................................................................................................ 30 电气特性 ................................................................................................................... 31 最小值和最大值、典型值.......................................................................................... 31 芯片电源 ................................................................................................................... 32 电流测量 ................................................................................................................... 33 芯片极限参数 ............................................................................................................ 34 5. 4. 1 电压参数............................................................................................................ 34 5. 4. 2 电流参数............................................................................................................ 34 5. 4. 3 热参数 ............................................................................................................... 34 运行条件 ................................................................................................................... 35 5. 5. 1 运行条件............................................................................................................ 35 5. 5. 2 上电和掉电参数条件 ......................................................................................... 35 5. 5. 3 复位和电源管理模块电气参数 ........................................................................... 36 5. 5. 4 电流特性............................................................................................................ 39 5. 5. 5 外部时钟源电气参数 ......................................................................................... 44 5. 5. 6 内部时钟源电气参数 ......................................................................................... 47 5. 5. 7 锁相环电气参数 ................................................................................................. 48 5. 5. 8 FLASH 存储电气参数 ........................................................................................ 48 5. 5. 9 电磁兼容性 ........................................................................................................ 49 5. 5. 9. 1 电磁敏感性............................................................................................. 49 5. 5. 10 电气最大额定值 ............................................................................................... 49 5. 5. 10. 1 静电释放 .............................................................................................. 49 5. 5. 10. 2 静态闩锁 .............................................................................................. 49 5. 5. 11 I/O 端口电气特性 .............................................................................................. 50 5. 5. 11. 1 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 0） ........................................................ 52 5. 5. 11. 2 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 1） ........................................................ 56 5. 5. 11. 3 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 2） ........................................................ 60 5. 5. 11. 4 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 3） ........................................................ 64 5. 5. 12 MRST 电气特性 ............................................................................................... 69 5. 5. 13 定时器特性参数 ............................................................................................... 70 5. 5. 14 通信特性参数 .................................................................................................. 71 5. 5. 14. 1 内部集成电路总线（I2C）特性参数 .................................................... 71 5. 5. 14. 2 串行外设接口（SPI）特性参数 ........................................................... 73 5. 5. 15 低功耗模式转换特性参数 ................................................................................ 74 5. 5. 16 模数转换器（ADC）特性参数 ........................................................................ 75 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 4/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第6章 6. 1 6. 2 6. 3 第7章 第8章 5. 5. 17 数模转换器（DAC）特性参数 ........................................................................ 77 5. 5. 18 模拟比较器（ACMP）特性参数...................................................................... 78 5. 5. 19 温度传感器特性参数 ....................................................................................... 79 封装信息 ................................................................................................................... 80 LQFP100 封装尺寸图 ............................................................................................... 80 LQFP64 封装尺寸图 ................................................................................................. 81 LQFP48 封装尺寸图 ................................................................................................. 82 产品信息 ................................................................................................................... 83 修订历史 ................................................................................................................... 84 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 5/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 图目录 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 2-1 2-2 3-1 3-2 3-3 4-1 5-1 5-2 5–3 5-4 5-5 5-6 5-7 ES32F365x 系列系统框图 ............................................................................................... 11 时钟树 .............................................................................................................................. 12 ES32F365x LQFP100 顶视图.......................................................................................... 21 ES32F365x LQFP64 顶视图............................................................................................ 22 ES32F365x LQFP48 顶视图............................................................................................ 23 存储器映射 ....................................................................................................................... 30 芯片电源........................................................................................................................... 32 电流测量........................................................................................................................... 33 外部高速振荡器连接图 .................................................................................................... 45 外部低速振荡器连接图..................................................................................................... 46 MRST 应用电路 1 ............................................................................................................ 69 MRST 应用电路 2 ............................................................................................................ 69 I2C 测试电路和波形 ......................................................................................................... 72 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 表目录 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 2-1 2-2 3-1 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 5-6 5-7 5-8 5-9 5-10 5-11 5-12 5-13 5-14 5-15 5-16 5-17 5-18 5-19 5-20 5-21 5-22 5-23 5-24 5-25 5-26 5-27 5-28 5-29 5-30 5-31 5-32 5-33 5-34 5-35 5-36 5-37 5-38 器件资源列表 ................................................................................................................... 10 定时器功能 ....................................................................................................................... 17 ES32F365x 的管脚功能定义............................................................................................ 29 极限电压参数 ................................................................................................................... 34 极限电流参数 ................................................................................................................... 34 极限热参数 ....................................................................................................................... 34 芯片通常运行条件 ............................................................................................................ 35 芯片在上电和掉电时的参数条件 ...................................................................................... 35 复位和电源管理模块电气参数 .......................................................................................... 38 程序在 FLASH 上运行时的电流特性 ................................................................................ 39 程序在 SRAM 上运行时的电流特性 ................................................................................. 40 SLEEP 模式电流特性....................................................................................................... 42 STOP1 模式下电流特性 ................................................................................................. 42 STOP2 模式下电流特性 ................................................................................................. 42 STANDBY 模式下电流特性 ............................................................................................ 43 模块在典型应用场合下的电流特性 ................................................................................ 43 外部输入高速时钟特性参数 ........................................................................................... 44 外部输入低速时钟特性参数 ........................................................................................... 44 外部高速振荡时钟特性参数 ........................................................................................... 45 外部低速振荡时钟特性................................................................................................... 46 内部高速 RC 振荡器特性 ............................................................................................... 47 内部低速 RC 振荡器特性 ............................................................................................... 47 内部超低速 RC 振荡器特性............................................................................................ 47 PLL 电气参数 ................................................................................................................. 48 存储器特性 ..................................................................................................................... 48 EMS 参数 ....................................................................................................................... 49 ESD 最大额定值 ............................................................................................................ 49 LU 最大额定值 ............................................................................................................... 49 I/O 端口电气特性 1......................................................................................................... 51 I/O 端口电气特性 2......................................................................................................... 68 MRST 电气特性 ............................................................................................................. 69 定时器特性参数.............................................................................................................. 70 内部集成电路总线（I2C）特性参数 .............................................................................. 71 SPI 特性参数 .................................................................................................................. 73 低功耗模式唤醒特性 ...................................................................................................... 74 ADC 特性 ....................................................................................................................... 75 ADC 精度特性 1 ............................................................................................................. 76 ADC 精度特性 2 ............................................................................................................. 76 DAC 特性 ....................................................................................................................... 77 ACMP 特性参数 ............................................................................................................. 79 温度传感器特性.............................................................................................................. 79 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第1章 简介 该数据手册为 ES32F365x 系列 MCU 提供订单信息以及器件物理特性。阅读数据手册时请配合用 户手册（ES32F36xx 用户手册）一起使用。 关于 Cortex–M3 可参考《Cortex–M3 技术参考手册》，可从 ARM 官网（http://infocenter.arm.com） 获得。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 8/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第2章 概述 ES32F365x 系列 MCU 最大支持 512KB FLASH 和 64KB SRAM，且可通过 EBI 接口进行外部存储 扩展。支持多达 90 个 I/O，支持 2 路 12 位 ADC，2 路 12 位 DAC，3 路模拟比较器，支持 RTC 日历、闹钟等功能。带丰富的定时器资源，支持 2 路高级定时器（AD16C4T） ，2 路通用定时器 （GP16C4T） ，2 路基本定时器（BS16T） ， 2 路 32 位通用定时器（GP32C4T） 。支持丰富的通信 资源，包括 2 路 I2C，3 路 SPI/I2S，5 路 UART，且支持 CAN 通信。 ES32F365x 系列 MCU 支持最高 96MHz 系统时钟频率。工作温度范围-40℃~85℃。 主要用于电动车控制器、平衡车、扭扭车、电机控制、充电桩、汽车故障分析调试仪表，工业集中 器等。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 ES32F3653LX ES32F3651LX ES32F3656LT ES32F3655LT ES32F3654LT ES32F3653LT ES32F3651LT ES32F3653LQ ES32F3651LQ 512 384 256 128 64 512 384 256 128 64 128 64 SRAM（KB） 64 48 32 16 64 64 48 32 16 32 16 ES32F3655LX Flash（KB） ES32F3656LX ES32F3654LX 2. 1 器件资源 64 EBI 支持 GPIO 12 位 ADC/ ADC 通道 12 位 DAC 模拟 模拟比较 器 ACMP 温感 TSENSE 高级 AD16C4T 通用 16 位 GP16C4T 定时器 通用 32 位 GP32C4T 基本 BS16T I2C 90 56 40 2/16 2/16 2/10 通信 - 2 2 0 0 3 3 0 0 1 1 2 2 1 1 2 2 2 2 1 2 0 0 2 2 2 2 2 2 SPI/I2S 3 3 2 2 UART 5 5 3 3 CAN 1 1 1 LQFP64 LQFP48 内核运行频率 ≤96MHz 工作电压范围 2.6V--5.5V 封装 LQFP100 表 2-1 器件资源列表 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 10/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 SWCLK SWDIO POR、BOR复位 LVD中断 POR/BOR /LVD 中断请求 SWD NVIC VDD12、备份域VDD12 VDD18（FLASH专用） DMA请求 MPU Cortex-M3 CPU Fmax: 96 MHz DMA 稳压器/备份域 稳压器 PMU/RMU /CMU System Bus D Bus I Bus 系统及外 设时钟 Boot ROM HOSC LOSC FLASH FLASH interface VDD VSS MRST HOSC_IN HOSC_OUT LOSC_IN LOSC_OUT HRC LRC SRAM interface AHB2 ULRC SRAM PLL EBI_A,EBI_D,EBI_CLK…… EBI AHB1 SYSC FG CMU CRC CALC RMU PMU TRNG MSC GPIO PA[15:0], PB[15:0], PC[15:0], PD[15:0], PE[15:0], PF[7:0], PH[4:0] PIS AHB总线矩阵 AHB至APB2 ADC_IN0,ADC_IN1… …ADC_IN15 ACMP0_IN0,ACMP0_IN1 ……ACMP0_IN7 DAC0_OUT1, DAC0_OUT2 AHB至APB1 ADC0,1 AD16C4T0,1 ACMP0,1,2 GP32C4T0,1 DAC（2ch） GP16C4T0,1 IWDT/WWDT BS16T0,1 RTC TSENSE RTC 接口 UART0,1,2, 3,4 TSENSE SPI/I2S 0,1,2 接口 I2C0,1 CAN0 4 channels 3 comp channels BRK,ET input 4 channels,32bit ET input 4 channels,16bit ET input RX,TX, CTS,RTS, CLK MOSI,MISO, SCK,NSS SCL,SDA CAN_TX, CAN_RX DMA配置 图 2-1 ES32F365x 系列系统框图 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 11/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 LOSMEN LOSCEN LOSC1 LOSC LOSC 振荡电路 32768Hz LRC 32768 Hz SYSCS CFBP HSCLK to NMI LSCLK HRC LRC LSCLK PLLHRC LOSM SYSDIV MCLK ÷1,2,4,8, SYSCLK …,4096 Clock Filter HCLK1DIV LOSC2 HOSCEN 15~33pF HOSC1 HOSC HOSC 振荡电路 1~24MHz HRC 1~24 MHz ÷1,2,4,8, …,4096 to NMI HOSMEN HOSM HCLK1 HCLK2DIV ÷1,2,4,8, …,4096 HCLK2 To EBI PCLK1 to APB1 peripherals PCLK1DIV HRCEN HRC HRCS 振荡电路 2MHz/ HRC 24MHz ÷1,2,4,8, …,4096 to APB2 peripherals PCLK2DIV LRCEN ÷1,2,4,8, …,4096 LRC PLLIS PLLEN PLLIS ULRC 振荡电路 10kHz HOSC ÷1,2,3, 4,5,6 ULRC HRC ÷6 MCOS MCOPS MCO ÷1,2,4, 8,16,32 LSCOS LSCO to CMU,RMU,PMU,PIS to AHB peripherals to Flash IAP,GPIO to CRC,CALC HSCLK 15~33pF HOSC2 LRC 振荡电路 32768Hz to core,memory,DMA FCLK to systick timer ÷8 PLLOS PLL PLLSC 倍频器 ×9,12,18 ,24 PULMEN PLLLOCK PULM LOSC LRC ULRC BUZ BUZPRS BUZEN HCLK1 Gate ÷1,2,4,8, …,256 LOSC … … LRC HOSC1M LRC CLKS(WDT_CON) to IWDT PLLHRC LRC LOSM LRC HRC1M HOSC1M BUZPOS ÷1,2,3,4, …,65536 TSENSECS to TSENSE WWDTCS to WWDT to NMI PLLCLK HRC HOSC LOSC HRC LRC ULRC PLLCLK SYSCLK PCLK2 RTCCLKS to RTC BUZ LOSM: Low Speed Oscillator Security Management HOSM: High Speed Oscillator Security Management PULM: PLL Unlock Management CMU: Clock Management Unit RMU: Reset Management Unit PMU: Power Management Unit 图 2-2 时钟树 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 12/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 2. 2 器件资源概述 2. 2. 1 ES32F365x 系列 MCU 内核 ARM Cortex-M3 内核 2. 2. 1. 1 ARM Cortex-M3 提供了高性能，低功耗，低成本的平台来满足微控制器的实现要求。具 备出色的计算性能，并能够快速响应中断。 嵌套向量中断控制器（NVIC） 2. 2. 1. 2 ES32F365x 系列微控制器的嵌套向量中断控制器 NVIC（Nested Vector Interrupt Controller）可支持 16 个优先级设定。并具备以下特性： 2. 2. 1. 3  NVIC 与内核紧密配合支持快速中断响应时间  中断向量表直接传递至内核  支持中断嵌套，咬尾和迟来 存储保护单元（MPU） 存储保护单元 MPU（Memory Protection Unit） ，用于检查访问权限和内存属性，可增强 用户程序的健壮性。 2. 2. 1. 4 系统节拍定时器（SysTick） SysTick 定时器被捆绑在 NVIC 中，用于产生 SysTick 中断（向量号：15） 2. 2. 1. 5 串行线调试（SWD） 支持标准 SWD（Serial Wire Debug） 协议的调试接口。 调试通信口为 SWDIO 和 SWCLK。SWCLK 和 SWDIO 默认为上拉。 2. 2. 2 2. 2. 2. 1 存储器 闪存（FLASH） 最大 512KByte FLASH 存储空间用于存放程序和数据。支持用户可通过配置读保护配置 字选择相应的读保护或写保护模式。 2. 2. 2. 2 静态随机存取存储器（SRAM） 最大 64 KByte SRAM，支持内核单周期访问。 2. 2. 2. 3 扩展总线接口（EBI） 扩展总线接口 EBI（Extended Bus Interface） 可扩展外部 SRAM, PSRAM, NOR 和 NAND FLASH 等。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 13/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 2. 2. 3 系统管理 电源 2. 2. 3. 1 VDD：2.6V~5.5V 电源，通过管脚 VDD 为 I/O 及内部稳压器供电。 电源监视 2. 2. 3. 2  上电复位（POR） ：当 VDD 低于 VPOR 时，器件处于复位状态。  欠压复位（BOR） ：上电期间，欠压复位（BOR）将使器件保持复位状态，直到电 源电压达到 1.8V 以上。芯片默认 BOR 为开启状态，复位完成后，可通过软件选择 BOR 复位电压阈值 VBOR，或可将 BOR 禁止。芯片支持 16 个 VBOR 阈值选择。当 电源电压（VDD）降至所选 VBOR 阈值以下时，将使器件复位。  低电压监测（LVD）：LVD 可用于监视 VDD 电源，通过设置 LVDEN 使能 LVD，将 VDD 电压和 LVDS 所选择的电压阈值（VLVD）进行比较，可产生 LVD 中断。也可 通过 LVDS 选择为外部 LVDIN 端口与内部固定 1.2V 电压比较，此时可监视外部电 压工作情况。 稳压器 2. 2. 3. 3 主电源域稳压器： 包括 1.2V 稳压器和 1.8V 稳压器，1.2V 稳压器用于主电源数字逻辑和存储，1.8V 稳压 器专门用于 Flash 编程和擦除。注意 1.8V 稳压器作为 Flash 专用，在芯片电源框图中不 再体现。 在 STANBY 模式下，主电源域稳压器被关闭。内部逻辑掉电，没有能量损耗。 在 STOP2 模式下，如需追求更低的功耗，可配置主电源域 1.2V 稳压器在进入 STOP2 模式 后工作在 维持模式。注 意此时处于 主电源域 的 HRC,HOSC 关闭，备 份域的 LOSC,LRC,RTC,TSENSE 可工作，少数主电源域的外设（ACMP,LVD,IWDT 等）可工 作。其余模式下，主电源域 1.2V 稳压器处于正常工作模式。 在 SLEEP 或者 STOPx 模式下，可配置 1.8V 稳压器进入 SLEEP/STOPx 模式后工作在 普通模式、低功耗模式、维持模式或关断模式，以节省功耗。 备份电源域稳压器： 1.2V 稳压器用于备份电源域数字逻辑和存储。 在芯片所有功耗模式下可工作，并且消耗极小电流。 低功耗模式 2. 2. 3. 4 ES32F365x 系列 MCU 支持以下低功耗模式来实现低功耗，快速唤醒时间以及可支持唤 醒源的组合选择。  SLEEP 模式： 在 SLEEP 模式下， CPU 时钟被关闭。 所有外设可以继续工作并通过中断或事件唤醒 CPU。 Flash 可以配置成空闲模式或者待机模式。主域 1.8V 稳压器可以配置成普通模式、低功 耗模式、维持模式或关断模式。用户可根据功耗和唤醒时间需求来决定如何配置。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 14/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 STOP1 模式：  在 STOP1 模式下，CPU 和大部分外设时钟被关闭，HOSC 和 HRC 时钟可通过软件配 置为使能。DMA 可以继续动作，配合一些低功耗外设在局部小系统内完成较简单的工作。 可根据不用应用场景需求，来配置主电源域 1.8V 稳压器在进入 STOP1 模式后处于何种 低功耗模式。 STOP2 模式  在 STOP2 模式下，CPU 和大部分外设时钟被关闭，HOSC 和 HRC 可通过软件配置为 使能。DMA 被关闭。只有一些低功耗外设还能继续工作，并通过中断唤醒芯片。可根据 需求， 来配置主电源域 1.2V 和 1.8V 稳压器在进入 STOP2 模式后处于何种低功耗模式。 STANDBY 模式  STANDBY 模式消费最少的功耗。主电源域稳压器被关闭，内核大部分逻辑掉电。备份 域 LDO 开启，LOSC，RTC 等可工作。备份 RAM 维持保存数据。 时钟管理 2. 2. 3. 5 时钟控制器可对内核和外设分配不同的时钟源，同时管理外设总时钟门控以及低功耗模 式的时钟门控。 时钟分频  通过权衡系统的运行速度和功耗，可以调整内核和外设的时钟分频比，选择合适的时钟 频率。 时钟安全控制  HOSM（HOSC Security Management）可以实时监测 HOSC 时钟的工作情况，当发生 时钟停止时，可自动为其切换为 HRC 时钟。 PULM（PLL Unlock Management）可以 实时监测 PLL 时钟的工作情况，当发生时钟失锁时，可自动为其切换为 HRC 时钟。 时钟门控  内核、部分外设和存储器时钟都可被单独门控，可减少功耗消耗。 时钟源  2. 2. 3. 6 1~24MHz 外部高速晶体振荡器（HOSC） 内部高速 RC 振荡器（HRC） 32768Hz 外部低速晶体振荡器（LOSC） 32768Hz 内部低速 RC 振荡器（LRC） 10KHz 内部超低速 RC 振荡器（ULRC） 最高 96MHz 内部锁相环倍频时钟（PLL） 直接存储器访问（DMA） DMA（Direct Memory Access）控制器能够独立于内核进行内存操作，以降低功耗和内 核的工作负载。DMA 控制器包含 12 个 DMA 通道，每个 DMA 通道分别对应一个 DMA 多路复用器。多路复用器可选择片上所有的 DMA 请求源。DMA 控制器可支持存储到存 储，存储到外设以及外设到存储之间的数据传输。 DMA 可以在 STOP1 模式下进行存储器到存储器的数据传输。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 15/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 外设互联（PIS） 2. 2. 3. 7 PIS（Peripheral Interaction System）在微控制器中作为外设互联的桥接口使用，利用 PIS 可实现外设之间的相互触发，控制及自动化工作，提高系统的实时性和快速响应能 力，可避免占用过多的内核工作负载并简化软件工作，为各种应用扩展提供便捷。送出 信号的外设模块被称为生产端，PIS 把这些信号传递到被称为消费端的外设进行使用。 PIS 信号可以是电平或脉冲的形式，并支持异步触发信号。 看门狗定时器（WDT） 2. 2. 3. 8  独立看门狗定时器（IWDT） IWDT （Independent Watchdog）， 当使用芯片配置字使能 IWDT 时， 时钟强制为 32768Hz LRC 时钟，可用于检测软件和硬件异常，如主时钟停振，程序跑飞等。 在调试模式下，定时器可被冻结。  窗口看门狗定时器（WWDT） WWDT（Window Watchdog） ，使用系统时钟 PCLK 作为计数时钟，对于过早或过晚喂 狗都将产生 WWDT 复位，可用于检测软件没有喂狗或过早的喂狗行为，防止程序跑至 不可控状态。 在调试模式下，定时器可被冻结。 2. 2. 4 外部接口 通用端口（GPIO） 2. 2. 4. 1 每组通用端口包含 16 个独立的引脚。这些引脚可单独配置为输入或输出。每个引脚有独 立的开漏或开源输出控制，驱动能力选择控制，上拉或下拉选择，CMOS/TTL 输入选择 以及模拟滤波输入使能控制。大部分端口可以与模拟功能及其他数字外设功能复用。每 个端口可分别支持中断，映射到 16 个中断向量中。另外每个端口还可支持触发 DMA 数 据传输的功能。 2. 2. 5 安全管理及运算加速 循环冗余校验（CRC） 2. 2. 5. 1 CRC（Cyclic Redundancy Check）发生器可以执行带可编程多项式设定的 CRC 计算。 支持四个常用的多项式：CRC-CCITT，CRC-8，CRC-16 和 CRC-32 2. 2. 5. 2  CRC-CCITT：X16 + X12 + X5 + 1  CRC-8：X8 + X2 + X + 1  CRC-16：X16 + X15 + X2 + 1  CRC-32：X32 + X26 + X23 + X22 + X16 + X12 + X11 + X10 + X8 + X7 + X5 + X4 + X2 + X +1 运算加速器（CALC） 运算加速器（CALC）可以执行平方根的运算加速。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 16/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 2. 2. 6 定时器 ES32F365x 系列 MCU 包含了 2 个高级定时器，4 个通用定时器和 2 个基本定时器。功能 比较如下表所示： 高级定时器 （AD16C4T） 通用定时器 （GP32C4T） 通用定时器 （GP16C4T） 基本定时器 （BS16T） 定时器计数 位宽度 计数类型 预分频比 DMA 请求 输入捕捉/输 出比较通道 互补输出 16 位 向上 向下 上下 1~65536 支持 4 支持 32 位 向上 向下 上下 1~65536 支持 4 不支持 16 位 向上 向下 上下 1~65536 支持 4 不支持 16 位 向上 1~65536 支持 0 不支持 表 2-2 定时器功能 高级定时器（AD16C4T） 2. 2. 6. 1 支持 2 路高级定时器（AD16C4T0, AD16C4T1） 。高级定时器可被视为复用在 6 个通道 上的 3 相 PWM。PWM 互补输出的死区时间可配。另外高级定时器兼具通用定时器的所 有功能。 在调试模式下，高级定时器可被冻结，并禁止 PWM 输出。 高级定时器可与其他定时器连接，一起配合使用，以达到同步或事件串联的目的。 通用 32 位定时器（GP32C4T） 2. 2. 6. 2 ES32F365x 系列 MCU 带 2 个通用定时器（GP32C4T0,GP32C4T1），该定时器包含 4 个独立通道，具备以下功能：  输入捕捉  输出比较  PWM 生成（边缘或中间对齐模式）  单脉冲输出 通用定时器可与其他定时器连接，一起配合使用，以达到同步或事件串联的目的。 在调试模式下，定时器可被冻结。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 17/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 通用 16 位定时器（GP16C4T） 2. 2. 6. 3 ES32F365x 系列 MCU 带 2 个通用定时器（GP16C4T0,GP16C4T1），该定时器包含 4 个独立通道，具备以下功能：  输入捕捉  输出比较  PWM 生成（边缘或中间对齐模式）  单脉冲输出 通用定时器可与其他定时器连接，一起配合使用，以达到同步或事件串联的目的。 在调试模式下，定时器可被冻结。 2. 2. 6. 4 基本定时器（BS16T） 支持 2 路基本定时器（BS16T0,BS16T1） 。用于 16 位时基计数器或者产生事件触发其他 外设工作。 在调试模式下，定时器可被冻结。 2. 2. 6. 5 实时时钟计数器（RTC） RTC（Real Time Clock）备份电源域在芯片 STANBY 模式下仍可通过独立的备份电源 域稳压器获取电源。支持备份域 SRAM 空间为 128Byte，可在 STANDBY 模式下保存数 据。 系统复位（除备份域上电复位外）不会对 RTC 及备份域的内容或寄存器产生影响。 RTC 采用外部 32.768KHz 晶体振荡器时钟源，支持日历功能，并支持产生定时中断， 闹钟中断等。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 18/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 2. 2. 7 通信 内部集成电路总线（I2C） 2. 2. 7. 1 支持 2 路 I2C（I2C0，I2C1） 。I2C（Inter-Integrated Circuit）总线接口用作微控制器和 I2C 串行总线之间的接口。它提供多主模式功能，可以控制所有 I2C 总线特定的序列、协议、 仲裁和时序。它支持标准和快速模式。它还与 SMBus 2.0 兼容。它可以用于多种用途， 包括 CRC 生成和验证、SMBus（系统管理总线）以及 PMBus（电源管理总线） 。 I2C 支持 DMA 对所发送和接收数据进行传输。 串行外设接口（SPI/I2S） 2. 2. 7. 2 支持 3 路 SPI 接口（SPI0,SPI1,SPI2）。SPI（Serial Peripheral Interface）可与外部器 件进行半双工/全双工的同步串行通信。该接口可配置为主模式，在这种情况下，它可为 外部从器件提供通信时钟 （SCK）。该接口还能够在多主模式配置下工作。它可用于多 种用途，包括基于双线的单工同步传输，其中一条可作为双向数据线，或使用 CRC 校验 实现可靠通信。SPI 支持 DMA 对所发送和接收数据进行传输。 每路 SPI 同时支持 I2S 主机模式通信功能，可通过软件选择。 I2S 接口支持四种音频标准：I2S 飞利浦标准，MSB 对齐标准，LSB 对齐标准，PCM 标 准。音频采样频率可以是 192kHz，96kHz，48kHz，44.1kHz，32kHz，22.05kHz，16kHz， 11.025kHz 或 8kHz（或该范围内的任何其他值） 。有四个数据和通道帧可供使用。数据 可以采用以下格式发送： 2. 2. 7. 3  16 位数据帧装在一个 16 位通道帧  16 位数据帧装在一个 32 位通道帧  24 位数据帧装在一个 32 位通道帧  32 位数据帧装在一个 32 位通道帧 通用异步收发器（UART） 支持 5 路 UART 接口（UART0, UART1, UART2, UART3, UART4） 。UART（Universal Asynchronous Receiver Transmitter）支持与外部设备进行全双工数据通信和单线半双 工通信。UART 支持波特率自动测量功能。并且提供了 16 级深度 FIFO 可提高发送或接 收的效率，减少打断 CPU 的次数。UART 还支持多点通信（RS-485） ，LIN（局域互连 网络） 、红外通信协议（IrDA SIR），以及硬件自动流控制 （CTS/RTS） 。其中 UART4 可支持智能卡模式。 2. 2. 7. 4 基本扩展控制器局域网络（BxCAN） 支持 1 路 BxCAN 接口（BxCAN0） 。BxCAN（Basic Extended Controller Area Network） 可与 CAN 网络进行交互。该外设支持 2.0A 和 2.0B 版本的 CAN 协议，旨在以最少的 CPU 负载高效管理大量的传入消息，并可按需要的优先级实现消息发送。 在攸关安全 性的应用中，CAN 控制器提供所有必要的硬件功能来支持 CAN 时间触发通信方案。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 19/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 2. 2. 8 2. 2. 8. 1 模拟 模数转换（ADC） 支持 2 路模数转换器（ADC0,ADC1） 。ADC（Analog to Digital Convertor）是 12 位分 辨率的逐次逼近型模数转换器。它具有多达 19 个复用通道，可测量自管脚输入的 16 个 外部信号、3 个内部信号。这些通道的 A/D 转换可在单次、连续、扫描或不连续 采样模 式下进行。ADC 的结果存储在一个左对齐或右对齐的 16 位数据寄存器中。 ADC 模块具有模拟看门狗特性，允许应用检测输入电压是否超过了用户自定义的阈值上 限或下限。 ADC 支持触发 DMA 数据传输的功能。 2. 2. 8. 2 数模转换（DAC） DAC（Digital to Analog Convertor）模块支持 12 位分辨率。最大采样率可支持 500ksps。 参考源选择可配置。支持两路 DAC 转换通道，也可配置为差分输出。转换时钟分频可配 置，分频比可选范围为 1~128。支持正弦波产生模式。支持 PIS 触发转换功能和通过 DMA 传输数字量。 2. 2. 8. 3 模拟比较器（ACMP） 支持 3 路模拟比较器（ACMP0,ACMP1, ACMP2） 。ACMP（Analog Comparator）用于 比较两个模拟信号电压的大小。当正极输入大于负极输入时比较器输出逻辑 1，否则输 出 0。当比较器输出值有变化时，3 个比较器都可以配置产生中断。 ACMP 带迟滞功能。 ACMP 可在 STOP 模式下工作。 2. 2. 8. 4 温度传感器（TSENSE） TSENSE（Temperature Sensor）可生成与温度成线性变化的电压，并将电压转换为实 际温度值输出。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 20/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第3章 管脚说明 3. 1 管脚图 PD3 PD2 PD1 PD0 PC12 PC11 PC10 PA15 PA14/SWCLK 84 83 82 81 80 79 78 77 76 PD5 PD4 PD6 85 PD7 88 87 86 PB4 91 PB3 PB5 92 89 PB6 93 90 PH2-BOOT0 PB7 94 PB9 PB8 PE0 95 PE1 98 97 96 VDD VSS 100 99 LQFP100 PE2 1 75 PE3 2 74 VSS PE4 3 73 VRCAP VDD PE5 4 72 PA13/SWDIO PE6 5 71 PA12 VDD 6 PC13 7 LOSC_IN/PC14 8 LOSC_OUT/PC15 9 VSS 10 PF4 11 HOSC_IN/PH0 12 HOSC_OUT/PH1 13 MRST 14 PC0 15 PC1 16 PC2 17 PC3 18 PF6 19 VREFN/PH3 20 VREFP/PH4 21 PF7 ES32F3656LX ES32F3655LX ES32F3654LX ES32F3653LX ES32F3651LX LQFP100 70 PA11 69 PA10 68 PA9 67 PA8 66 PC9 65 PC8 64 PC7 63 PC6 62 PD15 61 PD14 60 PD13 59 PD12 58 PD11 57 PD10 56 PD9 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 PB1 PB2 PE7 PE8 PE9 PE10 PE11 PE12 PE13 PE14 PE15 PB10 PB11 50 35 VDD 34 PC5 PB0 49 33 PC4 VSS 32 PA7 PB12 31 51 PA6 25 30 PB13 PA2 PA5 PB14 52 29 53 24 28 23 PA1 PF1 PA0 PA4 PB15 27 54 26 PD8 22 PF0 55 PA3 3. 1. 1 图 3-1 ES32F365x LQFP100 顶视图 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 21/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 PB4 PB3 PD2 PC12 PC11 PC10 PA15 PA14/SWCLK 54 53 52 51 50 49 57 55 PB5 58 56 PB6 59 61 PH2-BOOT0 PB8 62 PB7 PB9 63 60 VDD VSS 64 LQFP64 VDD 1 48 VDD PC13 2 47 VRCAP LOSC_IN/PC14 3 46 PA13/SWDIO 45 PA12 28 29 30 31 32 PB2 PB10 PB11 VSS VDD 27 PB1 16 26 PA2 LQFP64 PB0 15 25 14 PA1 PC5 PA0 24 VREFP/PH4 13 PC4 12 23 VREFN/PH3 22 11 PA6 PC3 PA7 9 10 21 PC1 PC2 PA5 8 PA4 7 PC0 20 MRST 19 6 PF1 HOSC_OUT/PH1 ES32F3656LT ES32F3655LT ES32F3654LT ES32F3653LT ES32F3651LT 18 5 17 4 HOSC_IN/PH0 PF0 LOSC_OUT/PC15 PA3 3. 1. 2 44 PA11 43 PA10 42 PA9 41 PA8 40 PC9 39 PC8 38 PC7 37 PC6 36 PB15 35 PB14 34 PB13 33 PB12 图 3-2 ES32F365x LQFP64 顶视图 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 PB9 PB8 PH2-BOOT0 PB7 PB6 PB5 PB4 PB3 PA15 PA14/SWCLK 45 44 43 42 41 40 39 38 37 VSS 46 48 VDD LQFP48 47 3. 1. 3 VDD 1 36 VDD PC13 2 35 VRCAP 34 PA13/SWDIO 33 PA12 LOSC_IN/PC14 3 LOSC_OUT/PC15 4 HOSC_IN/PH0 5 HOSC_OUT/PH1 6 MRST 7 VREFN/PH3 8 VREFP/PH4 9 PA0 10 PA1 11 LQFP48 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PA4 PA5 PA6 PA7 PB0 PB1 PB2 PB10 PB11 VSS VDD 12 PA3 PA2 ES32F3653LQ ES32F3651LQ 32 PA11 31 PA10 30 PA9 29 PA8 28 PB15 27 PB14 26 PB13 25 PB12 图 3-3 ES32F365x LQFP48 顶视图 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 23/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 3. 2 管脚功能定义 Pin Number LQFP48 LQFP64 LQFP100 ALT0 Pin Name / / 1 PE2 ― PE2 ― UART2_TX ACMP0_OUT ― TRACECLK EBI_A23 / / 2 PE3 ― PE3 ― UART2_RX ACMP1_OUT ― TRACED0 EBI_A19 / / 3 PE4 ― PE4 ― UART2_CTS ACMP2_OUT ― TRACED1 EBI_A20 / / 4 PE5 ― PE5 ― UART2_RTS ― ― TRACED2 EBI_A21 / / 5 PE6 ― PE6 ― UART4_CK ― ― TRACED3 EBI_A22 1 1 6 VDD ― ― ― ― ― ― ― ― 2 2 7 ― ― ― ― ― ― 3 3 8 4 4 9 / / 10 / / 11 5 5 12 6 6 13 7 7 14 （复位后功能） PC13-TAMPER0_R ― TC PC14/ ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 PC13-TAMPER0_ RTC LOSC_IN PC14 ― ― ― ― ― ― LOSC_OUT PC15 ― ― ― ― ― ― VSS ― ― ― ― ― ― ― ― PF4 ― PF4 ― ― ― ― ― EBI_A4 HOSC_IN PH0 ― UART0_TX ― I2C1_SCL ACMP0_OUT ― HOSC_OUT PH1 ― UART0_RX ― I2C1_SDA ACMP1_OUT ― MRST ― ― ― ― ― ― ― LOSC_IN PC15/ LOSC_OUT PH0/ HOSC_IN PH1/ HOSC_OUT MRST V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 24/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 Pin Number LQFP100 8 15 PC0 9 16 PC1 10 17 PC2 11 18 PC3 / / 19 PF6 ― PF6 ― ― ― ― ― ― 8 12 20 VREFN/PH3 VREFN PH3 ― ― ― ― ― ― 9 13 21 VREFP/PH4 VREFP PH4 ― ― ― ― ― ― / / 22 PF7 ― PF7 ― ― ― ― ― ― 10 14 23 PA0-WKUP ADC_IN4 PA0-WKUP-TAM ACMP_IN4 PER1_RTC GP32C4T0_CH1 ― AD16C4T1_ET GP32C4T0_ET ― 11 15 24 PA1 PA1 GP32C4T0_CH2 ― ― ― ― 12 16 25 PA2 PA2 GP32C4T0_CH3 ― ― ― ― 13 17 26 PA3 PA3 GP32C4T0_CH4 ― ― ― ― / 18 27 PF0 ― PF0 ― ― ― ― ― ― / 19 28 PF1 ― PF1 ― ― ― ― ― ― LQFP48 LQFP64 ALT0 Pin Name / / / / （复位后功能） ADC_IN0 ACMP_IN0 ADC_IN1 ACMP_IN1 ADC_IN2 ACMP_IN2 ADC_IN3 ACMP_IN3 ADC_IN5 ACMP_IN5 ADC_IN6 ACMP_IN6 ADC_IN7 ACMP_IN7 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 PC0 ― UART1_TX SPI1_NSS ― ― EBI_A0 PC1 ― UART1_RX SPI1_SCK ― RTCO EBI_A1 PC2 ― UART1_CTS SPI1_MISO ― ― EBI_A2 PC3 ― UART1_RTS SPI1_MOSI ― ― EBI_A3 GP16C4T1_C H1 GP16C4T1_C H2 GP16C4T1_C H3 GP16C4T1_C H4 25/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 Pin Number LQFP48 LQFP64 LQFP100 ALT0 Pin Name 14 20 29 PA4 15 21 30 PA5 16 22 31 PA6 ADC_IN10 PA6 AD16C4T1_BRK GP32C4T1_CH1 17 23 32 PA7 ADC_IN11 PA7 AD16C4T1_CH1N GP32C4T1_CH2 / 24 33 PC4 ADC_IN12 PC4 ― ― UART3_TX SPI2_NSS ― EBI_A8 / 25 34 PC5 ADC_IN13 PC5 ― ― UART3_RX SPI2_SCK ― EBI_A9 18 26 35 PB0 ADC_IN14 PB0 GP32C4T1_CH3 UART3_CTS SPI2_MISO AD16C4T0_CH2N VSYNC1 19 27 36 PB1 ADC_IN15 PB1 GP32C4T1_CH4 UART3_RTS SPI2_MOSI AD16C4T0_CH3N VSYNC2 20 28 37 PB2 ― PB2 ― ― ― ― ― VSYNC3 / / 38 PE7 ― PE7 AD16C4T0_ET ― UART4_CK ― ― EBI_D4 / / 39 PE8 ― PE8 AD16C4T0_CH1N ― ― ― ― EBI_D5 / / 40 PE9 ― PE9 AD16C4T0_CH1 ― ― ― ― EBI_D6 / / 41 PE10 ― PE10 AD16C4T0_CH2N ― UART4_TX UART3_TX PIS_CH0P EBI_D7 / / 42 PE11 ― PE11 AD16C4T0_CH2 ― UART4_RX UART3_RX PIS_CH1P EBI_D8 / / 43 PE12 ― PE12 AD16C4T0_CH3N ― UART4_CTS UART3_CTS PIS_CH2P EBI_D9 / / 44 PE13 ― PE13 AD16C4T0_CH3 ― UART4_RTS UART3_RTS PIS_CH3P EBI_D10 / / 45 PE14 ― PE14 AD16C4T0_CH4 ― ― ― ― EBI_D11 （复位后功能） ADC_IN8 DAC_OUT0 ADC_IN9 DAC_OUT1 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 PA4 ― ― ― ― SPI0_NSS EBI_A4 PA5 ― ― ― I2C1_SCL SPI0_SCK EBI_A5 AD16C4T0_BRK I2C1_SDA SPI0_MISO EBI_A6 I2C1_SMBA SPI0_MOSI EBI_A7 AD16C4T1_CH2 N AD16C4T1_CH3 N AD16C4T0_CH1 N 26/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 Pin Number LQFP48 LQFP64 LQFP100 ALT0 Pin Name / / 46 PE15 ― PE15 AD16C4T0_BRK ― ― ― ― EBI_D12 21 29 47 PB10 ― PB10 GP32C4T0_CH3 UART0_TX ― I2C1_SCL ― EBI_A10 22 30 48 PB11 ― PB11 GP32C4T0_CH4 UART0_RX ― I2C1_SDA ― EBI_A11 23 31 49 VSS ― ― ― ― ― ― ― ― 24 32 50 VDD ― ― ― ― ― ― ― ― 25 33 51 PB12 ― PB12 AD16C4T0_BRK ― SPI1_NSS I2C1_SMBA ― EBI_A12 26 34 52 PB13 ― PB13 AD16C4T0_CH1N UART0_CTS SPI1_SCK ― ― EBI_A13 27 35 53 PB14 ― PB14 AD16C4T0_CH2N UART0_RTS SPI1_MISO ― ― EBI_A14 28 36 54 PB15 ― PB15 AD16C4T0_CH3N ― SPI1_MOSI ― ― EBI_A15 / / 55 PD8 ― PD8 ― ― ― UART0_TX ― EBI_D13 / / 56 PD9 ― PD9 ― ― ― UART0_RX ― EBI_D14 / / 57 PD10 ― PD10 ― ― ― ― ― EBI_D15 / / 58 PD11 ― PD11 ― ― ― UART0_CTS ― EBI_A16 / / 59 PD12 ― PD12 GP16C4T0_CH1 ― ― UART0_RTS ― EBI_A17 / / 60 PD13 ― PD13 GP16C4T0_CH2 ― UART3_RX ― ― EBI_A18 / / 61 PD14 ― PD14 GP16C4T0_CH3 ― UART3_TX ― ― EBI_D0 / / 62 PD15 ― PD15 GP16C4T0_CH4 ― ― ― ― EBI_D1 / 37 63 PC6 ― PC6 AD16C4T1_CH1 GP32C4T1_CH1 ― ― ― ― / 38 64 PC7 ― PC7 AD16C4T1_CH2 GP32C4T1_CH2 ― ― ― ― / 39 65 PC8 ― PC8 AD16C4T1_CH3 GP32C4T1_CH3 ― ― PIS_CH2P ― / 40 66 PC9 ― PC9 AD16C4T1_CH4 GP32C4T1_CH4 ― ― PIS_CH3P ― （复位后功能） V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 27/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 Pin Number LQFP48 LQFP64 LQFP100 ALT0 Pin Name 29 41 67 PA8 ― PA8 AD16C4T0_CH1 ― ACMP0_OUT UART4_CK RTCO ― 30 42 68 PA9 ― PA9 AD16C4T0_CH2 ― ACMP1_OUT UART0_TX LSCO EBI_INT2 31 43 69 PA10 ― PA10 AD16C4T0_CH3 ― ― UART0_RX HSCO EBI_INT3 32 44 70 PA11 ― PA11 AD16C4T0_CH4 ― CAN0_RX UART0_CTS ― ― 33 45 71 PA12 ― PA12 AD16C4T0_ET ― CAN0_TX UART0_RTS ― ― 34 46 72 SWDIO PA13 UART1_TX ― ― ― ― ― 35 47 73 VRCAP ― ― ― ― ― ― ― ― / / 74 VSS ― ― ― ― ― ― ― ― 36 48 75 VDD ― ― ― ― ― ― ― ― 37 49 76 SWCLK PA14 UART1_RX ― ― ― ― ― 38 50 77 PA15 ― PA15 GP32C4T0_CH1 SPI2_NSS SPI0_NSS GP32C4T0_ET HSCO ― 51 78 PC10 ― PC10 ― UART1_TX ― UART2_RTS ― / 52 79 PC11 ― PC11 ― UART1_RX ― UART2_CTS ― EBI_NE3 / 53 80 PC12 ― PC12 ― UART1_RTS ― UART2_TX ― EBI_NE4 / 81 PD0 ― PD0 ― ― ― ― ― EBI_D2 / 82 PD1 ― PD1 ― ― ― ― ― EBI_D3 83 PD2 LVDIN PD2 GP32C4T1_ET UART1_CTS ― UART2_RX ― DCLK 84 PD3 ― PD3 GP16C4T1_ET ― SPI0_SCK ― ― EBI_CLK / / / 54 （复位后功能） PA13SWDIO PA14SWCLK V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EBI_NE2/EBI_NC E3 28/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 Pin Number LQFP48 LQFP64 LQFP100 ALT0 Pin Name / / 85 PD4 ― PD4 ― ― SPI0_MISO ― ― EBI_NOE / / 86 PD5 ― PD5 ― UART1_TX ― ― ― EBI_NWE / / 87 PD6 ― PD6 ― UART1_RX ― ― ― EBI_NWAIT / / 88 PD7 ― PD7 ― ― SPI0_MOSI ― ― （复位后功能） ALT1 ALT2 ALT3 ALT4 ALT5 ALT6 ALT7 EBI_NE1/EBI_NC E2 39 55 89 PB3 ― PB3 GP32C4T0_CH2 SPI2_SCK SPI0_SCK UART2_TX TRACESWO ― 40 56 90 PB4 ― PB4 GP32C4T1_CH1 SPI2_MISO SPI0_MISO UART2_RX PIS_CH0P HSYNC1 41 57 91 PB5 ― PB5 GP32C4T1_CH2 SPI2_MOSI SPI0_MOSI I2C0_SMBA PIS_CH1P EBI_A24 42 58 92 PB6 ― PB6 GP16C4T0_CH1 UART4_TX ― I2C0_SCL PIS_CH2P EBI_A25 43 59 93 PB7 ― PB7 GP16C4T0_CH2 UART4_RX ― I2C0_SDA PIS_CH3P EBI_NADV 44 60 94 PH2-BOOT0 ― ― ― ― ― ― ― 45 61 95 PB8 ― PB8 GP16C4T0_CH3 CAN0_RX ― I2C0_SCL ― HSYNC2 46 62 96 PB9 ― PB9 GP16C4T0_CH4 CAN0_TX ― I2C0_SDA ― HSYNC3 / / 97 PE0 ― PE0 GP16C4T0_ET UART4_CTS ― I2C0_SMBA ― EBI_NBL0 / / 98 PE1 ― PE1 ― UART4_RTS ― ― ― EBI_NBL1 47 63 99 VSS ― ― ― ― ― ― ― ― 48 64 100 VDD ― ― ― ― ― ― ― ― BOOT0/ PH2 表 3-1 ES32F365x 的管脚功能定义 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 29/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第4章 存储器映射图 0xFFFF_FFFF 0xE000_0000 0xDFFF_FFFF 512MByte Cortex-M3's private peripherals 512MByte Not used 0xC000_0000 0xBFFF_FFFF 512MByte EBI register 0xA000_0000 0x9FFF_FFFF 512MByte EBI bank3 0x8000_0000 0x7FFF_FFFF 512MByte EBI bank1 & bank2 0x6000_0000 0x5FFF_FFFF 512MByte Peripherals ROM Table 0xE00F FFFF 0xE00F F000 External PPB Reserved TPIU Reserved System control Reserved FPB DWT ITM 0xE004 2000 0xE004 1000 0xE004 0000 0xE000 F000 0xE000 E000 0xE000 3000 0xE000 2000 0xE000 1000 0xE000 0000 Reserved 0xA000 1000 - 0xBFFF FFFF EBI registers 0xA000 0000 - 0xA000 0FFF Reserved 0x9000 0000 - 0x9FFF FFFF EBI bank3 0x8000 0000 - 0x8FFF FFFF NAND2 EBI bank2 0x7000 0000 - 0x7FFF FFFF NAND1 EBI bank1 NOR/PSRAM4 0x6C00 0000 - 0x6FFF FFFF EBI bank1 NOR/PSRAM3 0x6800 0000 - 0x6BFF FFFF EBI bank1 NOR/PSRAM2 0x6400 0000 - 0x67FF FFFF EBI bank1 0x6000 0000 - 0x63FF FFFF NOR/PSRAM1 0x5FFF_FFFF Reserved 0x4009_0000 0x4008_FFFF AHB 0x4008_0000 0x4007_FFFF APB2 0x4004_0000 0x4003_FFFF APB1 0x4000_0000 0x3FFF_FFFF 0x4000_0000 512MByte SRAM 0x2000_0000 0x1FFF_FFFF 512MByte code Reserved 0x3FFF_FFFF 0x2001_0000 Up to 64KByte 0x2000_FFFF SRAM 0x2000_0000 0x1FFF_FFFF 0x0000_0000 Reserved 0x1100_2000 8KByte BOOT 0x1100_1FFF ROM 0x1100_0000 0x10FF_FFFF Reserved 0x0008_0800 2KByte FLASH 0x0008_07FF INFOR 0x0008_0000 0x0007_FFFF Up to 512KByte FLASH 0x0000_0000 图 4-1 存储器映射 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 30/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 第5章 电气特性 5. 1 最小值和最大值、典型值 最大值和最小值是在指定温度范围内测试所有元器件后，在最差条件下（包括环境温度，电 源电压以及测试频率等）应能够保证的数据。 典型值为温度 25℃，电源电压 VDD=5V（电压范围 2.6V≤VDD≤5.5V）条件下的电气值。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 31/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 2 芯片电源 LOSC_IN Crystal LOSC Level shifter LOSC_OUT Regulator VR2 Backup Power Domain RTC, TSENSE, LRC Wakeup logic, Backup SRAM Main Power Domain GPIO Level Shifter IO Logic VR1 CPU, 存储， 外设等 VDD VDD (主[1]) 100nF 4.7μF VDD 1N4148 VDD (辅1[1]) 10Ω 1N4148 100nF 1μF VDD VDD (辅2[1]) 1μF VDD VDD (辅2[1]) 1μF Regulator VRCAP VSS 1μF VSS VDD VSS Anaolog Module VREF VREFP 1μF ADC/ DAC 10nF VREFN 图 5-1 芯片电源 注 1：产品有多个 VDD 管脚，分为 VDD（主） 、VDD（辅 1）和 VDD（辅 2）对应的具体电源管脚请参见相关产品 的应用笔记说明。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 32/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 3 电流测量 VDD IVDD A 10μF VSS 图 5-2 电流测量 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 33/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 4 芯片极限参数 以下表格为芯片耐受的极限电气参数值，超过范围可能导致芯片永久性破坏。 5. 4. 1 电压参数 标号 参数 条件 最小值 最大值 单位 VDD 芯片主电源 – –0.3 7.5 V VIN 端口输入电压 – –0.3 VDD+0.3 V |△VDDx| 各 VDD 电源端口的差值 – – 50 mV |VSSx–VSS| 各 VSS 端口之间的差值 – – 50 mV VESD 静电释放电压 – 请参考表格“ESD 最大额定值” V 表 5-1 极限电压参数 5. 4. 2 电流参数 标号 参数 条件 最小值 最大值 单位 IVDD 流经 VDD 的总电流 – – 100 mA IVSS 流经 VSS 的总电流 – – 100 mA 拉电流（输出高） – – 20 mA 灌电流（输出低） – – 20 mA I/O 闩锁电流 – 100 300 mA IIO ILATCH 表 5-2 极限电流参数 5. 4. 3 热参数 标号 参数 条件 最小值 最大值 单位 TSTG 储存温度 – –65 150 ℃ TJ 结温 – – 125 ℃ 表 5-3 极限热参数 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 34/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5 运行条件 5. 5. 1 运行条件 标号 参数 条件 最小值 最大值 单位 fHCLK1[1] fHCLK2[1] 内部 AHB1 总线时钟频率 – – 96 MHz 内部 AHB2 总线时钟频率 – – 96 MHz fPCLK1 内部 APB1 总线时钟频率 – – 96 MHz fPCLK2 内部 APB2 总线时钟频率 – – 24 MHz VDD 电源电压 – 2.6 5.5 V TA 环境温度 – -40 85 ℃ TJ 结温 – -40 125 ℃ 表 5-4 芯片通常运行条件 注 1：系统内核以 72~96MHz 运行时，要求 FLASH 访问等待时间至少为 3 个系统时钟周期（FLASH_W >=3） ； 系统内核以 48~72MHz 运行时，要求 FLASH 访问等待时间至少为 2 个系统时钟周期（FLASH_W >=2） ； 系统内核以 24~48MHz 运行时，要求 FLASH 访问等待时间至少为 1 个系统时钟周期（FLASH_W >=1） 。 5. 5. 2 上电和掉电参数条件 标号 参数 条件 最小值 最大值 单位 Vstart VDD 上电初始电压 - 0 200 mV VDD 上升速率 参考 5.2 章节 100 – us/V VDD 下降速率 参考 5.2 章节 100 – us/V tVDD 表 5-5 芯片在上电和掉电时的参数条件 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 35/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 3 复位和电源管理模块电气参数 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 上电，TA=25℃ - 1.85 - VPOR 上电复位和 掉电复位的 阈值 掉电，TA=25℃ - 1.75 - VPORHYST[1] VPOR 电压迟 滞 – – 100 – BORVS=0011 （上升沿） 2.15 2.45 2.70 BORVS=0011 （下降沿） 2.14 2.44 2.49 BORVS=0100 （上升沿） 2.35 2.64 2.91 BORVS=0100 （下降沿） 2.33 2.63 2.84 BORVS=0101 （上升沿） 2.55 2.84 3.11 BORVS=0101 （下降沿） 2.53 2.83 3.10 BORVS=0110 （上升沿） 2.74 3.04 3.31 BORVS=0110 （下降沿） 2.72 3.03 3.30 BORVS=0111 （上升沿） 2.94 3.23 3.50 BORVS=0111 （下降沿） 2.92 3.22 3.43 BORVS=1000 （上升沿） 3.14 3.42 3.71 BORVS=1000 （下降沿） 3.11 3.41 3.69 BORVS=1001 （上升沿） 3.33 3.62 3.91 BORVS=1001 （下降沿） 3.33 3.61 3.89 BORVS=1010 （上升沿） 3.53 3.81 4.10 BORVS=1010 （下降沿） 3.50 3.80 4.09 BORVS=1011 （上升沿） 3.72 4.00 4.29 BORVS=1011 3.71 3.99 4.28 VBOR VBOR 电压档 位选择 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 单 位 V mV V 36/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 BORVS=1100 （上升沿） 3.91 4.20 4.48 BORVS=1100 （下降沿） 3.90 4.19 4.47 BORVS=1101 （上升沿） 4.10 4.39 4.67 BORVS=1101 （下降沿） 4.09 4.38 4.66 BORVS=1110 （上升沿） 4.29 4.58 4.90 BORVS=1110 （下降沿） 4.27 4.57 4.89 BORVS=1111 （上升沿） 4.43 4.78 5.07 BORVS=1111 （下降沿） 4.45 4.77 5.06 – – 10 – LVDS=0010 （上升沿） 2.27 2.68 2.95 LVDS=0010 （下降沿） 2.33 2.65 2.91 LVDS=0011 （上升沿） 2.57 2.86 3.15 LVDS=0011 （下降沿） 2.53 2.83 3.11 LVDS=0100 （上升沿） 2.75 3.06 3.34 LVDS=0100 （下降沿） 2.72 3.03 3.31 LVDS=0101 （上升沿） 2.97 3.25 3.5 LVDS=0101 （下降沿） 2.92 3.23 3.5 LVDS=0110 （上升沿） 3.16 3.42 3.73 LVDS=0110 （下降沿） 3.11 3.39 3.71 LVDS=0111 （上升沿） 3.36 3.64 3.93 单 位 （下降沿） VBORHYST[1] VLVD VBOR 电压迟 滞 LVD 电压阈 值选择 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 mV V 37/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 LVDS=0111 （下降沿） 3.34 3.61 3.90 LVDS=1000 （上升沿） 3.54 3.83 4.13 LVDS=1000 （下降沿） 3.51 3.80 4.09 LVDS=1001 （上升沿） 3.72 4.02 4.32 LVDS=1001 （下降沿） 3.72 3.99 4.30 LVDS=1010 （上升沿） 3.80 4.20 4.50 LVDS=1010 （下降沿） 3.80 4.18 4.48 LVDS=1011 （上升沿） 4.09 4.4 4.70 LVDS=1011 （下降沿） 4.08 4.37 4.67 LVDS=1100 （上升沿） 4.28 4.60 4.91 LVDS=1100 （下降沿） 4.27 4.57 4.87 LVDS=1101 （上升沿） 4.46 4.80 5.09 LVDS=1101 （下降沿） 4.45 4.77 5.06 单 位 VLVDHYST[1] VLVD 电压迟 滞 – – 30 – mV VRSTTEMPO[1] POR 复位输 出迟延 – – 200 – us 表 5-6 复位和电源管理模块电气参数 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 38/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 4 电流特性 芯片消耗的电流涉及到电源电压，环境温度，端口负载，器件软件配置，运行频率和模式 等。 典型电流值在以下条件下测得： 标号  所有 I/O 处于关闭状态或者输入状态（固定电平输入），无负载  无特别说明情况下所有外设关闭  FLASH 的访问等待时间为 3 个时钟周期  FLASH 预取指开启  当外设使能时，fPCLK1=fHCLK/2,fPCLK2=fHCLK/4 参数 条件 fHCLK 典型值 TA=25℃,VDD=5V 96MHz 72MHz 48MHz HOSC 时钟源 所有外设使能 36MHz 24MHz 20MHz 8MHz IVDD RUN 模式电 流 4MHz 96MHz 72MHz 48MHz HOSC 时钟源 所有外设禁止 36MHz 24MHz 20MHz 8MHz 4MHz 24.6 19.8 14.0 11.0 7.6 5.3 2.7 1.9 8.1 6.3 4.6 3.8 3.0 2.6 1.6 1.3 单位 mA 表 5-7 程序在 FLASH 上运行时的电流特性 注：以上测试值基于 FLASH 访问的等待时间为 3 个时钟周期。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 39/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 fHCLK 典型值 TA=25℃,VDD=5V 96MHz 72MHz 48MHz HOSC 时钟源 所有外设使能 36MHz 24MHz 20MHz 8MHz IVDD RUN 模式 电流 4MHz 96MHz 72MHz 48MHz HOSC 时钟源 所有外设禁止 36MHz 24MHz 20MHz 8MHz 4MHz 21.1 16.0 11.2 8.9 6.3 5.4 2.8 2.0 8.6 6.8 4.9 4.2 3.2 2.9 1.7 1.3 单位 mA 表 5-8 程序在 SRAM 上运行时的电流特性 注：以上测试值基于 SRAM 访问的等待时间为 0 个时钟周期。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 40/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 fHCLK 96MHz 72MHz 48MHz 36MHz HOSC 时钟源 所有外设使能 FLASH 为空闲模式 24MHz 12MHz 6MHz 2 MHz 1 MHz 500KHz 125KHz 96MHz 72MHz 48MHz 32MHz HOSC 时钟源 所有外设禁止 FLASH 为空闲模式 IVDD 24MHz 12MHz 6MHz 2 MHz SLEEP 模式 电流 1 MHz 500KHz 125KHz 96MHz 72MHz 48MHz 32MHz HOSC 时钟源 所有外设使能 FLASH 为待机模式 24MHz 12MHz 6MHz 2 MHz 1 MHz 500KHz 125KHz 96MHz HOSC 时钟源 所有外设禁止 FLASH 为待机模式 72MHz 48MHz 32MHz 24MHz 12MHz V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 典型值 TA=25℃,VDD=5V 17.0 13.1 9.1 7.1 5.2 3.4 2.3 1.5 1.3 1.2 1.2 4.7 3.8 2.9 2.5 2.1 1.7 1.5 1.1 1.0 1.0 1.0 16.8 12.8 9.0 7.0 5.2 3.3 2.2 1.4 1.2 1.2 1.0 4.6 3.6 2.8 2.3 2.0 1.5 单位 mA mA 41/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 典型值 fHCLK TA=25℃,VDD=5V 单位 1.4 0.9 0.9 0.9 0.9 6MHz 2 MHz 1 MHz 500KHz 125KHz 表 5-9 SLEEP 模式电流特性 注：以上测试值基于 FLASH 访问的等待时间为 3 个时钟周期，或基于 SRAM 访问的等待时间为 0 个时钟周期 典型值 标号 IVDD 参数 STOP1 模式电流 条件 单位 VDD=3.3V VDD=5.0V VDD=5.0V TA=25℃ TA=25℃ TA=85℃ 主域 1.2V LDO 普通模式 主域 1.8V LDO LP 模式 外设开启 133 142 262 uA 主域 1.2V LDO 普通模式 主域 1.8V LDO LP 模式 外设关闭 65 67 137 uA 表 5-10 STOP1 模式下电流特性 典型值 标号 IVDD 参数 STOP2 模 式电流 条件 单位 VDD=3.3V VDD=5.0V VDD=5.0V TA=25℃ TA=25℃ TA=85℃ 主域 1.2V LDO 普通模式 主域 1.8V LDO LP 模式 54 54 300 uA 主域 1.2V LDO 维持模式 主域 1.8V LDO 维持模式 35 35 200 uA 主域 1.2V LDO 维持模式 主域 1.8V LDO 关断模式 30 30 180 uA 表 5-11 STOP2 模式下电流特性 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 42/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 典型值 标号 IVDD 参数 STANDBY 模式电流 条件 单位 VDD=3.3V VDD=5V VDD=5V TA=25℃ TA=25℃ TA=85℃ RTC,LOSC 工作 2.6 3.2 8 uA RTC,LOSC 不工作 1.4 2 7 uA 表 5-12 STANDBY 模式下电流特性 注：STANDBY 模式下的电流特性值，是基于 PIN1 与其他 VDD 保持约 0.3V 压差的测试条件下得到的。 标号 参数 电流 TA=25℃,VDD=5V IHOSC HOSC 电流 4MHz 190 HRC 电流 24MHz 160 HRC 电流 2MHz 28 ILOSC LOSC 电流 2 ILRC LRC 电流 1 IPLL PLL（48MHz）电流 600 ADC 电流 80 IDAC DAC 电流 100 ITEMP TEMP 温感电流 90 ITRNG TRNG 电流 150 IBOR BOR 电流 0.5 ILVD LVD 电流 0.5 IAD16C4T AD16C4T 电流 6 IGP16C4T GP16C4T 电流 5 IGP32C4T GP32C4T 电流 7 IBS16T BS16T 电流 2 ICRC CRC 电流 1 II2C I2C 电流 4 ISPI SPI 电流 5 IUART UART 电流 4 ICAN CAN 电流 8 IHRC IADC [1] 单位 uA uA/MHz 表 5-13 模块在典型应用场合下的电流特性 注 1：ADC 功耗测试条件为：VDD=5V, FADCCLK=24MHz,使用内部 2V 参考。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 43/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 外部时钟源电气参数 5. 5. 5  外部输入高速时钟特性如下表所示： 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 外部输入高速时钟频 率 – 1 – 24 MHz VHOSC _HIGH HOSC_IN 输入时钟的 高电平电压 – 0.7× VDD – VDD V V HOSC _LOW HOSC_IN 输入时钟的 低电平电压 – VSS – 0.3× VDD V tWIDTH_HOSC HOSC_IN 的输入时钟 高电平或低电平时间 – 20 – – ns VSS≤HOSC_IN ≤VDD – – 1 uA fHOSC_EXT ILEAKAGE_HOSC HOSC_IN 输入漏电 表 5-14 外部输入高速时钟特性参数  外部输入低速时钟特性如下表所示： 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fLOSC_EXT 外部输入低速时钟频 率 – – 32.768 – KHz VLOSC_HIGH LOSC_IN 输入的高 电平电压 – 0.7× VDD – VDD V VLOSC_LOW LOSC_IN 输入的低 电平电压 – VSS – 0.3× VDD V tWIDTH_HOSC LOSC_IN 的高电平 或低电平时间 – 100 – – ns ILEAKAGE_LOSC LOSC_IN 输入漏电 VSS≤LOSC_IN ≤VDD – – 1 uA 表 5-15 外部输入低速时钟特性参数 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 44/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  外部高速振荡时钟（晶体或陶瓷振荡） 外部高速振荡时钟可由 1MHz 到 24MHz 范围的晶体或陶瓷振荡器提供。在应用中，振荡 器与负载电容的距离必须放置得尽可能近，以使输出信号失真和发振稳定时间最小。 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fHOSC_IN 外部高速振荡时 钟频率 – 1 16 24 MHz RF 反馈电阻 – – 1 – MΩ CL1,CL2 建议根据晶体规 格的电阻值，采用 相应的电容负载 RS=25Ω – 15 – pF I 外部高速振荡器 的驱动电流 VDD= 3.3 V, HOSC_IN= VSS 30pF 负载 – – 500 uA gm 振荡器跨导 启动 – 3.5 – mA/V tSTART_HOSC 振荡器启动时间 VDD 稳定 4MHz 晶振 TA=25℃ – 8 – ms 表 5-16 外部高速振荡时钟特性参数 注 1：在潮湿环境下使用晶体或陶瓷振荡器的注意要点，比如建议如何配置电阻等参数。 注 2：tSTART_HOSC 是振荡器的发振稳定时间，指的是从软件使能振荡器到稳定输出某一频率时钟这段期间。该值会 因晶体或陶瓷的制造商不同而显著改变。 注 3：外接振荡器参数请参考晶体或陶瓷振荡器制造商。 注 4：gm 是基于芯片设计值得到的电气参数。 下图为外部高速振荡器的典型应用连接： RF 集成在芯片内部 HOSC_IN HOSC_OUT REXT Crystal CL1 CL2 外围搭建电路 图 5–3 外部高速振荡器连接图 注 1：REXT 阻值取决于晶振规格特性。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 45/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 注 2：当晶振频率不低于 16MHz 时，推荐选用 ESR 不高于 30Ω的晶振，且选用 CL1,CL2 容值小于 5pF；  外部低速振荡时钟（晶体或陶瓷振荡） 外部低速振荡时钟由 32.768KHz 的晶体或陶瓷振荡器提供。在应用中，振荡器与负载电 容的距离必须放置得尽可能近，以使输出信号失真和发振稳定时间最小。 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fLOSC_IN 外部低速振荡时 钟频率 – – 32.768 – KHz RF 反馈电阻 – – 12 – MΩ CL1,CL2 电容负载 – – 12 – pF I 外部低速振荡器 的驱动电流 VDD = 3.3V, LOSC_IN = VSS – – 3 uA gm 振荡器跨导 – – 5 – uA/V tSTART_LOSC 振荡器启动时间 VDD 稳定，TA=25℃ – 1 – s VDD 稳定，TA=-40℃ – 3 – s 表 5-17 外部低速振荡时钟特性 注 1：tSTART_LOSC 是振荡器的发振稳定时间，指的是从软件使能振荡器到稳定输出某一频率时钟这段期间。该值会因 晶体或陶瓷的制造商不同而显著改变。 注 2：外接振荡器参数请参考晶体或陶瓷振荡器制造商。 注 3：gm 是基于芯片设计值得到的电气参数。 下图为外部低速振荡器的典型应用连接： RF CL1 集成在芯片内部 CL2 LOSC_OUT LOSC_IN Crystal 外围搭建电路 图 5-4 外部低速振荡器连接图 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 46/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 内部时钟源电气参数 5. 5. 6  内部高速 RC 振荡器 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 频率 24MHz – 24 – MHz 频率 2MHz – 2 – MHz Duty 占空比 – 45 50 55 % ACCHRC24M HRC 24MHz 精度 TA=–40 ~ 85 °C – – 3 % TA=25°C – – 1 % ACCHRC2M HRC 2MHz 精度 TA=–40 ~ 85 °C – – 3 % TA=25°C – – 1 % tSTART_HRC[1] 起振稳定时间 24MHz – 20 200 us 2MHz – 0.05 2.00 ms HRC 电流 24MHz – 160 – uA HRC 电流 2MHz – 25 – uA fHRC IDD[1] 表 5-18 内部高速 RC 振荡器特性 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。  内部低速 RC 振荡器（32.768KHz） 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fLRC 频率 – – 32.768 – KHz ACCLRC LRC 精度 TA=–40 ~ 85 °C – – 10 % TA=25°C – – 2 % 起振稳定时间 – – 60 – us LRC 电流 – – 0.8 – uA tSTART_LRC IDD [1] [1] 表 5-19 内部低速 RC 振荡器特性 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。  内部超低速 RC 振荡器（10KHz） 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fULRC 频率 – – 10 – KHz ACCULRC ULRC 精度 TA=–40 ~ 85 °C – – 30 % TA=25°C – – 10 % 起振稳定时间 – – 200 – us ULRC 电流 – – 90 – nA tSTART_ULRC IDD [1] [1] 表 5-20 内部超低速 RC 振荡器特性 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 47/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 锁相环电气参数 5. 5. 7 标号 fPLL_IN fPLL_OUT [1] tLOCK 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 PLL 输入时钟 TA=25℃ 3.6 4 4.4 MHz PLL 输入时钟占空比 TA=25℃ 45 50 55 % PLL 倍频输出时钟 倍频 TA=25℃ 36 — 96 MHz PLL 锁定时间 TA=25℃ — 15 — us 表 5-21 PLL 电气参数 注 1：请基于范围内的 fPLL_IN 选择合适的倍频系数，得到合理的 PLL 输出频率。 5. 5. 8 FLASH 存储电气参数 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 tPROG[1] tERASE[1] tME[1] 字编程时间 TA = -40 ~ 85°C – 30 – us 页擦除时间 TA = -40 ~ 85°C – 2 – ms 程序区全擦除 TA = -40 ~ 85°C – 10 – ms 读取模式 TA = -40 ~ 85°C – – 120 uA/MHz 编程模式 TA = -40 ~ 85°C – – 3.8 mA 页擦除模式 TA = -40 ~ 85°C – – 2 mA 块擦除模式 TA = -40 ~ 85°C – – 2 mA 空闲模式 TA = -40 ~ 85°C – 200 – uA 待机模式 TA = -40 ~ 85°C – 2.5 – uA 擦除/编程次数 TA = 25°C 100K – – Cycles 数据保持时间 TA = -40 ~ 85°C 10 – – Years IDD [1] NEND[2] tRET [2] 消耗电流 表 5-22 存储器特性 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。 注 2：基于特征化测试得到的电气参数。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 48/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 9 5. 5. 9. 1 电磁兼容性 电磁敏感性 标号 参数 条件 等级 VFESD 导致系统紊乱的 IO 施加极限电压 VDD=5V，TA = 25 °C，fHCLK=24MHz， 遵循标准 IEC 61000-4-2 2A VEFT 电快速瞬变脉冲群 VDD=5V，TA = 25 °C，fHCLK=24MHz， 遵循标准 IEC 61000-4-4 4A 表 5-23 EMS 参数 5. 5. 10 电气最大额定值 5. 5. 10. 1 静电释放 标号 参数 条件 等级 最大值 单位 VESDHBM 静电释放电压（人 体模型） TA=25℃遵循标准 Mil-Std-883J Method 3015.9 CLASS 2 3000 V VESDCDM 静电释放电压（充 电器件模型） TA=25℃遵循标准 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 CLASS C3 2000 V 表 5-24 ESD 最大额定值 5. 5. 10. 2 静态闩锁 标号 参数 条件 等级 LU 静态闩锁等级 TA =25 °C，遵循标准 JEDEC STANDARD NO.78E NOVEMBER 2016 ClassⅠA 表 5-25 LU 最大额定值 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 49/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 11 I/O 端口电气特性 标号 参数 I/O 输入低电平 电压（CMOS） VIL I/O 输入低电平 电压（TTL） I/O 输入高电平 电压（CMOS） VIH I/O 输入高电平 电压（TTL） I/O 输出低电平 （驱动模式 0） I/O 输出低电平 （驱动模式 1） IOL I/O 输出低电平 （驱动模式 2） I/O 输出低电平 （驱动模式 3） I/O 输出高电平 （驱动模式 0） IOH I/O 输出高电平 （驱动模式 1） I/O 输出高电平 （驱动模式 2） I/O 输出高电平 条件 最小值 典型值 最大值 单位 TA = –40 ~ +85 °C VDD=5V – – 0.2× VDD V TA =–40 ~ +85 °C VDD=5V – – 0.8 V TA =–40 ~ +85 °C VDD=3.3V – – 0.6 V TA =–40 ~ +85 °C VDD=5V 0.7× VDD – – V TA =–40 ~ +85 °C VDD=5V 2.0 – – V TA =–40 ~ +85 °C VDD=3.3V 1.8 – – V VDD=2.5V VOL=0.2 V 驱动 0 0.6 0.8 1.0 mA VDD=5V VOL=0.4V 驱动 0 0.8 1.0 1.2 mA VDD=2.5V VOL=0.2 V 驱动 1 2.4 3.3 3.8 mA VDD=5V VOL=0.4V 驱动 1 7.2 10.1 11.1 mA VDD=2.5V VOL=0.2 V 驱动 2 7.0 9.9 13.8 mA VDD=5V VOL=0.4V 驱动 2 21.4 30.2 44.0 mA VDD=2.5V VOL=0.2 V 驱动 3 18.2 25.6 30.9 mA VDD=5V VOL=0.4V 驱动 3 38.2 53.2 86.0 mA VDD=2.5V VOH=2.3 V 驱动 0 0.0 0.1 0.2 mA VDD=5V VOH=4.6 V 驱动 0 0.2 0.3 0.4 mA VDD=2.5V VOH=2.3 V 驱动 1 0.7 1.0 1.5 mA VDD=5V VOH=4.6 V 驱动 1 3.0 4.0 5.5 mA VDD=2.5V VOH=2.3 V 驱动 2 2.5 3.5 5.2 mA VDD=5V VOH=4.6 V 驱动 2 6.7 12.9 19.5 mA VDD=2.5V VOH=2.3 V 4.9 8.6 10.5 mA V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 50/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 （驱动模式 3） 条件 IIOLEAK 端口漏电流 I/O 处于高阻态， 接 VDD 或 VSS RPU I/O 上拉电阻 – I/O 下拉电阻 – I/O 滤波脉宽 – tIOGLITCH [1] 典型值 最大值 单位 11.6 23.8 36.4 mA – 10 – nA 34 34 – 35 35 20 36 36 – kΩ 驱动 3 VDD=5V VOH=4.6 V 驱动 3 RPD 最小值 kΩ ns 表 5-26 I/O 端口电气特性 1 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 51/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 0） 5. 5. 11. 1  IOL vs VOL @VDD=2.5V（驱动 0） VDD=2.5V 1.4 IOL（mA） 1.2 1.0 0.8 -40℃ 0.6 25℃ 0.4 85℃ 0.2 0.0 0.0  0.5 1.0 1.5 VOL （V） 2.0 2.5 3.0 IOH vs VOH @VDD=2.5V（驱动 0） VDD=2.5V -0.4 -0.3 -0.2 IOH （mA） -0.1 0 0.1 -40℃ 0.2 25℃ 0.3 85℃ 0.4 0.5 0 0.5 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1 1.5 VOH （V） 2 2.5 3 52/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=3.5V（驱动 0） IOL （mA） VDD=3.5V 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=3.5V（驱动 0） VDD=3.5V -1.4 -1.2 -1 IOH （mA） -0.8 -0.6 -0.4 -40℃ -0.2 25℃ 0 85℃ 0.2 0.4 0.6 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 VOH （V） 3.0 4.0 53/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.0V（驱动 0） VDD=5.0V 3.0 IOL （mA） 2.5 2.0 -40℃ 1.5 25℃ 1.0 85℃ 0.5 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.0V（驱动 0） VDD=5.0V -3 -2.5 IOH （mA） -2 -1.5 -40℃ -1 25℃ -0.5 85℃ 0 0.5 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 54/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.5V（驱动 0） VDD=5.5V 3.5 IOL （mA） 3.0 2.5 2.0 -40℃ 1.5 25℃ 1.0 85℃ 0.5 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.5V（驱动 0） VDD=5.5V -3.5 -3 IOH （mA） -2.5 -2 -1.5 -40℃ -1 85℃ -0.5 25℃ 0 0.5 1 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 55/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 1） 5. 5. 11. 2  IOL vs VOL @VDD=2.5V（普通端口驱动 1） VDD=2.5V 14.0 IOL（mA） 12.0 10.0 8.0 -40℃ 6.0 25℃ 4.0 85℃ 2.0 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=2.5V（普通端口驱动 1） VDD=2.5V -7 -6 IOH （mA） -5 -4 -40℃ -3 25℃ -2 85℃ -1 0 0 0.5 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1 1.5 VOH （V） 2 2.5 3 56/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=3.5V（普通端口驱动 1） VDD=3.5V 25.0 IOL （mA） 20.0 15.0 -40℃ 10.0 25℃ 85℃ 5.0 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=3.5V（普通端口驱动 1） VDD=3.5V -14 -12 IOH （mA） -10 -8 -40℃ -6 25℃ -4 85℃ -2 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 VOH （V） 3.0 4.0 57/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.0V（普通端口驱动 1） VDD=5.0V 45.0 40.0 35.0 IOL （mA） 30.0 25.0 -40℃ 20.0 25℃ 15.0 85℃ 10.0 5.0 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.0V（普通端口驱动 1） VDD=5.0V -30 -25 IOH （mA） -20 -15 -40℃ -10 25℃ 85℃ -5 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 58/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.5V（普通端口驱动 1） VDD=5.5V IOL （mA） 50.0 45.0 40.0 35.0 30.0 25.0 20.0 15.0 10.0 5.0 0.0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.5V（普通端口驱动 1） VDD=5.5V -30 -25 IOH （mA） -20 -15 -40℃ -10 25℃ 85℃ -5 0 0.0 1.0 2.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 59/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 2） 5. 5. 11. 3  IOL vs VOL @VDD=2.5V（驱动 2） IOL （mA） VDD=2.5V 50.0 45.0 40.0 35.0 30.0 25.0 20.0 15.0 10.0 5.0 0.0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=2.5V（驱动 2） VDD=2.5V -30 IOH （mA） -25 -20 -15 -40℃ 25℃ -10 85℃ -5 0 0 0.5 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1 1.5 VOH （V） 2 2.5 3 60/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=3.5V（驱动 2） IOL （mA） VDD=3.5V 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=3.5V（驱动 2） VDD=3.5V -60 -50 IOH （mA） -40 -30 -40℃ -20 25℃ 85℃ -10 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 VOH （V） 3.0 4.0 61/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.0V（驱动 2） VDD=5.0V 160 140 IOL （mA） 120 100 80 -40℃ 60 25℃ 40 85℃ 20 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.0V（驱动 2） VDD=5.0V -100 -90 -80 IOH （mA） -70 -60 -50 -40℃ -40 25℃ -30 85℃ -20 -10 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 62/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.5V（驱动 2） VDD=5.5V 160 140 IOL （mA） 120 100 80 -40℃ 60 25℃ 40 85℃ 20 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.5V（驱动 2） VDD=5.5V -120 IOH （mA） -100 -80 -40℃ -60 25℃ -40 85℃ -20 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 63/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 芯片 I/O 端口输出特性（驱动 3） 5. 5. 11. 4  IOL vs VOL @VDD=2.5V（驱动 3） VDD=2.5V 120.0 100.0 IOL （mA） 80.0 -40℃ 60.0 25℃ 40.0 85℃ 20.0 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=2.5V（驱动 3） VDD=2.5V -70 -60 IOH （mA） -50 -40 -40℃ -30 25℃ -20 85℃ -10 0 0 0.5 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1 1.5 VOH （V） 2 2.5 3 64/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=3.5V（驱动 3） VDD=3.5V IOL （mA） 200.0 180.0 160.0 140.0 120.0 100.0 80.0 60.0 40.0 20.0 0.0 -40℃ 25℃ 85℃ 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=3.5V（驱动 3） VDD=3.5V -140 -120 IOH （mA） -100 -80 -40℃ -60 25℃ -40 85℃ -20 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 VOH （V） 3.0 4.0 65/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.0V（驱动 3） VDD=5.0V 350.0 IOL （mA） 300.0 250.0 200.0 -40℃ 150.0 25℃ 100.0 85℃ 50.0 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.0V（驱动 3） VDD=5.0V -250 IOH （mA） -200 -150 -40℃ -100 25℃ 85℃ -50 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 66/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册  IOL vs VOL @VDD=5.5V（驱动 3） VDD=5.5V 400.0 350.0 IOL （mA） 300.0 250.0 200.0 -40℃ 150.0 25℃ 100.0 85℃ 50.0 0.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL （V）  IOH vs VOH @VDD=5.5V（驱动 3） VDD=5.5V -250 IOH （mA） -200 -150 -40℃ -100 25℃ 85℃ -50 0 0.0 1.0 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2.0 3.0 VOH （V） 4.0 5.0 6.0 67/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 标号 参数 条件 最小 值 典型 值 最大值 单位 fIOOUT_MAX 最大输出频率 驱动 0 （0.1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 1 MHz tIOFALL 输出电平 从高变低的 下降时间 驱动 0 （0.1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 650 ns tIORISE 输出电平 从低变高的 上升时间 驱动 0 （0.1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 600 ns fIOOUT_MAX 最大输出频率 驱动 1 （1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 MHz tIOFALL 输出电平 从高变低的 下降时间 驱动 1 （1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 ns tIORISE 输出电平 从低变高 的上升时间 驱动 1 （1mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 35 ns fIOOUT_MAX 最大输出频率 驱动 2 （6mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 MHz tIOFALL 输出电平 从高变低的 下降时间 驱动 2 （6mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 ns tIORISE 输出电平 从低变高的 上升时间 驱动 2 （6mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 14 ns fIOOUT_MAX 最大输出频率 驱动 3 （20mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 MHz tIOFALL 输出电平 从高变低的 下降时间 驱动 3 （20mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 25 ns tIORISE 输出电平 从低变高 的上升时间 驱动 3 （20mA）, C= 50 pF, VDD = 2.6 V ~ 5.5 V – – 14 ns tIOPULSE[1] I/O 输入检测 脉宽 – – 20 – ns tEXTI GPIO 中断检 测宽度 – – 2.5 – ms 表 5-27 I/O 端口电气特性 2 注 1：基于芯片设计值得到的电气参数。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 68/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 12 MRST 电气特性 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VILMRST MRST 输入低电平电压,TA=25℃ – 0 – 0.3× VDD V VIHMRST MRST 输入高电平电压,TA=25℃ – 0.7× VDD – VDD V VHSTMRST MRST 迟滞电压 – – 200 – mV tPULSEMRST MRST 有效宽度 – – 1 – ms 表 5-28 MRST 电气特性 注：基于电路设计值得到的电气参数。 以下为 MRST 参考应用电路： VDD D1 R1 DIODE R2 MRST管脚 C1 图 5-5 MRST 应用电路 1 注：采用 RC 复位，其中 10KΩ≤R1≤100KΩ，电容 C1=（0.1μF） ，R2 为限流电阻，0.1KΩ≤R2≤1KΩ。 VDD VDD R1 PNP Q1 R4 R2 R3 MRST管脚 C1 图 5-6 MRST 应用电路 2 注：采用 PNP 三极管复位，通过 R1（2KΩ）和 R2（10KΩ）分压作为基极输入，发射极接 VDD，集电极一路通过 R3（20KΩ）接地，另一路通过 R4（1KΩ）和 C1（0.1μF）接地，C1 另一端作为 MRST 输入。 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 69/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 13 定时器特性参数 标号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fEXT 定时器外部输 入时钟频率 fTIMER_CLK ＜ 72 MHz 0 fTIMER_CLK/3 fTIMER_CLK/3 MHz fTIMER_CLK ≥ 72 MHz 0 fTIMER_CLK/3 30 MHz tres 定时器时间精 度 fTIMER_CLK ＜ 72 MHz 1 – – tTIMER_CLK fTIMER_CLK = 72 MHz 13.9 – – ns 表 5-29 定时器特性参数 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 70/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 14 通信特性参数 5. 5. 14. 1 内部集成电路总线（I2C）特性参数 标号 参数 条件 tWSCLL SCL 时钟 低电平时间 tWSCLH 标准模式（100k） 快速模式（400k） 单位 最小值 最大值 最小值 最大值 – 4.7 – 1.2 – us SCL 时钟 高电平时间 – 4.5 – 1.0 – us tSUSDA SDA 建立时间 – 250 – 100 – ns tHSDA SDA 保持时间 – – 3.5 – 0.9 us tRSDA tRSCL SDA 和 SCL 上升时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ – 5.5 – 3 us tFSDA tFSCL SDA 和 SCL 的下降时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ – 0.2 – 0.1 us START 条件 的保持时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ 4 – 0.54 – us 重复 START 条件的建立时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ 6.3 – 2.4 – us tSUSTO STOP 条件 的建立时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ 5.3 – 1.7 – us tWSTOSTA STOP 至 START 条件的 总线空闲时间 VDD=5V，主模式 4.7k 上拉电阻， 400pf 电容 TA=25℃ 4 – 3.5 – us CBUS 总线电容负载 （注意：SCL 和 SDA 电容负载应 尽量保持一致） – 400 – 400 pF tHSTA tSUSTA 外接电容 400pf TA=25℃ 表 5-30 内部集成电路总线（I2C）特性参数 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 71/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 VDD VDD Rp Rp ES32 SDA I2C Bus { SCL Cp Cp START REPEATED START tr(SDA) SDA { tf(SDA) START tsu(STA) tw(SC LH) th(STA) tsu(SDA) th(SDA) STOP tw(STO:STA) tsu(STO) SCL tf(SCL) tr(SCL) tw(SCLL) 图 5-7 I2C 测试电路和波形 V1.4 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 72/85 http://www.essemi.com ES32F3656/655/654/653/651 数据手册 5. 5. 14. 2 标号 fSCK 串行外设接口（SPI）特性参数 参数 SPI 通信时钟频率 条件 最小值 最大值 单位 主模式，发送 fPCLK1