评估板
EV620 Rev.A Dec,2015
PB620 核心电路评估板
描述:
连接/参考器件
EV620 PB620手册中的核心电路部分。
EV721/HP 采用POWERBUS 技术的主站扩展评估板
EV620 评估板包含了PB620手册中的核心电路部分,可作为模
PB620
采用POWERBUS 技术的增强型主站控制芯片
PB331
采用POWERBUS 技术的从站通讯芯片
组直接批量使用。也可插在EV721/HP上直接进行联网测试。
PB620 主站核心电路部分评估板
评估和设计支持
电路评估板
POWERBUS主站PB620核心电路评估板 EV620
POWERBUS主站接口扩展评估板 EV721/HP
设计和集成文件
特性
◇
抗干扰能力和长线性能有显著的增强
◇
可直接替换PB721或PB721HP
◇
低成本解决方案
原理图、布局文件、物料清单
电路功能与优势
所示电路是一款POWERBUS主站控制芯片PB620的核心
电路部分评估板。
此评估板采用增强型主站控制芯片PB620设计,可以插
在EV721/HP扩展板上进行联网测试。
可参照此电路,规划您的POWERBUS主站设备器件布
局。采用了邮票孔设计,可直接作为POWERBUS控制
子板,批量生产。
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PB620 Peripheral Circuit Evaluation Board
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绝对最大值 (†)
引脚排列
表 1.
图1 引脚排列
参数
V+至GND电压
L+至GND电压
Vcc至GND电压
TX至GND电压
RX至GND电压
BAUD至GND电压
储存温度
工作温度
存储湿度
BRK至GND电流
引脚耐焊接温度
(焊点距离外壳 1.5mm,10 秒)
范围
54 V
54 V
20 V
-0.3 V to 4V
-0.3 V to 4V
-0.3 V to 4V
−55°C to +125°C
−40°C to +85°C
95%
20 mA
300°C
ESD额定值(HBM)
ESD额定值(CDM)
ESD额定值(MM)
4KV
2KV
400V
PIN CONNECTIONS
Top View
注:如果器件工作条件超过上述“绝对最大值”,可能引起器件永久
性损坏。这仅是极限参数,我们不建议器件在极限值或超过上述极限
值的条件下工作。器件长时间工作在极限条件下可能会影响其可靠性
。
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。
VCC
1
14
TX
GND
2
13
BAUD
L+
3
12
GND
11
BRK
10
NC*
BH
4
9
RX
BL
5
8
NC*
V+
6
7
NC*
尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高
能量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采取适当
*NC = NO CONNECT. DO NOT CONNECT TO THIS PIN.
的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。
表2. 引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13 (1)
14
引脚名称
VCC
GND
L+
BH
BL
V+
NC
NC
RX
NC
BRK
GND
BAUD
TX
说明
供电输入
接地
POWERBUS总线输出
MOSFET驱动端
总线驱动
直流电源检测输入
无连接
无连接
串行数据接收。接至MCU的TX
无连接
总线故障指示。总线故障时输出低电平
接地
波特率设置。将此引脚接地设置波特率为2400bps,悬空为9600bps
串行数据发送。接至MCU的RX
(1) 接地时进入高功率模式,通讯速率为2400,最大总线功率20A
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1 快速开始
所需设备
◆ EV620 核心电路评估板
◆ EV721/HP主站接口扩展板
◆ 具有PowerBUS总线接口的从机设备
步骤
本步骤可将本评估板插在EV721/HP上进行测试:
注意:确保正确连接完成之前不要打开电源
图2
1)将插针放于EV721/HP的插座内。可使用2.54间距方针
或2.54间距圆针。如 图2 所示。
2)将EV620压在针上方,如 图3 所示。
3)将板子与插针焊接好。注意焊锡尽量饱满以保证焊接强
度。
4)参考EV721/HP手册,开始测试
【注意】请一定将插针插在孔内再进行焊接,以保证两
图3
侧针之间间距和角度垂直于2.54间距网格。
2 EV620使用注意事项
2.1 Vcc 输入范围
2.2 板载 LDO与 3.3V TTL通讯电平
EV620评估板的Vcc输入处,使用了小体积封装的LM317L
EV620评估板板载了3.3V LDO ,应注意,PB620的输入电
,由于此器件工作时会产生热量。建议此端口输入电压
压和UART接口TTL电平均为3.3V,如MCU不可使用3.3V,
范 围 为 12V-18V。 使 用 高 压 输 入 此 端 口 , 可 能 会 导 致
应进行TTL电平转换,请参考PB620手册中的电平转换电
LM317L发热较大。
路。
此器件选取的计算方式详见PB620手册
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BAUD引脚功能
2
EV620此引脚可以切换9600bps或者2400bps通讯速率。切
换至2400bps时,进入高功率模式,支持总线20A电流。
本核心板为单面布局,背面没有器件。可作为子板,直接
也可作为子板,直接焊接于主站的主控板上
焊接与主控制器的主板上,以下为推荐的主站PCB尺寸布
局图
表3. BAUD 引脚设置
方向
引脚状态
功能
BAUD(Pin13) 输入
高/空悬
低
9600bps @ 5A Max
2400bps @ 20A Max
引脚
25.3
14 × 2.54
20.32
2.286
2.032
7.62
NOTES:A. All linear dimensios are in millimeters
3 EV620应用电路
EV620应用需要除核心电路部分以外的功率器件,这些功率器件设计与选取方式详见PB620手册
Q1
P-MOSFET
FUSE
S
D
C1
DC IN
12V-48V
R1
1Ω/1206
G
R2
22Ω
3
L+
I/O
RXD
TXD
4
BH
MCU
6
V+
12V-18V 1
100mA
Q3
MMBTA55
V CC
13
BAUD
11
BRK
14
TX
9
RX
EV620
GND
R3
TVS
100Ω
E
BL
5
B
Q2
MJD127
C
GND
NOTE:
①
②
③
R1:应选用0.25W(1206)以上
Q2:MJD127建议不要更改型号
其他电阻可使用0603封装
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图4
EV620基本应用电路
PowerBus
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3 EV620原理图
本评估板电路即为PB620手册中的核心电路部分加一颗3.3V的LDO。
V+
BH
6
4
R3
5.1K
V CC 12V-18V
L+
100mA
1
3
IC1
LM317
C1
1uF/25V
R1
5.1K
IN
ADJ
OUT
T2
MMBTA05
T1
MMBTA05
R2
1.2K
R7
15R/0805
R5
470R
LDO
IC3
3.3V
IN OUT
GND
C5
1uF
T4
MMBTA05
1uF
C4
C2
R4
5.1K
9
CONH
BAUD
BRK
TX
RX
13
19
11
20
8
2
14
9
HP
BRK
17
3V3
15
CONM
3.3nF
NPO
R12
1.2K
R13
5.1K
R14
470R
C3
3.3nF
NPO
1
CONL
2
5
3
D2
BAV23S
R9
510R/0805
R10
10
5.1K
TX
RX
2
C1
3
2
12
13
ANA ANV
U1
PB620
D1
BAV23S
R11
470R
T6
MMBTA55
R6
2.7K
T3
MMBTA55
1
BL
R8
5.1K
T5
MMBTA05
12
GND
16
核心电路部分与板载LDO
图4
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EV620 原理图
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Board Layout
Top Layer
BottomLayer
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Bill of Materials
Bill of Materials - EV620
标号
型号
封装
描述
R1 R3 R4 R8 R10 R13
5.1K 1%
0603
YAGEO RC0603FR-075K11L
R2 R12
1.2K 1%
0603
YAGEO RC0603FR-071K2L
R14 R11 R15
470R 1%
0603
YAGEO RC0603FR-07470RL
R6
2.7K 1%
0603
YAGEO RC0603FR-072K7L
R9
510R 1%
0805
YAGEO RC0805FR-07510RL
R7
15R 1%
0805
YAGEO RC0805FR-0715RL
C1 C4 C5
105/35V(X7R)
0603
TDK
C1608X7R1V105K080
C2 C3
3.3nF(npo)
0603
TDK
C1608C0G1H332J080
T1 T2 T4 T5
MMBTA05
SOT-23
DIODES MMBTA05-7-F
T3 T6
MMBTA55
SOT-23
DIODES MMBTA55-7-F
D1 D2
BAV23S
SOT-23
DIODES BAV23S-7-F
IC3
HT7533
SOT-89
HOLTEK HT7533 100mA 3.3V LDO
IC1
LM317L
SOT-89
Texas Instruments LM317LIPK
U1
PB620
QFN-20
PowerBus PB620
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