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R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 13007 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. 低频放大环境额定双极型晶体管 ◆硅 NPN ◆符合 RoHS 环保指令要求 1．主要用途 主要用于电子节能灯、电子镇流器、计算机 开关电源及各类功率开关电路 2．主要特点


耐压高 高温特性好 开关速度快 3．封装外形 TO-220 4．电特性 1 基极(B) 2 集电极(C) 3 发射极(E) 4.1 极限值 除非另有规定，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25℃ 耗散功率 Tc=25℃ 结温 贮存温度 符号 VCBO VCEO VEBO IC 额定值 700 400 9 9 2 85 150 -55～150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A W ℃ ℃ 4.2 电参数 除非另有规定，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 符 号 集电极-基 极击穿电压 集电极-发射极击穿电压 发射极-基 极击穿电压 集电极-基极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基极截止电流 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICEO IEBO 共发射极电流放大系数 hFE* 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 上升时间 下降时间 贮存时间 VCE sat* VBE sat* tr tf ts 特征频率 fT 测 试 条 件 IC=1mA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCB=700V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VEB=9V, IC=0 VCE=5V, IC=1mA VCE=5V, IC=2A IC=5A, IB=2.5A IC=5A, IB=2.5A IC=500mA (UI9600) VCE=10V，IC=0.5A， f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 700 400 9 10 20 10 8 20 35 0.8 1.4 0.5 0.17 0.5 3.0 5.5 5 单 位 V V V μA μA μA V V μs μs μs MHz ＊: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2% 地址：深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 第1页 2013 版 电话：0755-29799516 传真：0755-29799515 R 深圳市晶导电子有限公司 13007 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. 低频放大环境额定双极型晶体管 www.jdsemi.cn 5.特性曲线 图1 安全工作区（ 安全工作区（直流） 直流） 图 2 Ptot– Ptot–T 关系曲线 10 100 Ta=25℃ 80 Ptot-Tc IC (A) Ptot (W) 1.0 60 40 0.1 20 Ptot-Ta 0 0.01 1 10 0 1000 100 150 100 50 V CE (V) Tc (° C) 图 3 静态输出特性曲线 静态输出特性曲线 图 4 hFE-IC 关系曲线 100 8.0 Ta=25℃ Ta=25℃ hFE IC (A) IB =400mA 4.0 10 IB =80mA IB =40mA 0 5 V CE (V) 0 1 1mA 10 图 5 VBEsat-IC 关系曲线 0.01 1 0.1 I C (A) 10 30 图 6 VCEsat-IC 关系曲线 10 1.5 Ta=25℃ IC/IB=2 VBEsat (V) Ta=25℃ IC/IB=2 VCEsat (V) VCE=5V 1 1.0 0.1 0.01 0.1 1 10 0.5 0.1 20 10 1 20 Ic (A) Ic (A) 地址：深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 第2页 2013 版 电话：0755-29799516 传真：0755-29799515 R www.jdsemi.cn 深圳市晶导电子有限公司 13007 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. 低频放大环境额定双极型晶体管 6．产品外形尺寸 产品外形尺寸图 尺寸图(单位： 单位：mm) TOTO-220 地址：深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 第3页 2013 版 电话：0755-29799516 传真：0755-29799515