Hi3798MRBCV2010D000

Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 文档版本 00B02 发布日期 2017-01-15 版权所有 © 上海海思技术有限公司 2017。保留一切权利。 非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部，并不得以任 何形式传播。 商标声明 、 、海思和其他海思商标均为海思技术有限公司的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用 指导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。 上海海思技术有限公司 地址： 深圳市龙岗区坂田华为基地华为总部 网址： http://www.hisilicon.com 客户服务邮箱： support@hisilicon.com 邮编：518129 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 目 前 录 言 概述 Hi3798M V200 datasheet 主要包括如下所示内容，本手册为其中高亮底纹部分。 文档编号 文档名称 文档内容描述 Hi3798M V200 Data Sheet01 基本信息 本文包含如下信息： Hi3798M V200 Data Sheet02 Hi3798M V200 Data Sheet03 文档版本 00B02 (2017-01-15) 硬件信息 系统  产品概述  启动模式  地址空间映射  焊接工艺建议  潮敏参数  订购须知  缩略语 本文包含如下信息：  封装与管脚  电性能参数  原理图设计建议  PCB 设计建议  热设计建议  接口时序 本文包含如下信息：  处理器子系统  安全子系统  恒电区子系统  电源管理与低功耗控制  复位  时钟  系统控制器  外设控制器 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 i Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 文档编号 Hi3798M V200 Data Sheet04 Hi3798M V200 Data Sheet05 文档版本 00B02 (2017-01-15) 目 文档名称 外围设备 数据流/图形图像处理/ 音视频接口 录 文档内容描述  中断系统  Timer  64bit timer  WDG  DMAC 本文包含如下信息：  DDRC  FMC  MMC/SD/SDIO 控制器  GPIO  UART  I2C  IR  KEYLED  SCI  SPI  USB2.0  USB3.0  PCIE  SATA  LSDAC 本文包含如下信息：  ETH  GMAC  FE PHY  TSI  视频编码器  视频解码器  HWC  GPU  VPSS  VDP  HDMI TX  AIAO 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 ii Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 目 录 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3798M V2XX 读者对象 本文档（本指南）主要适用于以下工程师：  技术支持工程师  软件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新 内容。 修订日期 版本 修订说明 2016-08-04 00B01 第一次临时版本发布。 2017-01-14 00B02 修改“4 焊接工艺建议”和“5 潮敏参数”章节。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 iii Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 目 目 前 录 录 言...................................................................................................................................................i 1 产品概述.......................................................................................................................................... 1 1.1 应用场景 ......................................................................................................................................................... 1 1.2 架构................................................................................................................................................................. 2 1.2.1 主控处理器 ........................................................................................................................................... 2 1.2.2 3D 引擎................................................................................................................................................... 2 1.2.3 安全处理 ............................................................................................................................................... 2 1.2.4 存储器接口 ........................................................................................................................................... 3 1.2.5 数据流接口 ........................................................................................................................................... 4 1.2.6 视频编解码器（HiVXE2.0 处理引擎）.............................................................................................. 4 1.2.7 图形和显示处理（Imprex2.0 处理引擎） .......................................................................................... 5 1.2.8 音视频接口 ........................................................................................................................................... 5 1.2.9 外设接口 ............................................................................................................................................... 6 1.2.10 低功耗控制.......................................................................................................................................... 7 2 启动模式.......................................................................................................................................... 8 3 地址空间映射................................................................................................................................ 10 4 焊接工艺建议................................................................................................................................ 15 4.1 概述............................................................................................................................................................... 15 4.2 无铅回流焊工艺参数要求 ........................................................................................................................... 15 4.3 混合回流焊工艺参数要求 ........................................................................................................................... 17 5 潮敏参数........................................................................................................................................ 19 5.1 概述............................................................................................................................................................... 19 5.2 海思产品防潮包装 ....................................................................................................................................... 19 5.2.1 包装信息 ............................................................................................................................................. 19 5.2.2 潮敏产品进料检验.............................................................................................................................. 20 5.3 存放与使用 ................................................................................................................................................... 20 5.4 重新烘烤 ....................................................................................................................................................... 21 6 缩略语............................................................................................................................................ 26 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 v Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 目 录 7 订购须知........................................................................................................... 错误!未定义书签。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 vi Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 插图目录 插图目录 图 1-1 Hi3798M V200 的应用框图 ...................................................................................................................... 1 图 2-1 芯片启动选择流程.................................................................................................................................... 9 图 4-1 无铅回流焊接工艺曲线.......................................................................................................................... 16 图 4-2 封装体测温示意图.................................................................................................................................. 17 图 5-1 干燥真空包装材料示意图...................................................................................................................... 20 图 7-1 芯片 Mark 命名规则 .................................................................................................. 错误!未定义书签。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 vii Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 表格目录 表格目录 表 3-1 地址空间映射 ......................................................................................................................................... 10 表 4-1 无铅回流焊工艺参数.............................................................................................................................. 16 表 4-2 IPC/JEDEC 020D 中的无铅器件封装体耐温标准 ................................................................................. 17 表 4-3 混装回流焊工艺参数表.......................................................................................................................... 18 表 4-4 IPC/JEDEC 020D 中的有铅器件封装体耐温标准 ................................................................................. 18 表 5-1 floor life 参照表 ....................................................................................................................................... 20 表 5-2 重新烘烤参考表 ..................................................................................................................................... 21 表 7-1 系列芯片不同应用的配置......................................................................................... 错误!未定义书签。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 ix Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述 1 产品概述 1.1 应用场景 Hi3798M V200 是用于 IPTV/OTT 机顶盒市场的支持 4KP60 解码的全 4K 高性能 SOC 芯片。集成 4 核 64 位高性能 Cortex A53 处理器和多核高性能 2D/3D 加速引擎；支持 H.265 4Kx2K@P60 10bit 超高清视频解码，高性能的 H.265 高清视频编码，HDR 视频 解码及显示，HDR 转 SDR，BT.2020，Dolby 和 DTS 音频处理；内置 USB2.0、 USB3.0、SDIO3.0、PCIe2.0 等丰富外设接口。可支持客户实现全 4K 业务部署，在图 像质量、码流兼容性、视频播放的流畅性以及整机性能方面保持业界最好的用户体 验，同时满足不断增长的视频通信、卡拉 OK、云游戏、多屏互动等增值业务需求。 图1-1 Hi3798M V200 的应用框图 SD card/WiFi SDIO 3.0 x 2 (Optional) IR Quad-core Cortex A53 32 KB I/D L1 cache 512 KB L2 cache I2C x 3 UART x 3 JTAG DDR SDRAM NAND Flash/ eMMC SPI Nor/SPI NAND Flash DDR3/3L/4 32-bit NAND/EMMC/ SPI PLL 3D GPU Mali 450 OpenGL ES 2.0/1.1 OpenVG 1.1 VDP Video decoder (4K x 2Kp60,10-bit) HEVC/H.264/AVS+/ MPEG-2/MPEG-4/ VC-1/ VP6/VP8/VP9 BootROM/OTP BootRAM Cipher DES/3DES/AES Video processor engine JPEG/PNG decoder Video encoder (1080p30 x 1 or 720p30 x 2) H.264/H.265 VDAC x 1 CVBS HDMI 2.0b TX HDMI out Audio DAC Audio output I2S x 1 Audio CODEC S/PDIF x 1 S/PDIF USB 2.0 x 2 USB 2.0 device USB 3.0 or SATA3.0 or PCIE2.0 USB 3.0 or SATA3.0 or PCIE2.0 device GMAC x 1 /FE PHY x 1 GE PHY or FE Transformer TDE and HWC Low-power processor OSC 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 1 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述 1.2 架构 Hi3798M V200 芯片提供具体内容包括：  主控处理器  3D 引擎  安全处理  存储器接口  数据流接口  视频编解码器  图形和显示处理  音视频接口  外设接口  低功耗控制 1.2.1 主控处理器 Hi3798M V200 集成四核 ARM Cortex A53 作为主控 CPU（Central Processing Unit），完 成系统任务和部分音视频处理功能。  独立的 32KB I-Cache、32KB D-Cache；共享 512KB L2 cache  集成 NEON  支持 DVFS、AVS 动态降功耗功能 1.2.2 3D 引擎 Hi3798M V200 集成高性能四核 Mali GPU，完成 3D 图形和视频处理功能。  支持 OpenGL ES 2.0/1.1/1.0  支持 OpenVG 1.1  可满足 1080P30 典型 UI 处理能力  可满足 1080P30 典型游戏应用 1.2.3 安全处理 Hi3798M V200 提供高级安全功能，可提供以下安全处理特性：  支持 TEE (Trusted Execution Environment)  支持 SVP(Secure Video Path)  支持安全启动  支持安全存储  支持安全升级  支持 JTAG 及其它调试端口保护  支持 OTP 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 2 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息  支持 DRM（Digital Rights Management）  支持可下载 CA（DCAS）  HDMI 输出支持 HDCP2.2/1.4 保护 1 产品概述 1.2.4 存储器接口 Hi3798M V200 提供 DDRC 控制器、Flash 控制器（该控制器同时支持 SPI_NOR 和 SPI_NAND、NAND）、SDIO/MMC 控制器接口。 DDRC 控制器 DDRC（DDR3/3L/DDR4 SDRAM Controller）支持对动态存储器 DDR3/3L DDR4 SDRAM 的存取控制。  最大支持 2GB 容量  内存位宽支持 32bit  最高频率可达 1066MHz  支持待机 Power Down 低功耗功能 Flash 控制器 FMC（Flash Memory Controller）提供存储控制器接口连接片外 SPI NAND Flash、SPI NOR Flash、同步和异步 NAND Flash，从而完成数据的存取。  支持外接 1 片选（SPI NAND Flash 或者 SPI NOR Flash 或者 NAND Flash）。  支持 SPI NOR Flash、SPI NAND Flash、NAND Flash 三种类型的器件。  支持 Standard SPI、Dual-Output/Dual-Input SPI、Quad-Output/Quad-Input SPI、Dual I/O SPI、Quad I/O SPI 五种 SPI 接口类型  支持多种规格的 SPI NAND Flash 器件：    − 支持 2K、4K Page-size 的器件。 − 支持 64、128Pages/Block 的器件。 支持多种规格的 NAND Flash 器件： − 支持 2K、4K、8K、16K Page-size 的器件。 − 支持 64、128、256、512 Pages/Block 的器件。 − 支持 8bit 数据接口位宽的器件。 − 支持 DDR 接口和异步接口器件；支持 Toggle 1.0/2.0，ONFI 2.3 和 ONFI3.0 器 件 支持 ECC 功能（仅对 SPI NAND Flash 和 NAND Flash）： − 支持 8bit/1KB、16bit/1KB、24bit/1KB、28bit/1KB、40bit/1KB、64bit/1KB 的 BCH 码 ECC 校验和纠错（1KB 指 1KB 数量级，并不是严格意义上的 1024Byte）。 − 支持 ECC 校验码生成的使能和关闭、支持 ECC 功能的使能和关闭。 支持 Randomizer 功能。仅在 8K Page-size 和 16K Page-size 的非 ECC0 模式下开启 有效，其他模式中控制器内部关闭。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 3 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述 MMC/SD/SDIO 控制器 Hi3798M V200 集成 3 个高速、高容量 SDIO 3.0/MMC5.0 控制器，提供对 MMC/SD 卡 的读写控制，并可通过 SDIO 接口实现对扩展外设（如蓝牙、WiFi 等）的支持。 其中 2 个支持 1/4bit 模式；另 1 个支持 1/4/8bit 模式，用于 eMMC 启动。 1.2.5 数据流接口 Hi3798M V200 的数据流接口包括以太网接口、传输流接口 TSI（Transport Stream Interface）。 以太网接口 Hi3798M V200 提供 1 个以太网控制器（以下简称 ETH），集成 1 个 10/100Mbits/s PHY； 提供 1 个百兆 Ethernet MAC（Media Access Control）和 1 个千兆 Ethernet MAC。  支持 1 个 10/100Mbits/s PHY 接口或者 1 个 RGMII /RMII 接口  支持工作在 10Mbit/s 或 100Mbit/s 或 1000Mbits/s（千兆 MAC）模式下，支持全双 工或者半双工工作模式  内置 10/100Mbits/s PHY，支持 EEE 功能  支持可配置的目的 MAC 地址过滤表，可以对网口的输入帧进行选择性过滤接收  支持对 CPU 端口流量限制功能，保护 CPU 不被大流量攻击 TSI 接口 Hi3798M V200 集成传输流接口 TSI（Transport Stream Interface）控制器。  支持 MPEG-2 传输流（符合 ISO 13818-1（GB 17975-1）系统层定义）解析和解复 用  支持最多 1 路外部标准串行 TS 输入和 1 路外部标准串行 TS 输入/输出。  支持 3 路来自 memory 的回放 TS 流。  最大支持 96 个硬件 PID 通道，最多同时处理 5 路 TS 流。 1.2.6 视频编解码器（HiVXE2.0 处理引擎） Hi3798M V200 集成 H265/ VP9/H264/AVS+/MVC/VC-1/MPEG-2/MPEG4/AVS/VP6/VP8/ JPEG/PNG 等多协议高清视频、图片解码器，提供强大的视频和图片 编解码能力。  H.265/HEVC Main/Main10 profile@Level5.1 High-tier；最大支持 4Kx2K@60fps 解 码  H.264/AVC BP/MP/HP@ level 5.1；H264/AVC MVC，最大支持 4Kx2K@30fps 解码  VP9 最大支持 4Kx2K@60fps 解码, 10bit 解码  VP6/8 最大支持 1080p@60fps 解码  MPEG-1 最大支持 1080p@60fps 解码  MPEG-2 SP@ML,MP@HL，最大支持 1080p@60fps 解码 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 4 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述  MPEG-4 SP@L0-3,ASP@L0-5，支持 GMC，支持短头格式，最大支持 1080p@60fps 解码  AVS 基准档次@级别 6.0, AVS-P16（AVS+），最大支持 1080p@60fps 解码  VC-1 SP@ML,MP@HL,AP@L0-3，最大支持 1080p@60fps 解码  支持全高清 JPEG Baseline 解码，最大支持 6400 万像素  支持 MJPEG Baseline 解码，最大支持 1080@40fps 解码  支持 PNG 解码，最大支持 6400 万像素  支持 H.265 MP@level 5.1 和 H.264 BP/MP/HP@level 4.2 视频编码,最大支持 1080p@30fps 编码或 2 路 720p@30 fps 编码  支持 JPEG Baseline 编码，最大支持 1080p@30fps 编码  视频编码提供 VBR 和 CBR 模式 1.2.7 图形和显示处理（Imprex2.0 处理引擎） Hi3798M V200 集成专用的 2D 图形处理加速引擎、专用的多层图形/视频叠加引擎 （Hardware Composer Engine）、专用的显示处理引擎。  支持多路图形和视频输入的硬件叠加功能  支持 3 层 OSD，支持 3 个视频层  最大支持 4K*2K 分辨率图像输出  支持马赛克及多区域显示  支持 Mirror 功能  支持 16/32 位色深  支持图形及视频旋转  支持 Letter Box 和 PanScan  支持 3D 视频处理及显示  支持视频、图形多阶垂直和水平缩放，支持无级缩放  支持低延时显示技术  支持全硬件增强型 2D 图形加速引擎  支持全硬件抗锯齿、抗闪烁  支持系数可配置的色彩空间转换（包括 BT2020）  支持图像增强、去噪等功能  支持 De-interlace 处理功能  支持锐化处理  支持亮度、色度、对比度、饱和度调节  支持图形及视频 DB/DR 处理  支持 HDR 1.2.8 音视频接口 Hi3798M V200 集成多种类型的音视频输入输出接口，提供丰富的音视频输入输出能 力。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 5 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述 视频输出接口  支持 1 路 4KP60 或 1920*1080P60+1 路标清同源输出  支持 1 路 HDMI 2.0b TX 输出，支持 HDCP2.2/1.4，最大分辨率支持 4K*2K；  内置 DAC，支持 1 路 CVBS 输出 − 支持 Rovi 和 VBI 视频输出功能 音频输入输出接口  支持 SPDIF 音频输出接口  内置 1 路音频 DAC，支持左右声道（RCA 型、低阻、不平衡输出接口）  支持 1 路 I2S/PCM 数字音频输入/输出  支持 1 路 HDMI TX 音频输出 1.2.9 外设接口 Hi3798M V200 集成丰富的外设接口，用于进行各种外设连接或系统功能扩展。 红外接口 Hi3798M V200 集成专用的红外遥控接收单元 IR（Infrared Remoter）通过红外接口接收 红外数据。  可以灵活配置以适应多种数据格式解码  支持接收数据错误检测  支持红外遥控唤醒  提供 1 个输入接口 LED/KeyPAD 控制器 Hi3798M V200 集成 LED/KeyPAD 控制器，实现 LED 显示控制和按键扫描控制。 USB 控制器 Hi3798M V200 集成 2 个 USB2.0 控制器，同时支持 1 个 USB3.0 控制器。  USB2.0 支持 HOST 功能，支持 android ADB 调试（USB0）  USB2.0 支持低速、高速模式；支持外扩 Hub  USB3.0 向下兼容 USB2.0 PCIE 控制器 Hi3798M V200 集成 1 个 PCI Express 控制器（以下简称 PCIe），主要应用于 PCIe 外扩 WIFI 等。 SATA 控制器 Hi3798M V200 集成 1 个 SATA3.0 控制器，用于连接 SATA 硬盘或扩 eSATA 设备。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 6 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 1 产品概述 GPIO Hi3798M V200 集成多组 GPIO 控制器，每组 GPIO 提供 8 个可编程的输入输出管脚。  每个管脚可以配置为输入或者输出  作为输入管脚时，GPIO 可作为中断源  作为输出管脚时，每个 GPIO 都可以独立地清 0 或置 1 UART Hi3798M V200 集成 3 个 UART（Universal Asynchronous Receiver Transmitter），用于调 试、控制、扩展蓝牙、键盘等外部设备。其中 1 个为 2 线接口，另外 2 个为 4 线接 口。 I2C 控制器 Hi3798M V200 芯片集成 3 个 I2C（The Inter-Integrated Circuit）控制器，实现标准 I2C 主设备功能，可完成对 I2C 总线上的从设备的数据发送和接收。 智能卡接口 Hi3798M V200 芯片集成 SCI（Smart Card Interface）控制器，提供 2 个智能卡的接口。 支持 ISO/IEC 7816-3、ISO/IEC 7816-10 协议，支持异步 T0、T1、T14 传输协议。CPU 通过 SCI 从智能卡中读取数据或向智能卡中写入数据，并完成接口的串并转换（从智 能卡读取数据）和并串转换（向智能卡写入数据）。 1.2.10 低功耗控制 Hi3798M V200 支持多种低功耗模式，并支持多种低功耗控制来动态降低芯片功耗。  支持多种系统工作模式控制。支持正常工作模式、浅待机工作模式、深待机工作 模式等多种系统工作模式。  支持模块级低功耗控制。  支持基于 CPU 负载监控的 DVFS（动态调频调压）功能。  支持基于 CPU 时序监控的 AVS（自动调压）功能。  支持超低功耗待机。支持多种待机唤醒控制，如遥控唤醒、按键唤醒等。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 7 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 2 启动模式 2 启动模式 芯片上电后，系统处于复位状态，复位撤消后 CPU 跳转到内部 bootrom 空间开始执行 bootrom 启动流程，执行完内部 bootrom 启动程序之后，如果外部管脚 USB_BOOT 为 低电平，即指示芯片进行 USB 自举，则系统直接通过 USB 接口启动，否则通过外部 存储器启动。 芯片支持以下 5 种片外储存器件存储 Uboot 启动程序：  SPI Nor Flash  异步 NAND Flash  同步 NAND Flash  SPI Nand Flash  eMMC 默认情况下管脚 USB_BOOT 通过管脚内部的电阻上拉到高电平。 芯片通过 boot_sel 管脚来决定是通过哪种 Flash 启动，具体的流程如图 2-1 所示。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 8 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 2 启动模式 图2-1 芯片启动选择流程 芯片上电 CPU 复位撤销开始执行指令 片内bootrom空间 USB_BOOT=0? N eMMC启动 Y 片外 eMMC启动? N SPI NOR启动 Y 片外 SPI NOR启动? N SPI NAND启动 Y Y 片外 SPI NAND启动? N NAND启动 启动完成 文档版本 00B02 (2017-01-15) USB自举 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 9 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 3 地址空间映射 3 地址空间映射 表3-1 地址空间映射 起始地址 结束地址 对象 大小(单位 Byte) 说明 0x0000_0000 0x7FFF_FFFF DRAM 2G - 0x8000_0000 0xEFFF_FFFF 保留空间 1.75G 0xF000_0000 0xF000_1FFF PCIE0 寄存器空间 8K 0xF000_2000 0xF0FF_FFFF 保留空间 16376K 0xF100_0000 0xF100_FFFF GIC（Generic Interrupt Controller）寄存器空间 64K 0xF101_0000 0xF1FF_FFFF 保留空间 16320K 0xF200_0000 0xF4FF_FFFF PCIE0 MEMORY 及配置空间 48M 0xF500_0000 0xF7FF_FFFF 保留空间 48M 0xF800_0000 0xF800_0FFF Sysctrl 寄存器 4K - 0xF800_1000 0xF800_1FFF IR 寄存器 4K - 0xF800_2000 0xF800_2FFF TIMER01 寄存器 4K - 0xF800_3000 0xF800_3FFF LEDC 寄存器 4K - 0xF800_4000 0xF800_4FFF GPIO5 寄存器 4K - 0xF800_5000 0xF800_7FFF 保留空间 12K - 0xF800_8000 0xF800_8FFF SEC TIMER01 寄存器 4K 0xF800_9000 0xF800_9FFF SEC TIMER23 寄存器 4K 0xF800_A000 0xF83F_FFFF 保留空间 4056K - 0xF840_0000 0xF840_FFFF 8051 Local RAM 64K - 0xF841_0000 0xF8A1_FFFF 保留空间 6208K 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 10 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 3 地址空间映射 起始地址 结束地址 对象 大小(单位 Byte) 说明 0xF8A2_0000 0xF8A2_0FFF PERI_CTRL 寄存器 4K - 0xF8A2_1000 0xF8A2_1FFF IO_CONFIG 寄存器 4K - 0xF8A2_2000 0xF8A2_2FFF CRG 寄存器 4K - 0xF8A2_3000 0xF8A2_3FFF PMC 寄存器 4K - 0xF8A2_4000 0xF8A2_8FFF 保留空间 20K 0xF8A2_9000 0xF8A2_9FFF TIMER23 寄存器 4K - 0xF8A2_A000 0xF8A2_AFFF TIMER45 寄存器 4K - 0xF8A2_B000 0xF8A2_BFFF TIMER67 寄存器 4K - 0xF8A2_C000 0xF8A2_CFFF WDG0 寄存器 4K - 0xF8A2_D000 0xF8A2_DFFF WDG1 寄存器 4K - 0xF8A2_E000 0xF8A2_FFFF 保留空间 8K 0xF8A3_0000 0xF8A3_FFFF MDDRC0 寄存器 64K 0xF8A4_0000 0xF8A7_FFFF 保留空间 256K 0xF8A8_0000 0xF8A8_0FFF SEC_CFG 寄存器 4K - 0xF8A8_1000 0xF8A8_1FFF 保留空间 4K - 0xF8A8_2000 0xF8A8_2FFF PASTC 寄存器（仅内部版本 开放） 4K 0xF8A8_3000 0xF8A8_FFFF 保留空间 52K 0xF8A9_0000 0xF8A9_FFFF MKL 64K 0xF8AA_0000 0xF8AA_FFFF 保留空间 64K 0xF8AB_0000 0xF8AB_FFFF OTP 寄存器 64K 0xF8AC_0000 0xF8AF_FFFF 保留空间 256K 0xF8B0_0000 0xF8B0_0FFF UART0 寄存器 4K - 0xF8B0_1000 0xF8B0_1FFF 保留空间 4K - 0xF8B0_2000 0xF8B0_2FFF UART2 寄存器 4K - 0xF8B0_3000 0xF8B0_3FFF UART3 寄存器 4K - 0xF8B0_4000 0xF8B0_FFFF 保留空间 48K - 0xF8B1_0000 0xF8B1_0FFF I2C0 4K - 0xF8B1_1000 0xF8B1_1FFF I2C1 4K - 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 - - - 11 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 3 地址空间映射 起始地址 结束地址 对象 大小(单位 Byte) 说明 0xF8B1_2000 0xF8B1_2FFF I2C2 4K - 0xF8B1_3000 0xF8B1_7FFF 保留空间 20K - 0xF8B1_8000 0xF8B1_8FFF SCI0 寄存器 4K - 0xF8B1_9000 0xF8B1_9FFF SCI1 寄存器 4K - 0xF8B1_A000 0xF8B1_AFFF SPI0 寄存器 4K 0xF8B1_B000 0xF8B1_FFFF 保留空间 20K 0xF8B2_0000 0xF8B2_0FFF GPIO0 寄存器 4K - 0xF8B2_1000 0xF8B2_1FFF GPIO1 寄存器 4K - 0xF8B2_2000 0xF8B2_2FFF GPIO2 寄存器 4K - 0xF8B2_3000 0xF8B2_3FFF GPIO3 寄存器 4K - 0xF8B2_4000 0xF8B2_4FFF GPIO4 寄存器 4K - 0xF8B2_5000 0xF8B2_5FFF 保留空间 4K 0xF8B2_6000 0xF8B2_6FFF GPIO6 寄存器 4K - 0xF8B2_7000 0xF8B2_7FFF GPIO7 寄存器 4K - 0xF8B2_8000 0xF8B2_8FFF GPIO8 寄存器 4K - 0xF8B2_9000 0xF8B2_9FFF GPIO9 寄存器 4K - 0xF8B2_A000 0xF8B3_6FFF 保留空间 48K 0xF8B3_7000 0xF8B3_FFFF 保留空间 36K 0xF8B4_0000 0xF8B4_FFFF GZIP 寄存器 64K 0xF8B5_0000 0xF8BA_FFFF 保留空间 384K 0xF8BB_0000 0xF8BB_FFFF SYS COUNT 寄存器 64K 0xF8BC_0000 0xF8C0_FFFF 保留空间 320K 0xF8C1_0000 0xF8C1_EFFF TDE 寄存器 60K 0xF8C1_F000 0xF8C1_FFFF TDE MMU 寄存器 4K 0xF8C2_0000 0xF8C2_FFFF 保留空间 64K 0xF8C3_0000 0xF8C3_EFFF VDH 寄存器 60K 0xF8C3_F000 0xF8C3_FFFF VDH MMU 寄存器 4K 0xF8C4_0000 0xF8C4_EFFF JPGD0 寄存器 60K - 0xF8C4_F000 0xF8C4_FFFF JPGD0 MMU 寄存器 4K - 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 - 12 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 3 地址空间映射 起始地址 结束地址 对象 大小(单位 Byte) 0xF8C5_0000 0xF8C6_FFFF 保留空间 128K 0xF8C7_0000 0xF8C7_EFFF PGD 寄存器 60K - 0xF8C7_F000 0xF8C7_FFFF PGD MMU 寄存器 4K - 0xF8C8_0000 0xF8C8_EFFF VEDU 寄存器 60K - 0xF8C8_F000 0xF8C8_FFFF VEDU MMU 寄存器 4K - 0xF8C9_0000 0xF8C9_FFFF JPGE 寄存器 64K - 0xF8CA_0000 0xF8CA_FFFF 保留空间 64K 0xF8CB_0000 0xF8CB_EFFF VPSS0 寄存器 60K - 0xF8CB_F000 0xF8CB_FFFF VPSS0 MMU 寄存器 4K - 0xF8CC_0000 0xF8CC_EFFF VDP 寄存器 60K - 0xF8CC_F000 0xF8CC_FFFF VDP MMU 寄存器 4K - 0xF8CD_0000 0xF8CD_FFFF AIAO 寄存器 64K - 0xF8CE_0000 0xF8CF_FFFF HDMI_TX 寄存器 128K - 0xF8D0_0000 0xF8D2_FFFF 保留空间 192K - 0xF8D3_0000 0xF8D3_0FFF HDMI_TX PHY 寄存器 4K 0xF8D3_0000 0xF91F_FFFF 保留空间 4924K 0xF920_0000 0xF923_FFFF GPU 寄存器 256K 0xF924_0000 0xF981_FFFF 保留空间 6012K 0xF982_0000 0xF982_FFFF SDIO0 寄存器 64K - 0xF983_0000 0xF983_FFFF SDIO2/eMMC/SD 卡 寄存器 64K - 0xF984_0000 0xF984_FFFF GMAC 寄存器 64K - 0xF985_0000 0xF985_FFFF 保留空间 64K 0xF986_0000 0xF986_0FFF PCIE0 保护控制寄存器 4K 0xF986_1000 0xF986_4FFF 保留空间 16K 0xF986_5000 0xF986_5FFF USB2 PHY01 寄存器 4K 0xF986_6000 0xF986_FFFF 保留空间 40K 0xF987_0000 0xF987_FFFF DMAC 寄存器 64K 0xF988_0000 0xF988_FFFF USB2Host0 OHCI 寄存器 64K - 0xF989_0000 0xF989_FFFF USB2Host0 EHCI 寄存器 64K - 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 说明 - 13 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 3 地址空间映射 起始地址 结束地址 对象 大小(单位 Byte) 说明 0xF98A_0000 0xF98A_FFFF USB3_0 寄存器 64K - 0xF98B_0000 0xF98B_FFFF 保留空间 64K - 0xF98C_0000 0xF98F_FFFF USB2OTG0 寄存器 256K - 0xF990_0000 0xF990_FFFF SATA 寄存器 64K 0xF991_0000 0xF994_FFFF 保留空间 256K 0xF995_0000 0xF995_FFFF FMC 寄存器 64K 0xF996_0000 0xF996_0FFF USB2 PHY2 寄存器 4K 0xF996_1000 0xF99E_FFFF 保留空间 572K - 0xF99F_0000 0xF99F_0FFF MutiCipher MMU 寄存器 4K - 0xF99F_1000 0xF99F_FFFF 保留空间 60K - 0xF9A0_0000 0xF9A0_FFFF MutiCIPHER 寄存器 64K - 0xF9A1_0000 0xF9A1_FFFF SHA1（安全） 64K - 0xF9A2_0000 0xF9A2_FFFF SHA2（非安全） 64K - 0xF9A3_0000 0xF9A3_0FFF RSA 寄存器 4K 0xF9A3_1000 0xF9BF_FFFF 保留空间 1916K 0xF9C0_0000 0xF9C0_FFFF PVR0 寄存器 64K - 0xF9C1_0000 0xF9C2_FFFF 保留空间 128K - 0xF9C3_0000 0xF9C3_FFFF ETH 寄存器 64K - 0xF9C4_0000 0xF9C4_FFFF SDIO1 寄存器 64K - 0xF9C5_0000 0xFE1F_FFFF 保留空间 69M - 0xFE20_0000 0xFE2F_FFFF FMC MEM 空间 1M 0xFE30_0000 0xFFFD_FFFF 保留空间 29654K 0xFFFE_FFFF BOOTRAM（remap 模式下） 或者保留（remap 清除模式 下） 0xFFFF_FFFF BOOTROM（remap 模式下） 或者 BOOTRAM（remap 清除 模式下） 0xFFFE_0000 0xFFFF_0000 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 - 64K 64K 14 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 4 焊接工艺建议 4 焊接工艺建议 4.1 概述 【目的】Objective 本章规定了客户端在用海思芯片 SMT 时各温区温度基本设置。 【适用范围】Scope 海思芯片 Hi3798M V200 产品。 【基本信息】Basic information 海思提供给客户端的产品均为 RoHS 产品（HixxxxRBCVxxx 中 R 表示为 RoHS），即均 是 Lead-free（无铅）产品；本章主要介绍客户端在使用海思芯片做回流焊时工艺控 制：主要是无铅工艺和混合工艺两类。 【回流焊工艺控制】Reflow Chart 定义说明：  海思芯片：海思给客户的芯片均为 ROHS 产品，均满足无铅要求。  无铅工艺：所有器件(主板/所有 IC/电容电阻等)均为无铅器件，并使用无铅锡膏的 纯无铅工艺。 4.2 无铅回流焊工艺参数要求 无铅回流焊接工艺曲线如图 4-1 所示。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 15 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 4 焊接工艺建议 图4-1 无铅回流焊接工艺曲线 无铅回流焊工艺参数如表 4-1 所示。 表4-1 无铅回流焊工艺参数 区域 时间 升温速率 峰值温度 降温速率 预热区（40～150℃） 60～150s ≤2.0℃/s - - 均温区（150～200℃） 60～120s ＜1.0℃/s - - 回流区（＞217℃） 60～90s - 230-260℃ - 冷却区（Tmax～180℃） - - - 1.0℃/s≤Slope≤4.0℃/s 说明：  预热区：温度由 40℃～150℃，温度上升速率控制在 2℃/s 左右，该温区时间为 60～150s。  均温区：温度由 150℃～200℃，稳定缓慢升温，温度上升速率小于 1℃/s，且该区 域时间控制在 60~120s（注意：该区域一定缓慢受热，否则易导致焊接不良）。  回流区：温度由 217℃～Tmax～217℃，整个区间时间控制在 60～90s。  冷却区：温度由 Tmax～180℃，温度下降速率最大不能超过 4℃/s。  温度从室温 25℃升温到 250℃时间不应该超过 6 分钟。  该回流焊曲线仅为推荐值，客户端需根据实际生产情况做相应调整。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 16 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息  4 焊接工艺建议 回流时间以 60～90s 为目标，对于一些热容较大无法满足时间要求的单板可将回 流时间放宽至 120s。封装体耐温标准参考 IPC/JEDEC J-STD-020D 标准，封装体 测温方法参考 JEP 140 标准。 IPC/JEDEC J-STD-020D 标准，封装体测温方法按照 JEP 140 标准要求：IPC/JEDEC 020D 中的无铅器件封装体耐温标准如表 4-2 所示。 表4-2 IPC/JEDEC 020D 中的无铅器件封装体耐温标准 Package Volume mm3 Volume mm3 Volume Thickness ＜350 350~2000 ＞2000 ＜1.6mm 260℃ 260℃ 260℃ 1.6mm～2.5mm 260℃ 250℃ 245℃ ＞2.5mm 250℃ 245℃ 245℃ mm3 体积计算中不计入器件焊端（焊球，引脚）和外部散热片。 回流焊接工艺曲线测量方法： JEP140 推荐：对于厚度较小的器件，测量封装体温度时，直接将热电偶贴放在器件表 面，对于厚度较大的器件，在器件表面钻孔埋入热电偶进行测量。由于量化器件厚度 的要求，推荐全部采用在封装体表面钻孔埋入热电偶的方式（特别薄器件，无法钻孔 除外）。如图 4-2 所示。 图4-2 封装体测温示意图 如果是 QFP 封装的芯片，直接将测温探头放在管脚处即可。 4.3 混合回流焊工艺参数要求 回流焊接过程中，如果出现器件混装现象，应首先保证无铅器件的正常焊接。具体要 求如表 4-3 所示。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 17 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 4 焊接工艺建议 表4-3 混装回流焊工艺参数表 有铅 BGA 数值要求 预热区（40～150℃） 均温区（150～183℃） 回流区（＞183℃） 冷却区（Tmax～150℃） 无铅 BGA 其它器件 时间 60～150s 升温斜率 ＜2.5℃/s 时间 30～90s 升温斜率 ＜1.0℃/s 峰值温度 210～240℃ 220～240℃ 210～245℃ 时间 30～120s 60～120s 30～120s 降温斜率 1.0℃/s≤Slope≤4.0℃/s 以上工艺参数要求均针对焊点温度。单板上焊点最热点和最冷点均需要满足以上规范要求。 曲线调制中，还需要满足单板上元器件的封装体耐温要求。封装体耐温标准按照 IPC/JEDEC J-STD-020D 标准，封装体测温方法按照 JEP 140 标准。 IPC/JEDEC 020D 中的有铅器件封装体耐温标准如表 4-4 所示。 表4-4 IPC/JEDEC 020D 中的有铅器件封装体耐温标准 Package Volume mm3 Volume Thickness ＜350 ≥350 ＜2.5mm 235℃ 220℃ ≥2.5mm 220℃ 220℃ mm3 体积计算中不计入器件焊端（焊球，引脚）和外部散热片。 JEP140 标准规定测量封装体温度方法同无铅工艺，请参考 4.2 无铅回流焊工艺参数要 求详细说明。 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 18 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 5 潮敏参数 5 潮敏参数 5.1 概述 【目的】Objective 规定了 IC（潮敏产品）的使用原则，以确保产品使用规范。 【使用范围】 海思生产的所有外销类产品。 【术语解释】  Floor life：海思产品允许在车间保留的最长时间（环境 30℃/60% RH，在拆开防潮 包装到 reflow 之前）  Desiccant(干燥剂)：一种用于吸附潮气而保持干燥的材料  Humidity Indicator Card (HIC)：湿度指示卡  Moisture sensitivity level(MSL)：潮敏等级，本产品潮敏等级为 3 级。  Moisture Barrier Bag (MBB)：防潮包装袋  Solder Reflow：回流焊  Shelf Life：防潮包装后正常存储时间 5.2 海思产品防潮包装 5.2.1 包装信息 干燥真空包装材料包含：  湿度指示卡（HIC）  防潮袋（MBB）  干燥剂 文档版本 00B02 (2017-01-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 上海海思技术有限公司 19 Hi3798M V200 Data Sheet 基本信息 5 潮敏参数 图5-1 干燥真空包装材料示意图 5.2.2 潮敏产品进料检验 客户或者外协厂在生产使用（SMT）之前，打开真空袋子后：  如果 HIC 的最大指示点已经变化（不是蓝色或土黄色），产品必须参照表 5-2 进行 rebake。  如果 HIC 中 10%RH dot 是蓝色或土黄色的，表示产品很干燥，可以仅仅更换防潮 剂后真空封装。  如果 HIC 中 10%RH dot 不是蓝色或土黄色，5%RH dot 已经变红色或浅绿色，表 示产品已经受潮，参考表 5-2 进行 rebake。 5.3 存放与使用 【存放环境】 建议产品真空包装存放，存放在