MOC3083-JSM

MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 1.概述 MOC303X MOC304X MOC306X MOC308X 系列产品是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅双向过零晶闸 管组成的光电耦合器 to r 2.特点  峰值击穿电压 250V:MOC303X uc 400V:MOC304X 600V:MOC306X 800V:MOC308X nd  输入和输出之间高隔离电压（Viso=5000 Vrms）  紧凑双列直插式封装  无铅，符合 RoHS 标准 mi Se 电磁阀控制 镇流器 静态交流电源开关 微处理器 115 到 240VAC 外设接口 白炽灯调光器 温度控制 电机控制 CR 4. 结构原理图和封装 MI 1 JS 2 3 O        co 3.典型应用 Zero Crossing Circuit 6 5 4 www.jsmsemi.com 第１页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 5.印字 to r MOC30VX 参数 正向电流 反向电压 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) CR O 输入 MI 断态输出端电压 总功耗 隔离电压* 工作温度 储存温度 焊接温度（10s） * 在相对湿度 MOC303X MOC304X MOC306X MOC308X 峰值重复浪涌电流(pw=100μs,120pps) 开启态电流（均方根值） 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) JS 输出 Se 6.极限参数 (TA=25°C) mi co ●印字中“ ” 为 品牌 LOGO ●印字中“V” 代表 VDRM 数位：3/4/6/8； “ X” 代表 IFT 数位：1/2/3 ●印字中“YY” 为年份代码 ●印字中“WW”为周次代码 nd uc YYWW 符号 额定值 单位 IF VR 60 6 100 3.8 250 400 600 800 1 100 300 7.4 330 5000 -55~+100 -55~+125 260 mA V mW mW/°C PD VDRM ITSM IT(RMS) PC Ptot Viso Topr Tstg Tsol V A mA mW mW/°C mW Vrms °C °C °C 40 ~ 60%下的进行交流电测试，此时 1、2 和 3 脚短接，4、5 和 6 脚短接。 www.jsmsemi.com 第２页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 7.产品特性参数 (TA=25°C, 除非有特别说明) 参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=30mA - - 1.5 V 反向电流 IR VR=6V - - 10 µA - - 100 nA IDRM1 通态峰值电压 VTM 输出 VDRM = 额定 VDRM, IF = 0mA ITM=100mA 峰值, IF= 额定 IFT MOC303X MOC304X dv/dt MOC306X MOC308X 抑制状态漏电 - VINH VPEAK = 额定 VDRM, IF=0 600 mi IDRM2 3 - - - - VPEAK = 额定 VDRM co 抑制电压 （ＭＴ１－ＭＴ２以上电压不触发） uc 1000 nd 断态电压临界 上升率 - to 断态峰值电流 r 输入 VDRM = 额定 VDRM IF = 额定 IFT V V/μs 20 V 500 µA 抑制状态 Se MOC3031 MOC3041 - - 15 O MOC3061 CR MOC3081 MI LED 触发电流 JS 传输特性 MOC3032 I FT mA 主端电压=3V MOC3042 - - 10 - - 5 - 280 - MOC3062 MOC3082 MOC3033 MOC3043 MOC3063 MOC3083 维持电流 IH www.jsmsemi.com µA 第３页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 8.典型光电特性曲线图 1.8 图 2 通态特性图 800 1.7 600 1.6 400 通态电流 ITM (mA) o TA = -55 C 1.3 o TA = 25 C 1.2 o T A = 100 C 1.1 10 LED 正向电流 IF (mA) -3 0 -2 -1 1 通态电压 VTM (V) 2 3 co 25 20 N o rm a lize d To : P W in ≥10 0 μs mi 1.2 1.1 Se 1.0 0.9 0.8 N o rm a liz e d T o T A = 2 5 ° C 0 20 40 60 8 0 10 0 环境温度 TA(C) CR 0.6 -40 -2 0 O 触发电流 IFT （归一化） -60 0 图 4 LED 触发电流对 LED 脉冲宽度曲线图 1.3 10 5 0 1 5 10 20 50 10 0 LED 触发脉冲宽度 PWin (μs) 100 0 漏电电流 IDRM(nA) 0 2 1000 0 JS -2 0 15 图 6 漏电电流对温度曲线图 MI 图 5 维持电流对温度曲线图 维持电流 IH(mA) -40 0 -800 1.4 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -40 -20 0 100 图 3 触发电流对环境温度曲线图 0.7 0 nd 1 触发电流 IFT （归一化） 1.0 r 1.4 200 to 1.5 uc 正向电压 VF (V) 图 1 LED 正向电压对正向电流曲线图 20 40 环境温度 TA(C) 60 80 www.jsmsemi.com 10 0 10 1 0.1 -4 0 -20 0 20 40 环境温度 TA(C) 60 80 100 第４页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 图 7 静态 dv/dt 测试电路及波形 R TEST 高压脉冲源 R = 1 0 kΩ C TEST 6 2 5 3 4 VT uc 监测V T 波 形 to 被测器件 r 1 VPEAK nd 0.632 x V PEA K co 0V τ RC Se mi 通过 RC 电路施加于被测器件的输出端的高电压脉冲设置到所需的 VPEAK 值上。LED 电流无需加上。波形 VT 使用 X100 探头监测。通过调节 RTEST 值，dv/dt（斜度）增加，直到被测器件观察到被触发（波形崩溃）。dv/dt 然后下 降，直到被测器件停止被触发。此时，记录τRC 值并可计算 dv/dt 了。 dv/dt  0.632  VPEAK  RC O 例如，对于MOC306X 系列 VPEAK = 600V。其 dv/dt 值如下计算得到： 0.632  600 379.2   RC  RC JS MI CR dv/dt  www.jsmsemi.com 第５页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 9.外形尺寸 单位：mm 6.5 0±0. 30 7.6 2 TYP. 4.5 0±0. 30 7. 12 ±0.30 2.5 4 TYP. 5 o~ 15 o to 0. 25 r 0 .50 ±0. 10 co nd uc 6-pin DIP 6 .50 ±0. 30 mi 1. 3 0 3. 50±0 .30 4.30 ±0. 30 2. 54 TYP. Se 7.1 2±0. 30 0. 25 0.6M IN 10. 30Max CR O 6-pin SMD 7.6 2 TYP. MI 10.包装 ■汇总表 包装方式 JS 封装 形式 卷盘 SMD-6 (ϕ330mm 蓝 盘) DIP-6 盘 数 盒数量 箱数量 静电袋 盒规格 箱(双瓦楞)规格 备注 量 1 千 2 盘/盒 10 盒/ 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少 只/ 箱 200mm 盘 65 50 管/盒 10 盒/ 管装 只/ 箱 (500*12*11mm) 管 不适用 525*128*56mm 535*275*300mm 每管使用蓝白胶塞， 方向须一致 www.jsmsemi.com 第６页，共７页 MOC303X/304X/306X/308X 双向过零晶闸管驱动光电耦合器 11. 注意 JSMSEMI持续不断改进质量、可靠性、功能或设计，保留此文件更改的权利恕不另行通知。  请遵守产品规格书使用，不对使用时不符合产品规格书条件而导致的质量问题负责。  本产品不用于军事、飞机、汽车、医疗、生命维持或救生等可能导致人身伤害或死亡的设备或装置。如需要 高可靠性且用于以上特定设备或装置的产品，请联系我们销售人员以获取建议。  如对文件中表述的内容有疑问，欢迎联系我们。 JS MI CR O Se mi co nd uc to r  www.jsmsemi.com 第７页，共７页