AP2112K-3.3TRG1(MS)

AP2112K-X.XTRG1(MS) 产品手册 AP2112K-X.XTRG1(MS) 静态电流 2μA, 输出电流 600mA 低压降线性降压转换器 概述 AP2112K-X.XTRG1(MS) 系 列 是 一 组 低 压 差 (LDO) 转 换 器 ，具 有 1.2V至6V宽电压输入范围、低压差、低功耗和小型化 封装的等特性。 AP2112K-X.XTRG1(MS) 低至 2uA 低静态电流特性，特别适合用于电池供 电、长时间待机系统设备应用，能帮助降低系 统设备的待 机 功 耗 ，有 效 延 长 待 机 时 间 和 电 池 使 用 寿 命 。AP2112K-X.XTRG1(MS) 有带 EN 使能 引脚 的版 本可 选， 将 EN 脚拉 低 可进 入 关断模式，此关断模式下静态电流可降至仅10nA (典型值)。 AP2112K-X.XTRG1(MS) 系列支持输出电容采用陶瓷电容器，在 1.2V 至 6 V 的 宽 输 入 电 压 范 围 内 和 整 个 输 出 负 载 电 流 0 mA- 600mA 范围内稳定工作。 产品特性  2uA 静态电流 (无负载)  ±2%输出电压精度  600mA 输出电流能力  10nA 关断电流(可选版本)  宽范围输入电压: 1.2V 至 6V  低压差: 0.32V  支持固定输出电压：1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V  支持陶瓷电容或者钽电容  限流保护  过温保护  提供 SOT-23-5封装 (Vo=3.3V/Io=600mA 条件下) 产品用途  手持式、电池供电设备  无线通讯设备  低功耗微处理器  音频/视频设备  笔记本电脑、 掌上型电脑和 PDA  车载导航系统 产品信息 SOT-23-5 封装脚位图 AP2112K-1.2TRG1(MS) AABS **** AP2112K-2.8TRG1(MS) AABU **** AP2112K-1.8TRG1(MS) AABT **** AP2112K-3.0TRG1(MS) AAAX **** AP2112K-3.3TRG1(MS) AAAA **** Copyright© Msksemi Incorporated 注：****代表生产编码 www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 引脚功能描述 脚位号 名称 功能描述 2 GND 接地 5 VOUT 电源输出端口 1 VIN 电源输入端口 3 EN 使能控制 4 NC 浮空脚 AP2112 K - X.X TR G1 (MS) 产品名称 品牌标识 Green SOT-23-5 Tape & Reel 输出电压: 1.2=1.2V 1.8=1.8V 2.8=2.8V 30=3.0V 33=3.3V 订购信息 型号 输出电压 封装 最小包装 AP2112K-1.2TRG1(MS) 1.2V SOT-23-5 3000/7‖/Tape & Reel AP2112K-1.8TRG1(MS) 1.8V SOT-23-5 3000/7‖/Tape & Reel AP2112K-2.8TRG1(MS) 2.8V SOT-23-5 3000/7‖/Tape & Reel AP2112K-3.0TRG1(MS) 3.0V SOT-23-5 3000/7‖/Tape & Reel AP2112K-3.3TRG1(MS) 3.3V SOT-23-5 3000/7‖/Tape & Reel Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 典型应用电路 VOUT VIN 1uF 1uF GND 图 1：固定输出应用电路 EN VOUT 1K VIN 1uF 1uF GND 图 2: 带使能脚的固定输出应用电路 EN VOUT 1K VIN SNS 1uF 1uF GND 图 3: 固定输出带使能功能和输出电压检测功能之应用电路 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) EN VOUT NC 1K R1 VIN 1uF SNS 1uF GND R2 图 4: 带使能脚和输出电压检测可调电压输出应用电路 产品功能框图 Current/Thermal Sense EN VREF VOUT (Without SNS Pin) (Without EN Pin) VIN SNS RT RB EN GND Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 最大耐压值 (Note 1) VIN 至 GND ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ -0.3V to 7V VOUT, EN 至 GND --------------------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to 6V VOUT 至 VIN ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- -6V to 0.3V 封装热阻 (Note 2) θJA ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 200 ℃ /W 引脚焊锡温度 (Soldering, 10 sec.) --------------------------------------------------------------------------- 260℃ 结点温度 --------------------------------------------------------------------------------------------------- 150℃ 存储温度范围 --------------------------------------------------------------------------------------- -60 o C to 150 o C ESD 静电 HBM ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 2KV MM ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 200V CDM ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 2KV 建议应用条件 输入电压 VIN ---------------------------------------------------------------------------------------------------------应用结温范围 ---------------------------------------------------------------------------------------应用环温范围 ----------------------------------------------------------------------------------------- Copyright© Msksemi Incorporated -40 1.2V to 6V oC to 125 o C -40 o C to 85 o C www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 电气特性 ( VIN =5V, VEN = 5V TA=25oC 除另有说明外 ) 参数 输入电压 符号 VIN 输出电压精准度 SNS 输入电流 测试条件 ILOAD =0.1mA 最小值 典型值 最大值 单位 1.2 -- 6.0 V 2 % -2 ISNS SNS = VOUT 0.7 VDROP_3.3V VOUT ≥ 3.3V 0.32 VDROP_3V VOUT ≥ 3V 0.32 VDROP_2.8V VOUT = 2.8V 0.36 VDROP_1.8V VOUT = 1.8V 0.57 VDROP_1.2V VOUT = 1.2V 0.8 静态电流 IQ ILOAD = 0mA 2 关闭电流 ISD VEN = 0V, VOUT = 0V VIH EN Rising VIL EN Falling IEN VEN = 5V Dropout 电压 (ILOAD =600mA) (Note 3) 使能电压阈值 EN 输入电流 0.01 μA V μA 0.5 μA 1.7 V 0.6 10 100 nA ILOAD =30mA, 输入电压调整率 ΔLINE 1.5V ≤ VIN ≤ 5.5V or 0.2 % 0.2 % 601 1100 mA (VOUT + 0.2V) ≤ VIN ≤ 5.5V 负载电压调整率 ΔLOAD 输出电流限流值 ILIM 电源抑制比 (ILOAD =5mA) PSRR 输出电流噪声 10mA ≤ ILOAD ≤ 0.3A VOUT =0V VOUT =1.2V, f = 100Hz -- 80 -- VIN = 2V f = 1kHz -- 75 -- VOUT =0.9V -- 40 -- VOUT =2.8V -- 70 -- -- 155 -- °C -- 15 -- °C -- 80 -- Ω VIN = 3.5V (BW = 10Hz to 100kHz, COUT ILOAD =0.1A =1μF,) 过温度关断温度 TSD 过温度关断迟滞 ΔTSD 放电电阻 RDC dB μVRMS ILOAD =10mA EN = 0V , VOUT = 0.1V Note 1. 任何超过“最大耐压值”的应用可能会导致芯片遭受永久性损坏。这些是额定最大耐压值，仅表 示在这个范围内芯片不会损伤，但不保证所有性指标都正常，在任何超过"最大耐压值“的场合 使用，都可能导致芯片永久性损坏。在接近或等于最大耐压值情况下使用，可能会影响产品可 靠性。 Note 2. θJA 测量条件： TA = 25°C，使用 EVB 板。 Note 3. VDROP = VIN − VOUT （VOUT 达到 98%标准值）。 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 典型电气特性 VOUT vs. Input voltage 0.81 VOUT (V) 0.805 0.8 0.795 ILOAD = 0.1mA 0.79 1 2 3 4 5 Input Voltage(V) Ground Current vs Loading Current Ground Current vs Input Voltage 320 3 2 1 VOUT = 0.8V ILOAD = 0A Ground Current (uA) Ground Current (uA) 4 280 240 200 160 120 80 VIN = 4V 40 VOUT = 0.8V 0 0 1 2 3 VIN (V) Copyright© Msksemi Incorporated 4 5 0 100 200 300 400 500 600 Loading Current (mA) www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) Shutdown Ground Current vs. Temperature 0.35 SNS Input Current (μA) VOUT = 0.8V VIN = 5V 0.3 0.25 ISD (μA) SNS Input Current vs. Temperature 1 0.2 0.15 0.1 0.05 0. 90. 80. 70. 60. 50. 40. 30. VOUT = 0.8V VIN = 5V 20. 1 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 0 -40 -20 0 Temperature (℃) 20 40 60 80 100 120 Temperature (℃) Current Limit Response VOUT (1V/Div) CH1: VOUT CH4: IOUT ILOAD (400mA/Div) 2mS/Div Load Transient Response I Copyright© Msksemi Incorporated Load Transient Response II www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) Line Transient Response VOUT Turn On/Off by EN PSRR vs. Frequency Noise Density Spectrum Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 应用指导 输入和输出电容 可调输出电压应用 AP2112K-X.XTRG1(MS)系列产品应用，需要选择合适 AP2112K-X.XTRG1(MS)带 SNS Pin 版本可同时作为可调 的输入电容和输出电容，以确保产品应用获得稳定可靠 输出电压 LDO。图 4 是可调输出电压典型应用电路。从 的性能。使用 1uF 或者更大容值的输入电容，并将其靠近 VOUT 到 SNS 的分压电阻网络设定输出电压，输出电压值 IC 的 VIN 和 GND pin 脚摆放。输出电容可选用 1mΩ以 由 R1 和 R2 的值决定。为确保输出电压的输出精度，需 上 ESR（等效串联阻抗） ，有效容值 1uF 至 22uF 的电容 要合理选择 R1和 R2 的值，以减少 SNS 脚处输入电流的 。并将输出电容靠近IC 的 VOUT 和 GND 脚摆放。增加输 温度影响。为了满足上述要求，建议流过分压电阻器的电 出电容的容值和降低ESR 能够提升电路的 PSRR 和瞬态 流大于 50uA。可调输出电压计算公式如下： VOUT = 响应能力。 𝑅1+𝑅2 𝑅2 × VSNS (1) 电流限制功能 VSNS 取决于选用的产品型号 AP2112K-X.XTRG1(MS) AP2112K-X.XTRG1(MS)系列产品内部的电流限制器可 ，VSNS 值为0.8V。由于可调输出分压电阻最小 50uA 电 持续监控及控制输出功率晶体管，将输出电流限制至 流的要求，整个降压电路的静态电流不再是 2uA。 1100mA（典型值）。限流功能确保输出可以短路至地， 器件不会损坏。 OTP (过温度保护) Dropout 电压 当产品的结点温度超过 155°C（典型值）时，AP2112K- AP2112K-X.XTRG1(MS)系列采用 PMOS 传输晶体管来 X.XTRG1(MS)会关闭 P-MOS 关闭输出。当结点温度往回 实现低压差。当( VIN – VOUT ) 小于 (VDROP)时，PMOS 晶 降大约 15°C 时，AP2112K-X.XTRG1(MS)会重新自动重 体管处于线性工作区域，输入至输出阻抗即为 PMOS 的 启工作。 RDS(ON) ，在此状态下，PMOS 等效于一颗电阻，VDROP 和 输出电流近似成比例。和其他线性电压转换器一样， AP2112K-X.XTRG1(MS)系列的PSRR 和瞬态响应能力会 随着( VIN – VOUT )压差接近 VDROP 而下降。 　 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) 热散功率 持续工作时，IC 的结点温度不应超过其额定值。最大的 热散功率(PD)等于输出电流和 LDO 上的压降的乘积，计 热散功率取决于 IC 封装的热阻、PCB 布图、周围气流速 算公式如下： 率以及结点和环境温度的差异。最大热散功率计算如下： PD = (VIN – VOUT) × IOUT 环温 TA=25°C, 使用 PCB, PD ( Max ) = ( 125°C − 25°C ) / ( 200°C/W ) = 0.5W Layout 注意事项 将输入电容、输出电容和 LDO 放置在 PCB 的同一面，并尽量将电容器靠近 IC 的输入输出脚摆放，可实现电路最佳 性能。输入电容和输出电容的接地连接必须拉回到 AP2112K-X.XTRG1(MS)的接地引脚，并使用短而粗的铺线连接 。避免使用长走线、窄走线、或者通过过孔走线，这些会增加寄生电感和电阻，导致电路性能变差，特别是在瞬态 工作条件下。 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) Package Outline Dimensions Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min. Max. Min. Max. A 1.050 1.250 0.041 0.049 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 1.050 1.150 0.041 0.045 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.100 0.200 0.004 0.008 D 2.820 3.020 0.111 0.119 E 2.650 2.950 0.104 0.116 E1 0.059 e 1.500 1.700 0.950(BSC) 0.067 0.037(BSC) e1 1.800 2.000 0.071 0.079 L 0.300 0.600 0.012 0.024 θ 0° 8° 0° 8° Suggested Pad Layout Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com AP2112K-X.XTRG1(MS) Attention ■ Any and all MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein do not handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support have specifications that can systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your MSKSEMI Semiconductor representative nearest you before using any MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein in such applications. ■ MSKSEMI Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specificationsof any andall MSKSEMI Semiconductor products described orcontained herein. ■ Specifications of any and all MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein stipulate the performance, characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer’s products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer’sproducts orequipment. ■ MSKSEMI Semiconductor. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all semiconductor products fail with someprobability. It is possiblethat these probabilistic failures could give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits anderror prevention circuitsfor safedesign, redundant design, and structural design. ■ In the event that any or all MSKSEMI Semiconductor products(including technical data, services) described or contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without obtaining the export license from theauthorities concerned in accordance with the above law. ■ No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission of MSKSEMI Semiconductor. ■ Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume production. MSKSEMI Semiconductor believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied regarding its use or any infringementsof intellectual property rights or other rightsof third parties. ■ Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to product/technology improvement, etc. Whendesigning equipment, referto the "Delivery Specification" for the MSKSEMI Semiconductor productthat you intend to use. Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com