RT9080-18GJ5-MS

RT9080 产品手册 RT9080 静态电流 2μA, 输出电流 600mA 低压降线性降压转换器 概述 RT9080系 列 是 一 组 低 压 差 (LDO) 转 换 器 ， 具 有 1.2V至6V宽电压输入范围、低压差、低功耗和小型化封装的等特性。 RT9080低至 2uA 低静态电流特性，特别适合用于电池供 电、长时间待机系统设备应用，能帮助降低系统设备的待 机 功 耗 ，有 效 延 长 待 机 时 间 和 电 池 使 用 寿 命 。 RT9080有带 EN 使能 引脚 的版 本可 选， 将 EN 脚拉 低 可进 入 关断模 式，此关断模式下静态电流可降至仅10nA (典型值)。 RT9080 系列支持输出电容采用陶瓷电容器，在 1.2V 至 6 V 的 宽 输 入 电 压 范 围 内 和 整 个 输 出 负 载 电 流 0 mA- 600mA 范围内稳定工作。 产品特点   2uA 静态电流 (无负载)  ±2%输出电压精度  600mA 输出电流能力  10nA 关断电流(可选版本)  宽范围输入电压: 1.2V 至 6V  低压差: 0.32V 支持固定输出电压： 0.8V, 1.0V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V (Vo=3.3V/Io=600mA 条件下)  支持陶瓷电容或者钽电容  限流保护  过温保护  提供 SOT-23-3、 SOT-23-5、 DFN1x1-4L 和 DFN2x26L 封装 产品用途  手持式、电池供电设备  低功耗微处理器  笔记本电脑、 掌上型电脑和 PDA  无线通讯设备  音频/视频设备  车载导航系统 封装脚位图 SOT-23-3 Copyright© Msksemi Incorporated SOT-23-5 SOT-23-5 DFN1x1-4L DFN2x2-6L www.msksemi.com RT9080 引脚功能描述 RT9080 脚位号 名称 功能描述 SOT-23-3 SOT-23-5 DFN1x1 DFN2x2 1 2 2 3 GND 2 5 1 1 VOUT 电源输出端口 3 1 4 6 VIN 电源输入端口 3 3 4 EN 使能控制 2,5 NC 浮空脚 4 Exposed Exposed Pad Pad SGND 接地 散 热焊盘，浮空或连接到地 RT9080N ( SOT-23-5 有 SNS 脚版本 ) 脚位号 SOT-23-5 名称 功能描述 1 VIN 电源输入端口 2 GND 接地 3 EN 4 SNS 输 出电压检测 5 VOUT 电压输出端口 Copyright© Msksemi Incorporated 使能控制 www.msksemi.com RT9080 产品信息 RT9080-AABB-MS 代码 AA BB 描述 输出电压 封装类型 RT9080N-AABB-MS ( SOT-23-5 有 SNS 脚版本 符号 说明 08 VOUT = 0.8V .. .. 25 VOUT = 2.5V .. .. 33 VOUT =3.3 V 075 VOUT =0.75 V 105 VOUT =1.05 V 285 VOUT =2.85 V S3 SOT-23-3 GJ5 SOT-23-5 D4 DFN1x1-4L D6 DFN2x2-6L ) 代码 描述 符号 说明 AA 基准电压 08 VOUT = 0.8V BB 封装类型 GJ5 Notes : VOUT = ( R1 + R2 ) / R2 X 0.8V , And R2 < 16K Copyright© Msksemi Incorporated SOT-23-5 . www.msksemi.com RT9080 图 1：固定输出应用电路 图 2: 带使能脚的固定输出应用电路 图 3: Copyright© Msksemi Incorporated 固定输出带使能功能和输出电压检测功能之应用电路 www.msksemi.com RT9080 图 4: 带使能脚和输出电压检测可调电压输出应用电路 产品功能框图 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 错误！未找到图形项目表。 (Note 1) VIN 至 GND┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄-0.3V to 7V VOUT, EN 至 GND┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄-0.3V to 6V VOUT 至 VIN┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄-6V to 0.3V 封装热阻 (Note 2) SOT-23-5, SOT-23-3, θ JA ┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄200℃ /W DFN1x1-4L, θ JA┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 195℃ /W DFN2x2-6L , θ JA 引 脚 焊锡 温 度 ┄┄┄ ┄┄┄ ┄┄┄┄┄ ┄┄┄ ┄┄ ┄┄┄ ┄ ┄┄┄ ┄ ┄ ┄┄ ┄┄ ┄ ┄ ┄┄┄ ┄ ┄ ┄┄┄ ┄ ┄ ┄┄ ┄┄ ┄ ┄┄ ┄ ┄┄ ┄ 95℃ /W (Soldering, 10 sec .) ┄┄┄ ┄┄┄ ┄┄ ┄ ┄┄ ┄ ┄┄ ┄┄ ┄ ┄┄ ┄┄ ┄ ┄ ┄┄┄ ┄ ┄ ┄┄┄ ┄ ┄ ┄┄ ┄┄ ┄ 260℃ 结点温度┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄150℃ 存储温度范围┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄60℃to150℃ ESD 静电 HBM┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄2KV MM┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 200V CDM┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄2KV 建议应用条件 输 入 电 压 VIN ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 1.2V to 6V 应用结温范围 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 40℃to 125℃ 应用环温范围 --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 40℃to85℃ Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 电气特性( VIN =5V, VEN = 5V TA=25oC 除另有说明外 1.2 VIN 输入电压 -2 ILOAD =0. 1mA 输 出电压精准度 -- SNS = VOUT 0.7 VDROP_ 3 V VOUT ≥ 3V 0.32 VDROP_2 . 8 V VOUT = 2.8V 0.36 VDROP_2 . 5 V VOUT = 2.5V 0.36 VDROP_1 . 8 V VOUT = 1.8V 0.57 VDROP_1 . 5 V VOUT = 1.5V 0.71 VDROP_1 . 2 V VOUT = 1.2V 0.8 VDROP_0 . 8 V VOUT = 0.8V 1.1 静态电流 IQ ILOAD = 0mA 2 关闭电流 ISD VEN = 0V, VOUT = 0V VIH EN Rising VIL EN Falling IEN VEN = 5V ISNS SNS 输 入 电 流 Dropout 电压 (ILOAD =600mA) (Note 3) 使 能电压阈值 EN 输入电流 0.01 6.0 V 2 % μA V μA 0.5 μA 1.7 V 0.6 10 100 nA ILOAD =30mA, Δ LINE 输 入电压调整率 0.2 % 0.2 % 601 1100 mA 1.5V ≤ VIN ≤ 5.5V or (VOUT + 0.2V) ≤ VIN ≤ 5.5V 负 载电压调整率 Δ LOAD 输 出电流限流值 ILIM 电源抑制比 PSRR (ILOAD =5mA) 输 出电流噪声 ( BW = 10Hz to 10mA ≤ ILOAD ≤ 0.3A VOUT =0V VOUT =1.2V, f = 100Hz -- 80 -- VIN = 2V f = 1kHz -- 75 -- VOUT =0.9V -- 40 -- -- 70 -- -- 155 -- °C -- 15 -- °C -- 80 -- Ω VIN = 3.5V 100kHz, ILOAD =0. 1A COUT VOUT =2.8V dB μVRMS =1μF,) 过温度关断温度 TSD 过温度关断迟滞 Δ TSD 放电电阻 RDC ILOAD =1 0mA EN = 0V , VOUT = 0. 1V Note 1. 任何超过“最大耐压值”的应用可能会导致芯片遭受永久性损坏。这些是额定最大耐压值，仅表 示 在 这 个 范围内芯片不会损伤，但不保证所有性指标都正常，在任何超过"最大耐压值“的场合 使 用 ， 都 可能导致 芯片永久性损坏。在接近或等于最大耐压值情况下使用，可能会影响产品可靠性。 Note 2. θJA 测量条件：TA = 25°C，使用 EVB 板。 Note 3. VDROP = VIN − VOUT (VOUT 达到 98%标准值) 。 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 典型电气特性 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 应用指导 RT9080系列产品应用，需要选择合适的输入电容和输出 电 容，以确保产品应用获得稳定可靠的性能。使用 1uF 或 者更大容值的输入电容，并将其靠近 IC 的 VIN 和 GND pin脚摆 放。 输出 电容 可选 用 1mΩ以上 ESR (等效 串联 阻 抗)，有效容值 1uF 至 22uF 的电容。并将输出电容靠近IC的 VOUT 和GND脚摆放。增加输出电容的容值和降低 ESR 能够提升电路的PSRR和瞬态响应能力。 RT9080系列产品内部的电流限制器可持续监控及控制 输 出 功率晶体管，将输出电流限制至1100mA(典型值)。 限 流功能确保输出可以短路至地，器件不会损坏。 Dropout RT9080系列采用 PMOS 传输晶体管来实现低压差。当( VIN – VOUT ) 小于(VDROP)时，PMOS 晶体管处于线性工作区 域 ，输入至输出阻抗即为PMOS的RDS(ON) ，在此状 态下，PMOS 等效于一颗电阻，VDROP和输出电流近似成 比例。和其 他线性电压转换器一样，RT9080系列的PSRR和瞬态响应能力会随着( VIN – VOUT )压差接近 VDROP 而下降。 RT9080N带SNS Pin版本可同时作为可调输出电压LDO。图 4是可调输出电压典型应用电路。从VOUT 到SNS的分 压电阻 网络设定输出电压，输出电压值由R1和R2的值决 定 。为确 保输 出电 压的 输出 精度 ，需要 合理 选择 R1和R2的值， 以 减少 SNS 脚处输入电流的温度影响。为了满足上述要求，建议流过分压电阻器的电流大于50uA。 可 调输出电压计算公式如下： VOUT = × VSNS (1) VSNS 取决 于选 用的 产品 型号 RT9080N-08 ， VSNS 值为 0.8V。由于可调输出分压电阻最小 50uA电流的要求，整个 降压电路的静态电流不再是2uA。 OTP ( ) 当 产 品 的结点温度超过 155°C (典型值) 时，RT9080会关闭 P-MOS 关闭输出。当结点温度往回降大约 15°C 时， RT9080会重新自动重启工作。 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 持续工作时，IC 的结点温度不应超过其额定值。最大的 热 散 功 率取决于 IC 封装的热阻、PCB 布图、周围气流速 率以及结点和环境温度的差异。最大热散功率计算如下： 环 温 TA =25°C, 使用 PCB, SOT-23-3 / SOT-23-5 封装： PD ( Max ) = ( 125°C − 25°C ) / ( 200°C/W ) = 0.5W DFN1x1-4L 封 装 ： PD ( Max ) = ( 125°C − 25°C ) / ( 195°C/W ) = 0.51W DFN2x2-6L 封 装 ： PD ( Max ) = ( 125°C − 25°C ) / ( 95°C/W ) = 1.05W 热 散功率(PD)等于输出电流和 LDO 上的压降的乘积，计 算公式如下： PD = (VIN – VOUT) × IOUT Layout 将输入电容、输出电容和 LDO 放置在 PCB 的同一面，并尽量将电容器靠近 IC 的输入输出脚摆放，可实现电路 最佳 性 能 。输入电容和输出电容的接地连接必须拉回到 RT9080的接地引脚，并使用短而粗的铺线连接。避免使 用长走 线 、 窄 走 线、或者通过过孔走线，这些会增加寄生电感和电阻，导致电路性能变差，特别是在瞬态工作条 件下。 Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 封装信息 Symbol A A1 B b C D e H L Millimeters Min. 0.889 0.000 1.397 0.250 2.591 2.692 0.838 0.080 0.300 Max. 1.295 0.152 1.803 0.560 2.997 3.099 1.041 0.254 0.610 Inches Min. 0.035 0.000 0.055 0.010 0.102 0.106 0.033 0.003 0.012 Max. 0.051 0.006 0.071 0.022 0.118 0.122 0.041 0.010 0.024 SOT-23-3L Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Symbol A A1 B b C D e H L Millimeters Min. 0.889 0.000 1.397 0.250 2.591 2.692 0.838 0.080 0.300 Max. 1.295 0.152 1.803 0.560 2.997 3.099 1.041 0.254 0.610 Inches Min. 0.035 0.000 0.055 0.010 0.102 0.106 0.033 0.003 0.012 Max. 0.051 0.006 0.071 0.022 0.118 0.122 0.041 0.010 0.024 SOT-23-5L Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Symbol A A1 A3 b D D2 E E2 e L H H1 Millimeters Max. 0.400 0.050 0.162 0.280 1.100 0.550 1.100 0.550 Min. 0.300 0.000 0.117 0.175 0.900 0.430 0.900 0.430 Inches 0.650 0.200 Max. 0.016 0.002 0.006 0.011 0.043 0.022 0.043 0.022 Min. 0.012 0.000 0.005 0.007 0.035 0.017 0.035 0.017 0.026 0.300 0.039 0.064 0.008 0.012 0.002 0.003 DFN1x1-4L Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Symbol A A1 A3 b D D2 E E2 e L Millimeters Max. 0.800 0.050 0.250 0.350 2.050 1.450 2.050 0.850 Min. 0.700 0.000 0.175 0.200 1.950 1.000 1.950 0.500 Inches 0.650 0.300 Max. 0.031 0.002 0.010 0.014 0.081 0.057 0.081 0.033 Min. 0.028 0.000 0.007 0.008 0.077 0.039 0.077 0.020 0.026 0.400 0.012 0.016 DFN2x2-6L Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com RT9080 Attention ■ Any and all MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein do not handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support have specifications that can systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your MSKSEMI Semiconductor representative nearest you before using any MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein in such applications. ■ MSKSEMI Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specificationsof any andall MSKSEMI Semiconductor products described orcontained herein. ■ Specifications of any and all MSKSEMI Semiconductor products described or contained herein stipulate the performance, characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer’s products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer’sproducts orequipment. ■ MSKSEMI Semiconductor. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all semiconductor products fail with someprobability. It is possiblethat these probabilistic failures could give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits anderror prevention circuitsfor safedesign, redundant design, and structural design. ■ In the event that any or all MSKSEMI Semiconductor products(including technical data, services) described or contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without obtaining the export license from theauthorities concerned in accordance with the above law. ■ No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission of MSKSEMI Semiconductor. ■ Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume production. MSKSEMI Semiconductor believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied regarding its use or any infringementsof intellectual property rights or other rightsof third parties. ■ Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to product/technology improvement, etc. Whendesigning equipment, referto the "Delivery Specification" for the MSKSEMI Semiconductor productthat you intend to use. Copyright© Msksemi Incorporated www.msksemi.com