2SK3018

2SK3018 30V N-Channel MOSFET 特点/Features： 1、 低导通电阻； 2、 开关速度快； SOT-323 3、 低电压驱动； ｔｏ ｒ 用途/Applications： ｕｃ 用于一般开关电路。 ｎｄ 印章/MARKING: KN 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit VDS 30 V VGSS ±20 V 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current ID 0.1 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 源极-漏极电压/Drain-Source Voltage ＲＯ 　 Ｓｅ ｍｉ 栅极-源极电压/Gate-Source Volotage ｃｏ 参数/Parameter ＭＩ Ｃ 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 源极-漏极击穿电压 VBR(DSS) VGS=OV,ID=10μA 30 栅极开启电压 VGS(th) ID=100μA, VDS=3V 0.8 栅极漏电流 IGSS 零栅压漏极电流 典型值 最大值 单位 V V VGS=±20V,VDS=0V ±500 nA IDSS VGS=0V, VDS=30V 0.2 µA 漏极导通电流 ID(ON) VGS=10V, VDS=7V 漏极源极导通电阻 RDS(ON) 正向跨导 gfs 漏极-源极导通电压 VDS(ON) 输入电容 Ciss ＪＳ 1.5 500 mA VGS=4V,ID=10mA 8 VGS=2.5V,ID=1mA 13 Ω VDS=3V,ID=10mA 20 VGS=10V,ID=500mA 0.5 3.75 V VGS=5V,ID=50mA 0.05 0.375 V VDS=5V,VGS=0V,f=1MHz ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ ms 13 pF 第１／３页 2SK3018 30V N-Channel MOSFET 输出电容 Coss 9 开启时间 t(on) 15 ns 上升时间 tr VGS=5V, VDD=5V,ID=10mA, 35 ns 关闭时间 t(off) Rg=10Ω, RL=500Ω 80 ns 下降时间 tf 80 ns ＪＳ ＭＩ Ｃ ＲＯ 　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ 典型特性曲线图/Typical Characteristics ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第２／３页 2SK3018 30V N-Channel MOSFET PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package SOT-323 SOT-323 Min Max A 1.8 2.2 B 1.15 D 1.0Typical 0.15 0.35 0.25 0.40 G 1.2 1.4 H 0.02 0.1 ｏｎ ｄｕ E J SOT-323 2.3 All Dimensions in mm Shipping 3000/Tape&Reel ＪＳ S9014W 2.1 　Ｓ Package ＭＩ ＣＲ Ｏ Device 0.1Typical ｅｍ ｉｃ K PACKAGE INFORMATION 1.35 ｃｔ C ｏｒ Dim ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第３／３页