CC6211EDN

DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series CC6211E 特性 单极性 微功耗霍尔效应开关 概述  工作范围宽，2.5 ~ 5.5V CC6211E是一颗微功耗、高灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。  微功耗 CC6211E内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处  反应速度快，工作频率为 11Hz 理模块、动态失调消除模块、锁存模块以及CMOS输出级。由于  单极性 CC6211E使用先进的 Bi-CMOS 工艺，整体优化了的线路结构，使得  良好的温度稳定性 产品获得极低的输入误差反馈。产品采用了动态失调消除技术，该技  开关点漂移低 术能够消除由封装应力，热应力，以及温度梯度所造成的失调电压，  ESD（HBM）2kV 提高器件的一致性。同时该产品采用及其小型化的封装工艺，使得产  SOT23-3和DFN4L小尺寸封装 品更具极高的性能和市场优势。 CC6211E提供SOT23-3，TSOT23-3，TO-92S，DFN1010-4L， DFN1216-4L，SOT553等封装，工作温度范围为-40 ~ 85°C。 应用  仪器仪表  PDA  笔记本电脑 功能框图 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 1 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 订购信息 产品名称 封装外形 包装 CC6211ETO TO-92S 袋装，1000 片/包 CC6211EST SOT23-3 卷盘，3000 片/卷 CC6211ETST TSOT23-3 卷盘，3000 片/卷 CC6211EDN DFN1010-4L 卷盘，3000 片/卷 CC6211EDN1216 DFN1216-4L 卷盘，4000 片/卷 CC6211ES5 SOT553 卷盘，3000 片/卷 开关输出 vs. 磁场极性 注意: 磁场加在芯片的丝印面 管脚定义 TO-92S SOT23-3/TSOT23-3 DFN1216-4L DFN1010-4L SOT553 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 2 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 管脚编号 名称 功能 TO-92S SOT23-3/TSOT23-3 DFN1010-4L DFN1216-4L SOT553 VDD 1 1 2 4 4 电源电压 GND 2 3 4 2 2 地 VOUT 3 2 1 1 5 输出 NC - - 3 3 1,3 悬空 极限参数 参数 符号 数值 单位 电源电压 VDD -0.3~5.5 V 磁场强度 B 无限制 Gs 工作环境温度 TA -40 ~ 85 °C 存储环境温度 TS -50 ~ 160 °C 2 kV ESD (HBM) MSL3 湿敏等级 注意: 应用时不要超过最大额定值，以防止损坏。长时间工作在最大额定值的情况下可能影响器件的可靠性。 电气参数 (若无特别指明，VDD=3.5V @ Ta=25°C) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VDD - 2.5 - 5.5 V 输出高电平 VOH IOUT(SOURCE) = 0.5mA VDD-0.2 - - V 输出低电平 VOL IOUT(SINK) = 0.5mA - - 0.2 V 平均静态电流 IDD(AVG) VOUT 引脚悬空 - 3 - uA 开启状态电流 IDD(EN) - 1.2 - mA 关断状态电流 IDD(DIS) - 3 - uA 输出拉电流 IOUT(SOURCE) - - 0.5 mA 输出灌电流 IOUT(SINK) - - 0.5 mA 启动时间 TAWAKE - 15 - us 扫描周期 TPERIOD - 85 - ms D.C. - 0.018 - % 占空比 磁参数 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作点 BOP VDD=3.5V @ Ta=25°C 26 33 40 Gs 释放点 BRP VDD=3.5V @ Ta=25°C 14 21 28 Gs 迟滞 BHYS VDD=3.5V @ Ta=25°C 6 12 18 Gs 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 3 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 典型应用电路 工作时序图 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 4 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 曲线 & 波形 (若无特别指明，VDD=3.5V @ Ta=25°C) f period vs. VDD IDD(AVG) vs. VDD 磁感应点 vs. Ta 磁感应点 vs. VDD 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 5 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 封装信息 (1) TO-92S 封装 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A 2.90 3.00 3.10 b 0.35 0.39 0.56 b1 - 0.44 - c 0.36 0.38 0.51 D 3.9 4.0 4.1 e 1.27BSC E 1.42 1.52 1.62 E1 - 0.75 - L 13.5 14.5 15.5 L1 - 1.6 - θ1 - 6° - θ2 - 3° - θ3 - 45° - θ4 - 3° - Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行: CC6211E —产品名称 第二行: XXYYWW XX – 代码 YY – 封装年份的后两位数 WW – 封装时的星期数 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 6 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series (2) SOT23-3 封装 毫米 符号 最小值 典型值 最大值 A - - 1.35 A1 0.04 0.08 0.12 A2 1.00 1.10 1.20 A3 0.55 0.65 0.75 b 0.37 0.40 0.43 c 0.11 0.16 0.21 D 2.77 2.90 3.07 E 1.40 1.60 1.80 E1 2.70 2.85 3.00 e1 1.80 1.90 2.00 L 0.35 0.45 0.55 L1 0.55 0.65 0.75 θ 0° - 8° Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行: 6211E 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 7 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series (3) TSOT23-3 封装 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A 0.70 0.80 0.90 A1 0.04 0.08 0.12 A2 0.70 0.75 0.80 A3 0.40 0.45 0.50 b 0.35 0.43 0.50 c 0.11 0.16 0.20 D 2.82 2.92 3.02 E 1.60 1.65 1.70 E1 2.65 2.80 2.95 e1 1.80 1.90 2.00 L 0.35 0.90 0.55 L1 0.50 0.60 0.70 θ 0° - 8° Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行: 6211E 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 8 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series (4) DFN1010-4L 封装 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A 0.32 0.37 0.41 A1 0.00 0.02 0.05 b 0.18 0.23 0.28 c 0.102REF D 0.95 1.00 1.05 D2 0.43 0.48 0.53 e 0.65BSC E 0.95 1.00 1.05 E2 0.43 0.48 0.53 L 0.20 0.25 0.30 L1 0.205REF Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行：211 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 9 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series (5) DFN1216-4L 封装 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A 0.5 - 0.6 A1 0.00 - 0.05 A3 0.152 D 1.5 - 1.7 E 1.1 - 1.3 D1 0.56 - 0.76 E1 0.7 - 0.9 b 0.25 - 0.35 b1 0.175 - 0.275 e 0.6 L 0.15 - 0.25 K 0.2 - - Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行：211E 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 10 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series (6) SOT553 封装 符号 毫米 最小值 最大值 A 0.525 0.600 A1 0.000 0.050 e 0.450 0.550 c 0.090 0.160 D 1.500 1.700 b 0.170 0.270 E1 1.100 1.300 E 1.500 1.700 L 0.100 0.300 θ 7°REF Hall 感应点位置 注意: 所有单位均为毫米。 打标信息: 第一行：211E 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 11 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 编带与包装信息 SOT23-3/TSOT23-3 载带 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 W 7.90 8.00 8.10 E 1.65 1.75 1.85 F 3.40 3.50 3.60 D0 1.40 1.50 1.60 D1 0.90 1.00 1.10 P0 3.90 4.00 4.10 P1 3.90 4.00 4.10 P2 1.95 2.00 2.05 t 0.20 0.25 0.30 A0 3.15 3.20 3.25 A1 0.85 0.95 1.05 B0 3.20 3.25 3.30 K0 1.27 1.32 1.37 10*P0 39.80 40.00 40.20 注意: 每盘载带前空50±2格，后空105±2格。 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 12 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series SOT23-3/TSOT23-3 卷盘 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 D - Φ178 - D1 - 54.40 - D2 - 13.00 - G - R78.00 - H - R25.60 - I - R6.50 - W1 - 9.50 - W2 - 12.30 - 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 13 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series DFN4L 载带 符号 毫米 注意: 每盘载带前空30±2格，后空140±2格。 最小值 典型值 最大值 E 1.65 1.75 1.85 F 3.45 3.50 3.55 P2 1.95 2.00 2.05 D 1.40 1.50 1.60 D1 0.45 0.50 0.55 P0 3.90 4.00 4.10 W 7.90 8.00 8.30 P 3.90 4.00 4.10 A0 1.11 1.16 1.21 B0 1.11 1.16 1.21 K0 0.48 0.53 0.58 t 0.23 0.25 0.27 10*P0 39.80 40.00 40.20 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 14 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series DNF1010-4L 卷盘 Basis size of Reel(mm) Applicable Carrier Band Width B W1 T 8 54.5 8.6 15 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 15 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 推荐的焊接条件 SOT23-3/TSOT23-3 焊接条件 1、回流焊温度曲线 2、回流焊温度设定 分布图特征 平均倾斜上升率 （TL to Tp） 封装厚度0), 单位为 m D: 圆柱体的厚度/高度, 单位为 m R: 圆柱体的半径, 单位为 m 环状体永磁体 B= �� ×[ 2 �+� �� 2 + � + � 2 − � �� 2 + �2 −( �+� ��2 + � + � 2 − � ��2 + �2 ))] Br: 剩余磁通密度，取决于永磁体的型号，单位为 T z: 永磁体对称轴某点到该永磁体表面的距离 (z >0), 单位为 m D: 环状体厚度/高度, 单位为 m Ra: 外圆环半径, 单位为 m Ri: 内圆环半径, 单位为 m 球体永磁体 B= 2�� �3 3 �+� 3 Br: 剩余磁通密度，取决于永磁体的型号，单位为 T z: 永磁体对称轴某点到球边的距离 (z >0), 单位为 m R: 球体的半径, 单位为 m 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 18 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 关于芯进 成都芯进电子有限公司(CrossChip Microsystems Inc.)成立于 2013 年，是一家国家高新技术企业，从事集成电路设计与销售。公司技术实 力雄厚，拥有 60 余项各类专利，主要应用于霍尔传感器信号处理，拥有下列产品线：  高精度线性霍尔传感器  各类霍尔开关  单相电机驱动器  单芯片电流传感器  AMR 磁阻传感器  隔离驱动类芯片 联系我们 成都 地址：四川省成都市高新西区天辰路 88 号 3 号楼 2 单元 4 楼 电话：+ 86 -028 - 87787685 邮箱：support@crosschipmicro.com 网址：https://www.crosschipmicro.com 深圳 地址：深圳市南山区粤海街道科园路 18 号北科大厦 6 楼 605 室 上海 地址：上海市浦东新区盛荣路 88 号盛大天地源创谷 1 号楼 602 室 苏州 地址：江苏省苏州市虎丘区苏州高新区金山东路 78 号 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 19 DS-CC6211E-SC-rev1.3 crossMAG series 规格书版本更新 开放日期 2023.11 更改摘要 更新 DFN1010-4L 封装的包装出货方式和产品命名 成都芯进电子有限公司版权所有 2023 https://www.crosschipmicro.com 版本 rev1.3 20