LP7812CQVF

LP7812C 28V，支持双向通信的 TWS 充电仓电源管理芯片 芯片特性 ⚫ 输入耐压高达28V ⚫ 电池仓充电管理： 描述 LP7812C是一款多合一的智能TWS充电仓管理IC，集成电 池充电，耳机放电，温度管理，霍尔检测，按键检测以及 - 高达0.8A的可调线性充电电流 - 5%充电电流精度 持大电流快充，同时显著提升充电仓续航时长。LP7812C - 自动复充 集成符合JEITA标准的NTC检测电路，在电池过温时强制关 耳机放电管理 闭充放电功能以保证系统安全。LP7812C集成芯片结温过 - 93% 峰值升压效率 温保护，确保芯片安全运行。LP7812C典型的静态电流仅 - 高效率电压跟随放电 为7-µA。 - 电池过放保护 LP7812C使用3mm X 3mm QFN-16封装。 - 单耳充电电流高达150mA ⚫ 时支持高达28V的输入电压和最大0.8A的充电电流。两路 独立的耳机充电电路支持TWS耳机超低压差跟随充电以支 - 0.5%浮充电压精度 ⚫ LED显示等功能。集成的线性充电电路给电池仓充电，同 温度管理 - NTC实时监控，充放电温度管理 - 120〬C电池仓充电电流智能调整 采购信息 LP7812 - 150〬C过温保护 ⚫ 集成左右耳出入仓检测及满电检测 F: Green/Pb-Free ⚫ 支持双向通信 ⚫ 7-µA超低静态功耗 封装类型 QV : QFN ⚫ 3mm Χ 3mm QFN-16 封装 ⚫ RoHS Compliant and 100% Lead (Pb) Free 功能模式 典型应用电路 典型应用 ⚫ C : MCU版本 Battery 10uF C3 TWS充电仓 2.2uH L1 10uF C4 15 1 Input 1Ω R1 1uF C1 1uF C2 VBAT Earphone Pogo Pin 11 12 SW BAT VIN PMID 10 VOL 2 ISET 1.15kΩ R2 VOR 9 3 GPIO7 CTRL GPIO0 KEY HALL 6 GPIO6 GPIO1 MCU GPIO5 GPIO2 GPIO4 GPIO3 500kΩ R3 4 5 LP7812C COMM NTCS DATA NTC 7 GND RX NC 14 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com 8 13 100kΩ R3 ß=3950 100kΩ RNTC NC 16 email: marketing@lowpowersemi.com 1 / 21 LP7812C 器件信息 器件型号 LP7812CQVF 丝印 工作模式 LPS 外置 MCU 工作模式 7812C 封装形式 包装数量 16-pin 3 X 3 QFN 5K/包 YWX 丝印说明: Y: Year code. W: Week code. X: Batch numbers. Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 2 / 21 LP7812C 引脚说明 NC BAT NC GND 16 15 14 13 VIN 1 12 SW ISET 2 11 PMID CTRL 3 10 VOL DATA 4 9 VOR 5 6 7 8 RX COMM NTC NTCS LP7812C Pinout 引脚描述 序号 引脚名 描述 1 VIN USB 输入引脚。建议就近表贴至少1uF去耦电容。 2 ISET 充电电流设置引脚。 3 CTRL 控制引脚。当CTRL为高电平时，LP7812C为耳机充电模式；CTRL为低电平时， LP7812C为通信模式；CTRL浮空时，LP7812C为耳机入仓检测模式。 4 DATA 5 RX 6 COMM LP7812C数据输出引脚 双向通信接收耳机信号引脚 复用引脚： 通信时，COMM引脚往VOL/VOR发送信号。 充电时，COMM引脚外置电阻设定耳机充电电流。 7 NTC NTC检测引脚。 8 NTCS NTC偏置电压输出引脚。 9 VOR 右耳输出引脚。 10 VOL 左耳输出引脚。 11 PMID boost变换器输出引脚。 12 SW boost变换器开关引脚。 13 GND 14 NC 悬空。 15 BAT 线性充电电池引脚。建议就近表贴至少1uF去耦电容。 16 NC 悬空。 Thermal boost变换器功率地引脚。 接功率地。 Pad Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 3 / 21 LP7812C 极限值 (Note ) VIN to GND ------------------------------------------------------------------------------------------ -0.3V to 28V Others to GND --------------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to 6.5V SW to GND (5ns) --------------------------------------------------------------------------------------- -2V to 8.5V 最高芯片结温 (TJ) -------------------------------------------------------------------------------------------- 150°C 环境温度 (TA) ------------------------------------------------------------------------------------------- 40℃ to 85℃ 最高焊接温度 (at leads, 10 sec) -------------------------------------------------------------------------------- 260℃ Note: 超过极限值使用，芯片可靠性可能会受到影响。 ESD等级 HBM (Human Body Model) ------------------------------------------------------------------------------------- 4kV CDM (Charged Device Model) ------------------------------------------------------------------------------ 500V 热阻信息 θJA (Junction-to-Ambient Thermal Resistance) ------------------------------------------------------------ 60℃/W 推荐工作条件 SYMBOL PARAMETER MIN TYP 4 MAX UNIT 6 V 1 A 85 °C VIN 输入电压 IIN 输入电流 TA 环境温度范围 -40 CIN 输入滤波电容 1 μF CBAT BAT引脚滤波电容 10 μF CPMID PMID引脚滤波电容 10 μF 电气特性 (除非有特殊说明，所有参数基于以下条件测试： VIN = 5V, TJ = 25°C。) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 3.8 4.0 V 输入供电 VINUVLO 3.6 欠压保护电压 VIN 下降沿阈值 欠压保护迟滞电压 VIN 上升沿阈值 VIN_OVP 过压保护电压 VIN上升沿阈值 VOVP_H 过压保护迟滞电压 VIN下降沿阈值 150 mV 输入静态电流 VIN=5.0V，BAT=4.3V 150 uA 4.4 V VINUVLO_H IIN VIN _DPM 输入动态电压调整阈值 mV 150 6.0 6.2 6.55 V 电池供电 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 4 / 21 LP7812C 符号 参数 测试条件 最小 VBAT_POR 电池上电复位电压 VIN=0V, BAT 上升沿阈值 VPOR_H 上电复位迟滞电压 BAT 下降沿阈值 电池静态电流 待机模式，BAT=3.8V,VIN=0V 涓流充电阈值 BAT 上升沿阈值 IBAT 典型 最大 单位 2.6 V V 0.18 uA 7 充电管理 VTRK VTRK_H 2.75 涓流充电电流 ICC 恒流充电电流 2.85 100 涓流充电迟滞电压 ITRK 2.8 ICC=420mA， RISET=1.15k， 10% V mV 28 42 57 mA -10〬C to 85〬C 378 420 462 mA 25〬C 400 420 440 mA ICC=420mA, 50%ICC 185 210 235 mA 浮充电压 0〬C to 60〬C -0.5 0.5 % 复充电压 BAT 下降沿阈值，CV=4.2V 充电截止电流 ICC=420mA, 10%ICC 充电温度保护阈值 Tj Rds,on_HS 上管导通阻抗 PMID=5.1V 350 mΩ Rds,on_LS 下管导通阻抗 PMID=5.1V 250 mΩ fsw 开关频率[1] PMID=5.1V 1.2 MHz Ilim 峰值限流电流 BAT=3.6V 1.3 A VPMID 输出电压精度 25 oC PMID 短路保护阈值 BAT=3.6V, 相对于BAT 0 oC VCV ITERM TThermal -10 oC ICC 充电电流 4.05 V 28 42 57 100 120 140 mA oC 升压变换器 VPMID_SC[ 5.04 5.1 5.16 -0.5 V V NTC Management Temperature T-10 -10〬C检测阈值 falling edge threshold 84.0 T0 falling edge threshold 0〬C 检测阈值 75.5 T10 10〬C 检测阈值 falling edge threshold 66.0 45〬C 检测阈值 Version: 10/5/2022 Temperature threshold www.lowpowersemi.com 77.6 66.8 rising edge 29.0 30.0 email: marketing@lowpowersemi.com % % 67.5 2 Hysteresis T45 76.5 % % 2 Hysteresis Temperature 86.0 2 Hysteresis Temperature 85.0 % % 31.0 % 5 / 21 LP7812C 符号 参数 测试条件 最小 T60 60〬C 检测阈值 最大 2 Hysteresis Temperature 典型 rising edge threshold 19.0 20.0 % 21.0 2 Hysteresis 单位 % % 耳机充电管理 EICC Rds,on_EAR EEOC 耳机放电限流 RCOMM=500k,25 oC 耳机放电管导通阻抗 PMID=5.1V 耳机充电截止检测电流 阈值(EEOC) tdEEOC 耳机EEOC消抖时间[1] VBATUV 耳机充电欠压保护电压 VBATUV_H IPUP 耳机待机上拉电流 VINSERT 耳机入仓检测阈值 tdINSERT 入仓消抖时间[1] 90 100 110 800 3 PMID=5.1V 4 mA mΩ 5 mA 400 ms BAT下降阈值 3.3 V BAT上升阈值 3.5 V BAT=3.6V, 25 oC 1 VIN浮空, BAT=3.8V,BST_EN=0, 2 3 -0.7 相对于BAT uA V 30 ms RX,DATA驱动能力 Isink 下拉驱动能力 Ileak 引脚漏电[1] BAT=3.8V，VDS=0.4V mA 5 0.1 uA CTRL/COMM VH 输入高电平 VL 输入低电平 V 2.0 0.4 V [1]: 非量产测试数据，由设计提供保证。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 6 / 21 LP7812C 典型特性曲线 图1. CV 电压 VS. 结温 图2. ICC VS. VBAT 图3. ITRI VS. VBAT 图4. VBST VS. Load Current Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 7 / 21 LP7812C 功能框图 VIN ISET SW PMID VOR Reg Charger and Boost Management VOL Reg BAT VOL VOR RX NTCS NTC DATA Digital Control CTRL NTC GND COMM Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 8 / 21 LP7812C 功能描述 简介 LP7812C是一款高效率的智能TWS充电仓管理IC，集成了充电、放电、NTC和双向通信功能。当电源连接到VIN引脚时， 内部线性充电电路将自动启动为充电仓中的电池充电。放电功能包括一个同步升压电路、两路耳机出入仓检测电路和两路 耳机充电管理电路。NTC检测电路检测五个温度阈值，控制电池仓充电功能的开启和关闭。双向通信功能支持电池仓给耳 机发送高速UART码流，并接收自耳机的会送数据。 输入欠压和过压检测 LP7812C实时检测VIN电压，当VIN低于VIN_UVLO或高于过压保护阈值（VIN_OVP）时，充电功能将关闭。VIN_UVLO和 VIN_OVP的典型迟滞电压均为100 mV。 当输入电压低于VIN_OVP阈值但高于VIN_UVLO阈值时，充电功能恢复正常。 电池仓充电管理 LP7812C集成一个线性充电电路给电池仓电池充电，LP7812C具有三种充电模式，即涓流、恒流（CC）和恒压（CV） 模式。当以下所有条件均有效时，线性充电器开始充电： 1）有效的输入电源（VIN电压高于VIN_UVLO但是低于VIN_OVP）。 2）NTC的范围在0〬C至45〬C之间。 涓流充电：涓流充电电压阈值固定为2.8V。当电池电压低于涓流阈值时，LP7812C开始涓流充电。涓流充电电流的典 型值固定为CC电流的10%。 CC充电：当电池电压高于涓流阈值但低于CV阈值时，LP7812C开始CC充电。CC电流可通过ISET引脚的RISET的外部电 阻设定。充电电流的计算公式如下： ICC=480/RISET （A） 建议的充电电流范围为100mA~800mA。 当温度为0-10〬C时，LP7812C将主动降低至50%的设定值进行充电。 CV充电：当电池电压升至CV阈值时，LP7812C开始CV充电。在CV阶段，充电电流逐渐减少，直到电池充满。 LP7812C默认的CV电压为4.2V。如需其他CV电压，请与微源市场工程师联系。 充电终止：当充电电流降至CC电流的10%且电池电压高于4.05V时，电池已充满，LP7812C关闭充电功能。 充电复充：电池充满之后，如果USB一直未拔出，当电池电压降至4.05V时，充电功能将自动重新启动，直到再次充满 电池为止。 NTC管理：当NTC电路的温度在10 ℃到45 ℃之间时，LP7812C以RISET电阻设置电流进行CC充电；当温度在0 ℃-10 〬C之间时，CC电流会自动降低到50%ICC，以提高电池寿命。如果温度超出了0 ℃-45 ℃范围，充电功能将被强制关 闭直到温度恢复正常。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 9 / 21 LP7812C LP7812C 支持β=3950的 NTC热阻。阻值可以选择10K 或者100K 。 充电电流热管理：当芯片结温达到120℃时，LP7812C将降低充电电流以防止芯片过热，直到达到新的温度平衡。 VIN动态电源管理控制（DPM）：当输入电源的供电能力不足时，LP7812C可以自动调节充电电流以避免输入电源 VIN被拉低。当VIN电压降至VIN_DPM阈值（4.4V典型值）时，LP7812C会开始降低充电电流，直到VIN电压保持在4.4V。当VIN高于VIN_DPM阈值时，充电电流自动恢复到设定值。 充电电流 电池电压 ICC CV 150mV 复充 涓流阈值 充电 截止 10% ICC 时间 涓流充电 恒流充电 恒压充电 图5. 典型充电波形 升压变换器 LP7812C集成一个2-uA超低静态功耗升压变换器。升压变换器处于常开模式直到电池低于3.0V。 升压转换器工作原理： LP7812C集成一路同步升压变换器，支持最大500mA负载电流输出。LP7812C采用峰值电流控制方式，工作频率在 1.2MHz， 支持PCB电感和普通绕线电感。 LP7812C支持直通工作模式和升压工作模式，并根据耳机电池电压自动切换。随着耳机充电电流的降低，LP7812C的升 压变换器可以自动从PWM 模式转换到PFM模式以提升轻载效率。 短路保护： LP7812C检测PMID电压实现短路和过载保护。当PMID发生短路以后，LP7812C将关闭升压转换器进入打嗝模式。当 20ms打嗝时间结束时，升压变换器将重新启动。 升压电路欠压保护： 当电池电压降低到2.9V时， 升压变换器将强制关闭。当BAT电压恢复到3.0V时，升压变换器重新工作。 耳机充电 LP7812C集成独立的左右耳机充电电路， 包括耳机入仓检测，耳机充电，耳机满电检测以及耳机短路检测等。并由 MCU通过CTRL引脚进行控制。 耳机入仓检测： LP7812C通过检测PMID与VOL/VOR引脚电压的压差实现耳机插入检测。在耳机不在仓时，CTRL引 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 10 / 21 LP7812C 脚需要配置成浮空状态，此时PMID输出2-µA固定电流到VOL/VOR引脚，当VOL/VOR电压低于PMID 1V以上时， LP7812C识别到耳机入仓并通过DATA引脚发送入仓信号给MCU。MCU收到耳机入仓之后可以与耳机进行双向通信或 者启动耳机充电电路。 耳机充电：当CTRL引脚被配置成高电平时，LP7812C将开启控制电路给耳机充电。充电过程中, LP7812C将输出一个 高精度电流源给耳机充电。其中耳机的充电电流由COMM引脚的外置电阻RCOMM来设置，对应的公式为： 𝐸𝐼𝐶𝐶 = 1 𝑅𝐶𝑂𝑀𝑀 ∗ 5 ∗ 104 A 推荐的耳机充电电流在20~150mA。 耳机充电过程中，LP7812C持续将芯片状态通过DATA发送给MCU。 耳机满电EOC检测：如果左右耳机充电电流都已小于4mA时,LP7812C识别为耳机满电。经过400ms 消抖时间，相应 耳机的EOC状态将置位。MCU识别到耳机充满后可以发送电池仓电量数据等给耳机。 耳机充电欠压保护：LP7812C集成耳机充电欠压保护功能。当电池电压低于3.3V，LP7812C关闭耳机充电功能直到电 压恢复到3.5V以上。 耳机短路检测：当左右任一耳机发生短路时，且持续时间超过200ms时，LP7812C中的ESCP状态将置位。MCU收到 耳机短路信号后可以关闭耳机充电电路并周期性唤醒MCU以确认耳机短路异常是否已经解除。 耳机充电NTC管理 当NTC电路的温度在-10℃到60℃之外时，LP7812C关闭耳机充电功能直到温度恢复到正常。 双向通信 LP7812C 通过 DATA 引脚给 MCU 发送数据，MCU 接收到信号以后，通过控制 CTRL 引脚来控制耳机充电或者给耳机 发送信号。 BAT LP7812C MCU VCC GPIO0 COMM GPIO1 CTRL GPIO2 DATA LOGIC VCC VCC GPIO3 RX 图 6. 双向通信硬件连接示意图 当 CTRL 引脚位高电平，低电平或者 USB 插入时，LP7812C 通过 DATA 给 MCU 发送数据，每隔 300ms 发送一次数 据。数据发送完成以后 DATA 引脚处于 HiZ（高阻）态。 MCU接收到DATA 数据以后，通过CTRL引脚选择通信电平，CTRL被置为高电平时， LP7812C给耳机充电。CTRL被置 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 11 / 21 LP7812C 为低电平时，耳机充电电路被关闭，LP7812C进入通信模式，来自COMM引脚的数据经过电平转换以后在VOL和VOR 引脚同时输出。来自VOL或者VOR的数据从RX引脚传输给MCU。当CTRL 被设置为浮空时，LP7812C为耳机入仓检测 状态。 当CTRL浮空时，以下任一事件可以让LP7812C发送一次数据给MCU。 1. 左耳插入。 2. 右耳插入。 DATA引脚单线协议 表一. 单线协议时序要求 单线私有协议时序 Pre_start 时间[1] tPRE_START Pre-start operating 时间 before receiving the one-wire code 1 2 3 ms Start bit 时间[1] tSTART Start 时间 after a falling edge sensed at VIN pin. 8 10 12 ms Code bit 时间[1] tbit 1 bit code (‘0’ or ‘1’) cycle 时间 0.8 1 1.2 ms Code ‘1’ high 时间[1] t1h Code 1 high level 时间 704 880 1056 us Code ‘1’ low 时间[1] t1l Code 1 low level 时间 96 120 144 us Code ‘0’ high 时间[1] t0h Code 0 high level 时间 96 120 144 us Code ‘0’ low 时间[1] t0l Code 0 low level 时间 704 880 1056 us Stop 时间 after a rising edge sensed at VIN pin. 0.8 1 1.2 ms Stop 时间[1] tstop LP7812C集成私有单线协议，基于此协议通过DATA输出电池仓状态信号。每个单线通信会话都以一个PRE_START开 始，然后是一个启动位、一个19位状态帧，最后是一个停止位。19位帧包括14位状态码和5位CRC。每隔300ms， LP7812C 往MCU发送一次数据信号。数据信号每个脉冲周期1ms。 当电池电压低于2.95V时，LP7812C不再发送DATA数据给MCU，强制进入休眠。电池电压恢复到3.0V以后，MCU可以 重新通过控制CTRL引脚来获取系统状态数据。 Code:1 Code:0 Pre_START START 5-bit CRC Code STOP 图7. 单线协议格式 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 12 / 21 LP7812C t0H tbit t1H t0L tPRE_START Code:1 tSTART t1L Code:0 tSTOP 图 8. 单线协议时序 表二. 状态寄存器列表 位 符号 19 CRC 5bit CRC 校验位， 请联系微源市场工程师获取 CRC 算法。 14 ESCP 至少一个耳机短路（仅 CTRL=1 时有效） 0 13 V_BATM[4] 电池电压 0 12 V_BATM[3] 2.9~4.45V， 0 11 V_BATM[2] 50mV/step 0 10 V_BATM[1] 0 9 V_BATM[0] 0 8 NTC[2] 描述 默认值 18 17 16 15 7 NTC[1] 000：60 oC 6 NTC[0] 5 R_EOC 1:右耳满电 0: 没有 EOC （仅 CTRL 高电平时有效） 0 4 R_INSERT 1：右耳插入。0：没插入 （仅 CTRL 浮空时有效） 0 3 L_EOC 1:左耳满电 0: 没有 EOC （仅 CTRL 高电平时有效） 0 2 L_INSERT 1：左耳插入。0：没插入 （仅 CTRL 浮空时有效） 0 1 PGD 1：有 USB 插入，0:无 USB 0 0 CHG 0:未充电，1：正在充电 0 1 待机模式 当没有USB插入时，且CTRL为浮空状态时时，LP7812C将自动进入待机模式， 待机模式下，LP7812C仅消耗7-µA静态 电流。当发生以下事件时，LP7812C马上退出待机模式：1） 插入USB； 2） CTRL被设置为高电平或则低电平。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 13 / 21 LP7812C 过温保护 当LP7812C的内部结温度超过150〫C时， LP7812C关闭所有功率路径。线性充电器、升压转换器和VOL/VOR都将禁 用。当温度降低到130〫C，功能恢复正常。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 14 / 21 LP7812C 应用信息 图 9. 典型应用原理图 一个典型的TWS电池仓系统应用包含一颗LP7812C电源管理芯片，一颗MCU，一颗霍尔检测芯片，机械按键KEY以及 外围的RLC无源器件。 电感电容的配置: LP7812C的VIN端，BAT端，以及PMID端都需要外置稳压滤波电容。其中VIN端至少需要1uF, BAT以及PMID端至少需要 10uF。针对VIN 端热插拔，建议在C2上串联一个1Ω以降低VIN引脚尖峰。所有电容的选择以小封装的陶瓷电容为优先选 择，选择时需要注意电容的耐压能力，尤其是VIN输入电容C2/C3需要至少有35V的耐压能力。所有电容布局时，都需要尽 量靠近芯片的引脚，以降低寄生对芯片噪声的干扰。LP7812C兼容0.24uH-2.2uH电感。优先选择感量为1uH，DCR为30m Ω的电感，以降低电感纹波，提升系统效率。 充电电流设计： LP7812C可以通过外部电阻R3来调整充电电流，具体计算方式如下面表达式所示: ICC = 480𝐴 ∗ 𝛺 𝑅1 对于典型的480mA充电电流设计，可以选择 ±1%，1kΩ的电阻。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 15 / 21 LP7812C 耳机充电电流设计： LP7812C可以通过外部电阻R3来限制耳机充电电流，具体计算方式如下面表达式所示: EICC = 50000𝐴 ∗ 𝛺 𝑅3 对于典型的100mA充电电流设计，可以选择 ±1%，510kΩ的电阻。 NTC 设计 LP7812C通过检测NTC引脚的电压来检测外部系统温度，NTC电阻建议使用β=3950的热敏电阻。R6与热敏电阻阻值需要 完全匹配，对于典型值为10kΩ的热敏电阻，R6也请使用10kΩ。如果需要调整NTC的温控阈值，可以在热敏电阻上并联一 个额外的电阻。 MCU设计: LP7812C 支 持 双 向 通 信 ， RX 引 脚 为 双 向 通 信 的 接 收 引 脚 ， 对 于 单 向 通 信 应 用 ， RX 可 以 悬 空 。 LP7812C 的 CTRL/COMM/DATA/RX引脚分别与MCU的GPIO相连，其中CTRL 引脚在电池仓待机模式时下需要将MCU 的GPIO 配 置成模拟输入模式以防止MCU漏电。COMM引脚在待机模式下可以配置输出模式。DATA引脚用于接收电池仓状态，RX 引脚用于接收来自VOL/VOR的通信信号。DATA/RX引脚均为开漏输出，与之相连的GPIO 需要配置成输入模式，同时需 要配置上拉电阻。 BAT VCC 耳机充电/通信时为输出模式 待机时为高阻模式 GPIO0 CTRL 耳机控制电路 左耳驱动 耳机充电为输入模式 通信/待机为输出模式 GPIO1 VOL COMM VCC 右耳驱动 输入模式 GPIO2 DATA VOR 寄存器 VCC 输入模式 GPIO3 图 10. Version: 10/5/2022 RX 电平转换 MCU 连接电路 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 16 / 21 LP7812C 典型波形 Vin voltage,2V/div BAT voltage, 2V/div BAT voltage, 2V/div Vin voltage,2V/div 500ms/div 500ms/div Battery Current,200mA/div Battery Current,200mA/div 图 11. VIN Power Up 图 12. VIN Power Down BAT voltage, 2V/div BAT voltage, 2V/div Vin voltage,5V/div Vin voltage,5V/div 500ms/div 500ms/div Battery Current,200mA/div Battery Current,200mA/div 图 13. Battery Insert Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com 图 14. Battery Removal email: marketing@lowpowersemi.com 17 / 21 LP7812C BAT voltage, 2V/div Vin voltage,5V/div BAT voltage, 2V/div 500ms/div Vin voltage,5V/div 500ms/div Battery Current,200mA/div Battery Current,200mA/div 图 15. VIN OVP and recover 图 16. VIN OVP Release Vin voltage,2V/div BAT voltage, 2V/div 500ms/div Battery Current,200mA/div 图 17. VIN Based PPM 图 18. Boost转换效率 PCB 布板指南 1. C1 C3 C4 必须尽量靠近芯片引脚和 GND 引脚.尤其是 PMID 电容 C4,需要靠近 PMID 和 GND 引脚放置, 以约束高频噪声。 2. 功率路径走线需要尽量宽,以降低线路损耗提升系统效率,如 BAT/PMID/VOL/VOR。 3. 对于 115200bps 通信速率应用，左右耳引脚建议加容值不超 1nF 电容,以免影响通信速率。 （对于 9600bps 通信速率，电容容值可以放宽到 10nF）。 4. 芯片的 thermal PAD 必须良好接地。 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 18 / 21 LP7812C 图 19. PCB 布板参考设计 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 19 / 21 LP7812C 封装信息 3x3 QFN package D Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 20 / 21 LP7812C Revision History Revision Date Change Description Rev 1p0 10/5/2022 Release Version 1.0 Version: 10/5/2022 www.lowpowersemi.com email: marketing@lowpowersemi.com 21 / 21