LWS6080A23

乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET V ID -5.0 A PD 3.0 W RDS(ON) TYPE 60 mΩ 公 司 design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can -60 be used in a wide variety of applications. The package form is Marking and Pin Assignment 限 SOT-223, which accords with the ROHS standard and Halogen 科 技 Features： 上 海 有 Free standard. 电 The LWS6080A23 uses advanced SGT technology and VDSS 乐 瓦 微 General Description： LWS6080A23 l Fast Switching l Low Gate Charge and RDS(ON) 子 l Low Reverse transfer capacitances Inner Equivalent Principium Chart 电 Applications： 瓦 公 司 微 l Battery switching application l Hard switched and high frequency circuits 子 科 技 上 有 限 海 乐 l Power Management Package Marking and Ordering Information: 3000 Pcs Parameter Drain-to-Source Voltage Value Units -60 V TC=25℃ -5.0 A Continuous Drain Current TC=100℃ -3.1 A 海 Continuous Drain Current 上 ID Reel Pulsed Drain Current -20 A VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V PD Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range 3.0 W Maximum Temperature for Soldering ℃ 260 RθJA Parameter Value 瓦 Symbol Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 41.6 Units ℃/W 上 子 海 科 乐 技 有 限 Thermal Characteristics: 微 电 公 TL ℃ 150, -55 to 150 子 司 TJ, TSTG 科 IDMa1 公 Symbol VDSS SOT-223 乐 瓦 Absolute Maximum Ratings: Qty. 限 LWS6080A23 Packing 有 S6080A/D.C. Package 技 Part Number 微 电 Marking 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 1/10 乐 瓦 上 海 LWS6080A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET General Description： Electrical Characteristic (TA = 25 °C, unless otherwise specified): Static Characteristics VDSS Drain to Source Breakdown Voltage IDSS IGSS(F) Value Units Max. VGS=0V, ID=-250µA -60 -- -- Drain to Source Leakage Current VDS=-60V, VGS=0V -- -- 1.0 μA Gate to Source Forward Leakage VGS=-20V, VDS=0V -- -- 100 nA IGSS(R) Gate to Source Reverse Leakage VGS=+20V, VDS=0V -- -- -100 nA VGS(TH) Gate Threshold Voltage RDS(ON)1 Drain-to-Source On-Resistance VDS=VGS, ID=-250µA -1.3 -1.65 -2.1 V VGS=-10V, ID=-5.0A -- 60 75 mΩ RDS(ON)2 Drain-to-Source On-Resistance VGS=-4.5V, ID=-4.0A -- 75 100 mΩ 上 海 有 V 电 子 乐 瓦 微 Typ. 限 Min. 科 技 Test Conditions 电 Parameter 公 司 Symbol Output Capacitance Crss Reverse Transfer Capacitance RG Gate resistance 504 -- -- 82 -- -- 3.9 -- -- 3.0 -- Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Qg Total Gate Charge Qgs Gate Source Charge Qgd Gate Drain Charge 上 海 tf pF Ω Value Min. Typ. Max. ID =-5A VDS =-30V VGS =-10V RG = 3Ω -- 10 -- -- 6.0 -- -- 40 -- -- 13 -- VGS =-10V VDS = -30V ID =-5A -- 10.5 -- -- 2.8 -- -- 1.5 -- 微 电 Turn-on Delay Time Test Conditions Units Units ns nC 技 td(OFF) Parameter 乐 瓦 tr -- VGS=0V,VDS Open Resistive Switching Characteristics td(ON) Max. 公 Coss VGS = 0V VDS =-30V f = 1.0MHz Typ. Max. -- -- -5.0 A -- -- -20 A -1.2 V 50 ns nC 子 Typ. Diode Pluse Current VSD Diode Forward Voltage IS=-5A, VGS=0V -- -- trr Reverse Recovery time -- -- Qrr Reverse Recovery Charge IS=-5A, VDD=-30V, dI/dt=100A/us 105 -- -- 微 电 ISM 乐 Diode Forward Current TC =25 °C Units Min. 瓦 司 Value IS 公 限 a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature 海 有 技 Test Conditions 上 子 科 Parameter 科 Source-Drain Diode Characteristics Symbol 限 Input Capacitance Min. 有 Test Conditions Ciss Symbol Value 公 司 Parameter 子 科 技 上 海 乐 瓦 Symbol 有 限 微 Dynamic Characteristics 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 2/10 乐 瓦 上 海 General Description： Characteristics Curve： -6.0V -4.0V RDS(ON) [mohm] -3.5V 子 -4.5V 100 电 -10V 0 2 4 6 8 10 0 Figure 3: Typ. transfer characteristics 180 RDS(ON) [mohm] 120 100 司 技 Max 80 科 -ID[A] 60 Type 电 40 公 0 微 20 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 -50 瓦 限 0 50 100 150 Tj[℃] 乐 -VGS[V] ID=f(VGS), |VDS|>2|ID|RDS(on)max; RDS(on)=f(Tj), ID=-5A, VGS=-10V; 上 子 海 有 技 限 140 10 科 公 海 160 上 20 30 Figure 4: drain-source on resistance 乐 瓦 30 20 -ID[A] RDS(on)=f(ID), Tj=25 °C; parameter: VGS 微 电 ID=f(VDS), Tj=25 °C; parameter: VGS 10 子 科 技 上 -VDS[V] 有 0 有 限 瓦 微 50 0 海 乐 -6.0V 子 10 150 公 司 -ID[A] 科 技 20 -4.0V -3.5V 200 电 250 有 限 -4.5V 乐 瓦 微 -10V 上 海 30 LW Silicon P-Channel Power MOSFET Figure 2: Typ. drain-source on resistance 公 司 Figure 1: Typ. output characteristics LWS6080A23 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 3/10 乐 瓦 上 海 General Description： Figure 5: Typ. gate threshold voltage LWS6080A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET Figure 6: Drain-source breakdown voltage 子 58 微 0.7 57 0.5 -50 0 50 100 -50 150 0 VGS=f(Tj), VGS=VDS, ID=-250μA; 100 150 Tj[℃] VBR(DSS)=f(Tj); ID=-250μA; 微 电 子 科 技 上 50 有 限 Tj[℃] 海 乐 瓦 60 59 电 0.9 61 公 司 1.1 62 上 海 -VBR(DSS) [V] 科 技 1.3 乐 瓦 微 63 有 1.5 -VGS[V] 64 限 1.7 电 公 司 65 1.9 乐 瓦 Figure 7: Typ. gate charge VDS=-30V Ciss 限 上 7 100 Coss 5 技 C[pF] 6 -VGS[V] 1,000 海 8 3 科 4 子 司 10 Crss 电 微 1 1 0 2 4 6 8 10 12 0 10 20 30 瓦 0 40 50 60 -VDS[V] 乐 Qg[nC] VGS=f(Qg), ID=-5A, Tj=25 °C; parameter: VDS C=f(VDS); VGS=0V; f=1.0 MHz; 上 子 海 技 有 限 公 2 科 公 9 有 10 Figure 8: Typ. Capacitances 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 4/10 乐 瓦 上 海 General Description： 5 有 子 2 电 1 1 微 0.5 瓦 3 0 0 0 25 50 75 100 125 150 0 25 50 100 125 150 ID=f(TA); 微 电 子 科 技 上 Ptot=f(TA); 75 TA[℃] 有 限 TA[℃] 公 司 1.5 -ID [A] 科 技 2 4 上 海 2.5 海 乐 乐 瓦 微 6 限 3 PTOT [W] Figure 10:Drain current 公 司 3.5 LW Silicon P-Channel Power MOSFET 电 Figure 9: Power dissipation LWS6080A23 Figure 11: Safe operating area 技 10mS 有 Tj=25℃ -IF[A] 1mS 限 1.E+01 1.E+00 DC 科 海 上 1 100uS 公 10uS 10 -ID[A] 1.E+02 乐 瓦 100 Figure 12: Typ. forward characteristics 电 1 100 1.E-01 0.0 0.2 0.4 -VDS[V] 0.6 0.8 1.0 1.2 乐 -VSD[V] ID=f(VDS); TC=25 °C; D=0; parameter: tp IF=f(VSD); 上 子 海 科 技 10 瓦 0.1 微 0 有 限 公 子 司 0 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 5/10 乐 瓦 上 海 LWS6080A23 General Description： LW Silicon P-Channel Power MOSFET D=1 0.5 限 0.1 科 技 0.01 上 海 有 1 0.2 0.1 0.05 0.02 Single pulse 子 ZthJA [˚C/W] 10 乐 瓦 微 公 司 100 电 Figure 13: Max. Transient Thermal Impedance 0.001 1E-06 Duty factor D=t1/t2 TJM-TA=PDM*ZthJA(t) 1E-05 0.0001 公 司 瓦 微 电 0.01 0.001 0.01 1 有 限 海 乐 tp [sec] 0.1 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 ZthJA=f(tp); parameter: D 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 6/10 乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET 公 司 Figure 14: Gate Charge Test Circuit & Waveform 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 General Description： Test Circuit & Waveform: LWS6080A23 微 瓦 Figure 16: Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms 上 子 海 科 乐 技 有 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 Figure 15: Resistive Switching Test Circuit & Waveforms 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 7/10 乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET NOM MAX A 1.520 1.580 1.720 A1 0.010 0.060 0.150 A2 1.470 1.520 1.570 b 0.660 0.710 0.800 C 0.250 0.280 D 6.500 6.600 D1 2.900 3.000 E 6.700 7.000 7.300 E1 3.300 3.500 3.700 上海乐瓦微电子科技有限公司 科 子 电 微 瓦 乐 海 上 科 子 Q 0.350 6.750 3.100 0.750 REF L e 限 MIN 技 Symbol 公 限 有 技 TO-223 有 PKG 公 COMMON DIMENSION (MM) 司 上 海 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 General Package Description： Outline: LWS6080A23 0° 2.300 REF 4° 10° 司 http://lewa-micro.com Page 8/10 乐 瓦 上 海 General History: Description： Revision Descriptions Rev 1.0 Dec.2021 Initial Version 电 Date LW Silicon P-Channel Power MOSFET 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 Revison LWS6080A23 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 9/10 乐 瓦 上 海 General Description： Disclaimer: LWS6080A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET The information in this document is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by 电 公 司 LW-Micro for its use. All operating parameters must be designed, validated and tested to ensure they meet the 乐 瓦 微 requirements of your application. LW-Micro reserves the right to make any specification and/or circuitry changes without prior notification. Before starting a brand-new project, please contact LW-Micro Sales to get the most 科 技 上 海 有 限 recent relevant information. Mailing Address: Room 301, Building 2, No.1690 CaiLun Road, China (Shanghai) Pilot Free Trade Zone 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 Shanghai Lewa Micro-electronics Technology Co., Ltd 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 10/10