LWS60110A23

乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET V ID -4.0 A PD 3.0 W RDS(ON) TYPE 90 mΩ 公 司 provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in -60 a wide variety of applications. The package form is SOT-223, Marking and Pin Assignment 限 which accords with the ROHS standard and Halogen Free 科 技 Features： 上 海 有 standard. 电 The LWS60110A23 uses SGT technology and design to VDSS 乐 瓦 微 General Description： LWS60110A23 l Fast Switching l Low Gate Charge and RDS(ON) 子 l Low Reverse transfer capacitances Inner Equivalent Principium Chart 电 Applications： 瓦 公 司 微 l DC-DC Converter l Portable Equipment 子 科 技 上 有 限 海 乐 l Power Management Package Marking and Ordering Information: 2500 Pcs Parameter Drain-to-Source Voltage Value Units -60 V TC=25℃ -4.0 A Continuous Drain Current TC=100℃ -2.5 A 海 Continuous Drain Current 上 ID Reel Pulsed Drain Current -16 A VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V PD Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range 3.0 W Maximum Temperature for Soldering ℃ 260 RθJA Parameter Value 瓦 Symbol Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 41.6 Units ℃/W 上 子 海 科 乐 技 有 限 Thermal Characteristics: 微 电 公 TL ℃ 150, -55 to 150 子 司 TJ, TSTG 科 IDMa1 公 Symbol VDSS SOT-223 乐 瓦 Absolute Maximum Ratings: Qty. 限 LWS60110A23 Packing 有 S60110 Package 技 Part Number 微 电 Marking 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 1/10 乐 瓦 上 海 LWS60110A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET General Description： Electrical Characteristic (TA = 25 °C, unless otherwise specified): Static Characteristics VDSS Drain to Source Breakdown Voltage IDSS IGSS(F) Value Units Max. VGS=0V, ID=-250µA -60 -- -- Drain to Source Leakage Current VDS=-60V, VGS=0V -- -- 1.0 μA Gate to Source Forward Leakage VGS=-20V, VDS=0V -- -- -100 nA IGSS(R) Gate to Source Reverse Leakage VGS=+20V, VDS=0V -- -- 100 nA VGS(TH) Gate Threshold Voltage RDS(ON)1 Drain-to-Source On-Resistance VDS=VGS, ID=-250µA -1.2 -1.6 -2.0 V VGS=-10V, ID=-3.0A -- 90 110 mΩ RDS(ON)2 Drain-to-Source On-Resistance VGS=-4.5V, ID=-2.0A -- 110 150 mΩ 上 海 有 V 电 子 乐 瓦 微 Typ. 限 Min. 科 技 Test Conditions 电 Parameter 公 司 Symbol Coss Output Capacitance Crss Reverse Transfer Capacitance Resistive Switching Characteristics Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Qg Total Gate Charge Qgs Gate Source Charge Qgd Gate Drain Charge 上 海 tf -- 315 -- -- 59 -- -- 2.98 -- Test Conditions Units pF Value Min. Typ. Max. ID =-2.0A VDS =-30V VGS =-10V RG =5.0Ω -- 6.8 -- -- 8.0 -- -- 16 -- -- 4.0 -- VGS =-10V VDS = -30V ID =-5.0A -- 6.01 -- -- 1.27 -- -- 0.72 -- Units ns nC 有 td(OFF) Turn-on Delay Time Max. 微 电 tr Parameter 乐 瓦 td(ON) VGS = 0V VDS =-30V f = 1.0MHz Typ. Test Conditions Value Min. Typ. Max. TC =25 °C -- -- -4.0 VSD Diode Forward Voltage IS=-2.0A, VGS=0V -- -- -1.2 V 微 电 A 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 限 a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature 子 Diode Forward Current 公 IS Units 科 司 Parameter 技 Source-Drain Diode Characteristics Symbol 公 Input Capacitance Min. 限 Test Conditions Ciss Symbol Value 公 司 Parameter 子 科 技 上 海 乐 瓦 Symbol 有 限 微 Dynamic Characteristics 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 2/10 乐 瓦 上 海 General Description： Characteristics Curve： LW Silicon P-Channel Power MOSFET 有 限 RDS(on)=f(ID), Tj=25 °C; parameter: VGS 微 电 ID=f(VDS), Tj=25 °C; parameter: VGS 子 科 技 上 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 电 Figure 2: Typ. drain-source on resistance 公 司 Figure 1: Typ. output characteristics LWS60110A23 Figure 4: drain-source on resistance 乐 RDS(on)=f(Tj), ID=-3.0A, VGS=-10V; 海 ID=f(VGS), |VDS|>2|ID|RDS(on)max; 上 子 科 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 Figure 3: Typ. transfer characteristics 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 3/10 乐 瓦 上 海 General Description： LW Silicon P-Channel Power MOSFET Figure 6: Drain-source breakdown voltage 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 - 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 Figure 5: Typ. gate threshold voltage LWS60110A23 VBR(DSS)=f(Tj); ID=-250μA; 微 电 子 科 技 上 VGS=f(Tj),I VGS=VDS,ID=-250μA; Figure 8: Typ. Capacitances 瓦 乐 C=f(VDS); VGS=0V; f=1.0 MHz; 海 VGS=f(Qg), ID=-5.0A, Tj=25 °C; parameter: VDS 上 子 科 技 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 Figure 7: Typ. gate charge 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 4/10 乐 瓦 上 海 General Description： 4 3.5 有 2.5 子 1.5 电 1 1 瓦 微 0.5 0.5 0 0 0 海 乐 2 25 50 75 100 125 150 0 25 50 100 125 150 ID=f(TA); 微 电 子 科 技 上 Ptot=f(TA); 75 TA[℃] 有 限 TA[℃] 公 司 1.5 -ID [A] 科 技 2 3 上 海 2.5 乐 瓦 微 4.5 限 3 PTOT [W] Figure 10:Drain current 公 司 3.5 LW Silicon P-Channel Power MOSFET 电 Figure 9: Power dissipation LWS60110A23 上 100uS 有 1.00 10uS 1mS 技 -ID[A] 海 10.00 限 乐 瓦 100.00 Figure 12: Typ. forward characteristics 公 Figure 11: Safe operating area 科 10mS 子 司 0.10 电 1 100 乐 -VDS[V] ID=f(VDS); TC=25 °C; D=0; parameter: tp IF=f(VSD); 上 子 海 科 技 10 瓦 0.1 微 0.01 有 限 公 DC 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 5/10 乐 瓦 上 海 General Description： LWS60110A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 Figure 13: Max. Transient Thermal Impedance 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 ZthJA=f(tp); parameter: D 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 6/10 乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET 公 司 Figure 14: Gate Charge Test Circuit & Waveform 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 General Description： Test Circuit & Waveform: LWS60110A23 微 瓦 Figure 16: Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms 上 子 海 科 乐 技 有 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 Figure 15: Resistive Switching Test Circuit & Waveforms 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 7/10 乐 瓦 上 海 LW Silicon P-Channel Power MOSFET COMMON DIMENSION (MM) PKG SOT-223 MIN MON MAX A 1.520 1.580 1.720 A1 0.010 0.060 0.150 A2 1.470 1.520 1.570 b 0.660 0.710 0.800 c 0.250 0.280 0.350 D 6.500 6.600 6.750 D1 2.900 3.000 3.100 E 6.700 7.000 7.300 E1 3.300 3.500 e 2.300 REF 瓦 0.750 REF 0° 4° 限 有 技 10° 上 子 海 科 科 子 电 微 3.700 L Q 公 Symbol 乐 技 有 限 公 司 上 海 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 电 General Package Description： Outline: LWS60110A23 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 8/10 乐 瓦 上 海 General History: Description： Revision Descriptions Rev 1.0 Feb.2024 Initial Version 电 Date LW Silicon P-Channel Power MOSFET 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 科 技 上 海 有 限 乐 瓦 微 公 司 Revison LWS60110A23 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 9/10 乐 瓦 上 海 General Description： Disclaimer: LWS60110A23 LW Silicon P-Channel Power MOSFET The information in this document is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by 电 公 司 LW-Micro for its use. All operating parameters must be designed, validated and tested to ensure they meet the 乐 瓦 微 requirements of your application. LW-Micro reserves the right to make any specification and/or circuitry changes without prior notification. Before starting a brand-new project, please contact LW-Micro Sales to get the most 科 技 上 海 有 限 recent relevant information. Mailing Address: Room 301, Building 2, No.1690 CaiLun Road, China (Shanghai) Pilot Free Trade Zone 上 子 海 科 乐 技 瓦 有 微 限 电 公 子 司 科 技 有 上 限 海 公 乐 瓦 微 电 子 科 技 上 有 限 海 乐 瓦 公 司 微 电 子 Shanghai Lewa Micro-electronics Technology Co., Ltd 上海乐瓦微电子科技有限公司 司 http://lewa-micro.com Page 10/10