RB521S-40

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-40 SOD-523 Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管 ▉ Internal Configuration& Device Marking 内部结构与产品打标 Type 型号 RB521S-40 Pin 管脚 Mark 打标 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 Unit 单位 VRM VRRM VRWM VR(RMS) 45 40 40 28 V V V V IO 200 mA IFSM 1000 mA PD(Ta=25℃) 150 mW Thermal Resistance J-A 结到环境热阻 RθJA 668 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Peak Reverse Voltage 反向峰值电压 Repetitive Reverse Voltage 重复反向电压 Reverse Work Voltage 反向工作电压 RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值 Forward Work Current 正向工作电流 Peak Forward Surge Current 正向峰值浪涌电流 Power dissipation 耗散功率 -55to+125℃ ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Max 最大值 Unit 单位 V(BR) 40 — V Reverse Leakage Current(VR=10V) 反向漏电流(VR=40V) IR — Forward Voltage(IF=10mA) 正向电压(IF=100mA) (IF=200mA) VF 0.16 0.31 0.41 Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压(IR=100µA) 20 90 0.3 0.45 0.54 µA V 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-40 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-40 ■Dimension 外形封装尺寸