RB521S-30

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-30 SOD-523 Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管 ▉ Internal Configuration& Device Marking 内部结构与产品打标 Type 型号 RB521S-30 Pin 管脚 Mark 打标 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 DC Reverse Voltage 直流反向电压 VR 30 Forward Work Current 正向工作电流 IO 200 mA IFSM 1000 mA PD(Ta=25℃) 150 mW Thermal Resistance J-A 结到环境热阻 RθJA 668 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Peak Forward Surge Current 正向峰值浪涌电流 Power dissipation 耗散功率 Unit 单位 -55to+125℃ ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Max 最大值 Unit 单位 V(BR) 30 — V Reverse Leakage Current 反向漏电流(VR=10V) IR — 30 µA Forward Voltage(IF=10mA) 正向电压(IF=200mA) VF — 0.35 0.5 V Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压(IR=100µA) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-30 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. RB521S-30 ■Dimension 外形封装尺寸