PXT8050

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8050 SOT-89 Bipolar Transistor 双极型三极管 ▉Features 特点 NPN Power Amplifier 功率放大 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 Unit 单位 Collector-Base Voltage 集电极基极电压 VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压 VCEO 25 V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压 VEBO 5 V IC 1500 mA PC(Ta=25℃) 500 mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻 RΘJA 250 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Collector Current 集电极电流 Power dissipation 耗散功率 ■Device Marking 产品打标 PXT8050=Y1 -55to+150℃ 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8050 ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 单位 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极基极击穿电压(IC=100uA，IE=0) BVCBO 40 — — V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(IC=1mA，IB=0) BVCEO 25 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极基极击穿电压(IE=100uA，IC=0) BVEBO 5 — — V Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(VCB=40V，IE=0) ICBO — — 100 nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(VCE=20V，VBE=0) ICES — — 100 nA Emitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(VEB=5V，IC=0) IEBO — — 100 nA DC Current Gain 直流电流增益(VCE=1V，IC=100mA) HFE（1） 85 — 400 DC Current Gain 直流电流增益(VCE=1V，IC=800mA) HFE（2） 40 — — VCE(sat) — — 0.5 V VBE(sat) — — 1.2 V fT 100 — — MHZ Cob — 13 — pF Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降 (IC=800mA，IB=80mA) Base-Emitter Saturation Voltage 基极发射极饱和压降 (IC=800mA，IB=80mA) Transition Frequency 特征频率(VCE=10V，IC=50mA) Output Capacitance 输出电容(VCB=10V，IE=0, f=1MHZ) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8050 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8050 ■Dimension 外形封装尺寸