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安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. D882 SOT-89 Bipolar Transistor 双极型三极管 ▉Features 特点 NPN Low Saturation Voltage 低饱和压降 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 Unit 单位 Collector-Base Voltage 集电极基极电压 VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压 VCEO 30 V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压 VEBO 6 V IC 3000 mA PC(Ta=25℃) 500 mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻 RΘJA 250 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Collector Current 集电极电流 Power dissipation 耗散功率 ■Device -55to+150℃ Marking 产品打标 HFE Mark 60-120(R) 100-200(O) D882 160-320(Y) 200-400(GR) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. D882 ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 单位 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极基极击穿电压(IC= 100µA，IE=0) BVCBO 40 — — V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(IC= 10mA，IB=0) BVCEO 30 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极基极击穿电压(IE= 100µA，IC=0) BVEBO 6 — — V Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(VCB= 40V，IE=0) ICBO — — 1 µA Collector-Emitter Leakage Current 集电极发射极漏电流(VCE= 30V，IB=0) ICEO — — 10 µA Emitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(VEB= 6V，IC=0) IEBO — — 1 µA DC Current Gain 直流电流增益(VCE= 2V，IC= 1000mA) HFE 60 — 400 Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(IC= 2A，IB= 0.2A) VCE(sat) — — 0.5 V Base-Emitter Saturation Voltage 基极发射极饱和压降(IC= 2A，IB= 0.2A) VBE(sat) — — 1.5 V fT — 60 — MHZ Cob — 35 — pF Transition Frequency 特征频率(VCE= 5V，IC= 100mA) Output Capacitance 输出电容(VCB= 10V，IE=0, f=1MHZ) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. D882 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. D882 ■Dimension 外形封装尺寸