PXT8550

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8550 SOT-89 Bipolar Transistor 双极型三极管 ▉Features 特点 PNP Power Amplifier 功率放大 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 Unit 单位 Collector-Base Voltage 集电极基极电压 VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压 VCEO -25 V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压 VEBO -5 V IC -1500 mA PC(Ta=25℃) 500 mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻 RΘJA 250 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Collector Current 集电极电流 Power dissipation 耗散功率 ■Device Marking 产品打标 PXT8550=Y2 -55to+150℃ 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8550 ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 单位 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极基极击穿电压(IC= -100uA，IE=0) BVCBO -40 — — V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(IC= -1mA，IB=0) BVCEO -25 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极基极击穿电压(IE= -100uA，IC=0) BVEBO -5 — — V Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(VCB= -40V，IE=0) ICBO — — -100 nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(VCE= -20V，VBE=0) ICES — — -100 nA Emitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(VEB= -5V，IC=0) IEBO — — -100 nA DC Current Gain 直流电流增益(VCE= -1V，IC= -100mA) HFE（1） 85 — 400 DC Current Gain 直流电流增益(VCE= -1V，IC= -800mA) HFE（2） 40 — — VCE(sat) — — -0.5 V VBE(sat) — — -1.2 V fT 100 — — MHZ Cob — 20 — pF Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降 (IC= -800mA，IB= -80mA) Base-Emitter Saturation Voltage 基极发射极饱和压降 (IC= -800mA，IB= -80mA) Transition Frequency 特征频率(VCE= -10V，IC= -50mA) Output Capacitance 输出电容(VCB= -10V，IE=0, f=1MHZ) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8550 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. PXT8550 ■Dimension 外形封装尺寸