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安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. A42 SOT-89 Bipolar Transistor 双极型三极管 ▉Features 特点 NPN High Voltage 高压 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Rat 额定值 Unit 单位 Collector-Base Voltage 集电极基极电压 VCBO 310 V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压 VCEO 305 V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压 VEBO 5 V Collector Current 集电极电流 IC 200 mA Collector Current Pulsed 集电极脉冲电流 ICP 500 mA PC(Ta=25℃) 500 mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻 RΘJA 250 ℃/W Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度 TJ,Tstg Power dissipation 耗散功率 -55to+150℃ 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. A42 ■Electrical Characteristics 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 单位 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极基极击穿电压(IC=100uA，IE=0) BVCBO 310 — — V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(IC=1mA，IB=0) BVCEO 305 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极基极击穿电压(IE=100uA，IC=0) BVEBO 5 — — V Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(VCB=300V，IE=0) ICBO — — 100 nA Collector-Emitter Leakage Current 集电极发射极漏电流(VCE=200V，IB=0) ICEO — — 100 nA Emitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(VEB=5V，IC=0) IEBO — — 100 nA DC Current Gain 直流电流增益(VCE=10V，IC=1mA) HFE(1) 60 — — DC Current Gain 直流电流增益(VCE=10V，IC=10mA) HFE(2) 100 — 200 DC Current Gain 直流电流增益(VCE=10V，IC=30mA) HFE(3) 60 — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(IC=20mA，IB=2mA) VCE(sat) — — 0.2 V Base-Emitter Saturation Voltage 基极发射极饱和压降(IC=20mA，IB=2mA) VBE(sat) — — 0.9 V fT 50 — — MHZ Cob — 6 — pF Transition Frequency 特征频率(VCE=20V，IC=10mA) Output Capacitance 输出电容(VCB=20V，IE=0, f=1MHZ) 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. A42 ■Typical Characteristic Curve 典型特性曲线 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. , LTD. A42 ■Dimension 外形封装尺寸