LR78L12 系列
Dec-2022-REV.A
LR78L12 系列线性稳压器
1
3
产品特点
产品描述
LR78L12 系列是一款基于双极工艺的高精度线性稳
•
输入端耐压:30V
•
静态电流: 2.5mA
•
输出精度: ±2%
•
集成短路保护功能、过流保护功能
压器。它具有低静态功耗、高耐压等特性,LR78L12
系列产品输入电压可达 30V,固定输出电压范围在
12V。芯片内置有短路保护电路、过流保护功能可
以保障产品在使用中安全运行。
2
产品应用
•
工业类控制板
•
安防类设备
•
开关电源辅助供电
•
消费类电子设备
4
器件信息
LR78L12 能在输出噪声较小的情况下提供 100mA
的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于其
纹波抑制比及负载特性较好,这些器件特别适用于
消费类产品、安防类设备和工业设备等。
规格型号
输出电压
封装
丝印
LR78L12-M
12V
SOT89-3L
78L12
1
5
LR78L12 系列
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版本历史
新编 A 版本 (Dec 2022)
•
新修订 A 版本规格书........................................................... 1-10
注: 历史版本页数可能与当前版本的页数有所差异。
6 引脚定义和功能
7 功能框图
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8 电气特性
8.1 极限参数
常温下测试(除非特殊说明)(1)
Name
Min
Max
Unit
最大输入电源电压
VIN
35
V
最大输出电流
IOUT
200
mA
500
mW
PD
耗散功率
SOT89-3
工作温度
TOPR
-40~+125
℃
存储温度
TSTG
-65~+150
℃
(1)在超出上面列出的绝对最大额定值条件下工作可能会造成器件的永久损坏。 这些只是应力额定值,长时间处于最大绝对
额定条件下会影响设备的可靠性。
(2) 所有电压值都是相对于 GND 的值,除非额外注明。
(3) 下列一个或两个条件可能会导致整体设备的使用寿命降低:
• 长期高温储存
• 长时间在最高温度下使用
8.2 ESD
Mode
Name
Max
Unit
H.B.M
POS/NEG
±3000
V
8.3 电气参数
除非特殊说明, TJ = 25°C.
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入电压
VIN
ISS=2.5mA
—
—
30
V
输出电压
VOUT
VIN=19V,IOUT=10mA
11.76
12
12.24
V
输出电流
IOUT
VIN= 19V
—
100
—
mA
线性调整度
△VOUT
14.5V≤VIN≤27V,
IOUT=1mA
—
30
180
mV
负载调整度
△VOUT
VIN=19V,
1mA≤IOUT≤100mA
—
30
100
mV
IOUT=50mA,
△VOUT=±2%*VOUT
1.58
1.68
1.78
IOUT=100mA,
1.8
最小压差
VDrop
V
1.9
2
3
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△VOUT=±2%*VOUT
纹波抑制比
PSRR
f=120Hz,
15V≤VIN≤25V
输出噪声
VN
f=10Hz~100KHz(注 3)
静态电流
ISS
VIN= 19V
输出峰值电流
IPK
温度系数
△VOUT/△Ta
最小工作电压
VIN(Min)
IOUT=5mA
40
54
—
dB
—
2.5
5
mA
—
140
—
mA
—
-1.0
—
mV/℃
13.7
14.5
V
注 1:超过极限条件下,电参数有可能出现永久性损坏。
注 2:人体模式,1.5KΩ电阻和 100pF 电容串联。
注 3:建议最小负载电容为 0.01uF 以抑制高频噪声。
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特性曲线 (除非特殊说明 CIN=0.33uF,COUT=0.1uF,VCC=19V,TJ = 25°C.)
9.1 输出电压线性特性
9.2 输出电压负载线性特性
9.3 静态电流空载线性特性
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9.4 最小压差线性特性
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10 典型参数波形图
(除非特殊说明CIN=0.33uF,COUT=0.1uF,VCC=19V,TJ = 25°C.)
10.1 上电响应
10.2 下电响应
10.3 负载响应(IOUT=30mA)
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11 应用信息
该系列芯片为三端低压差系列线性稳压器。必须严格遵循下列应用要点以实现正确操作。
11.1 外部电路
输入和输出引脚必须要接上外部电容。对于输入引脚,尤其在采用电池供电时而产生高阻抗时,必须
连接上合适的旁路电容,建议输入电容值至少为 0.33μF,并且为陶瓷电容,以实现更好的温度系数和更低
的 ESR(等效串联电阻), 如应用电路所示。而对于输出引脚,尤其在负载具有瞬态性能时,必须连接合
适的电容,输出电容在保持输出电压稳定方面起着重要作用。对于陶瓷型电容器,电容值至少为 0.1μF。
选择较大容值的电容可以限制瞬态电压输出。
11.2 热注意事项
芯片最大功耗取决于 IC 封装的热阻、PCB 布局、周围气流速度以及结点与环境温度的温差。通过以下
公式计算可得最大功耗: PD(MAX)=(TJ(MAX) − Ta)/θJA 此处的 TJ(MAX)为结点最大温度,Ta 为环境温度,而 θJA
为 IC 封装中每瓦度的结点到环境热阻。下表显示了各种封装类型的 θJA 值。
封装类型
θJA (˚C/W)
SOT89-3
200 °C/W
工作极限参数中,最大结温是 150°C。尽管如此,建议正常工作时最大结温不超过 125°C 以确保其可靠性。
11.3 功耗计算
为使芯片工作在极限范围内并保持一个稳定的输出电压,芯片的功耗 PD 一定不能超过最大功耗
PD(MAX),即 PD≤PD(MAX)。由下图可看出几乎所有功率都是通过晶体管产生,这等同于在负载上串联一
个可变电阻,从而保持输出电压恒定。此处产生的功率表现为热能,必须保证芯片不能超过最大结点温度。
由于负载的瞬态性能,在实际应用中要求稳压器提供稳态和瞬态电流。虽然该系列芯片操作于限制范
围内,并在其稳态电流下工作良好,但必须注意可能导致电流上升至接近极限参数的瞬态负载,这也将导
致芯片结点温度的升高。电路中存在稳态电流和瞬态电流,最需考虑的应为芯片中产生热能的电流值均值,
更确切地说是 RMS 值。下图显示了与瞬态电流相关的平均电流。
由于芯片的瞬态电流很小,一般可以忽略,故假设输入电流等于输出电流,则芯片的功耗 PD 可计算为
输入电压和输出电压的压差乘以电流,即得公式 PD=(VIN − VOUT) × IIN,由于输入电流也等于负载电流,
因 此 可 得 公 式 PD=(VIN − VOUT) ×ILOAD 但 由 于 瞬 态 负 载 电 流 的 存 在 , 功 耗 PD 应 为 PD=(VIN −
VOUT)×ILOAD(AVG)
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12 Layout 指导
1. CIN 和 COUT 离 LDO 尽可能近,一般推荐 CIN=0.33uF,COUT=0.1uF,需要注意输入电容耐压值。
2. LDO 输入端建议串联 10Ω左右的电阻,以吸收前级输入尖峰电压。
3.
尽量大的铺地面积,可以提高抗干扰性,增加 LDO 散热性能。
9
13
封装信息 (SOT89-3L)
符号
A
b
b1
c
D
D1
D2
E
E1
E2
e
e1
L
θ
公制单位(mm)
Min.
Max.
1.400
1.600
1.320
0.520
0.380
0.580
0.350
0.440
4.400
4.600
1.550
1.710
3.940
4.250
2.300
2.600
1.900
1.500 Typ.
3.000 Typ.
0.900
1.200
45°
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英制单位(inch)
Min.
Max.
0.055
0.063
0.013
0.020
0.015
0.023
0.014
0.017
0.173
0.181
0.061
0.069
0.155
0.167
0.091
0.102
0.071
0.060 Typ.
0.118 Typ.
0.035
0.047
45°
注意:
1. 本图如有更改,恕不另行通知,使用前请注意获取产品对应版本资料。
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