MGH201A1T3

MGH201A1T3

  • 厂商:

    MEGAIN(美佳音)

  • 封装:

    SOT23-3

  • 描述:

    双极锁存型开关霍尔检测芯片

  • 数据手册
  • 价格&库存
MGH201A1T3 数据手册
MGH201 双极锁存型霍尔检测芯片 ■ 产品概述 ■ 额定工作参数 • MGH201 系列是一款基于混合信号 CMOS 技术的双极 工作温度范围 TMIN ≤ TA ≤ TMAX 型霍尔开关,这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能 • 够提供准确而稳定的磁开关点。 该产品集成了稳压器,霍尔传感器和动态失调消除系统, 工作电压范围 −50°C ≤ TA ≤ 150°C 3.5V ≤ VDD ≤ 30V ■ 产品特点 施密特触发器、斩波放大器和漏极开路输出驱动器或带有 • 宽温宽压,可工作在工业级应用环境下 8KΩ 上拉电阻的推挽输出。斩波放大器设计,有效的减少 • 开漏极输出/带 8KΩ 上拉电阻的推挽输出 • 推挽输出内置上拉电阻,可和各种逻辑电路直接接口, 由于温度、工艺、机械应力等造成的失调,提高了磁场灵敏 度的一致性。 可节省一颗上拉电阻的成本和 PCB 空间 MGH201 系列可实现的功能:无触点开关、位置检测、 速度检测、换向检测、流量检测等,依赖其宽泛的工作电压 范围和温度范围,广泛用于家电、新能源汽车、工业控制和 电脑周边等领域。 (针对 MGH201B/201D 型号) • 内置温度补偿电路,优异的温度稳定性 • 最大输出电流 50mA • ESD 防护等级高 4KV HBM ■ 用途 ■ 命名规则 • 直流无刷电机:风扇、风机、水泵、电动自行车等 • 电动车窗、健身设备、点火器、里程表、报警装置等 • 速度测量、位置感测、流量测量、转速计数 ■ 封装(符合 RoHS) • SOT23-3 • TO-92S ■ 订购信息 订购代码 工作电压 (V) 最大 静态电流 (mA) 最大 输出电流 (mA) 工作点 Bop 释放点 BRP (GS) (GS) 磁滞窗口 BHYST (GS) 输出形式 80 开漏输出 MGH201A1T3 40 -40 MGH201A1E3 封装形式 特性 SOT23-3 TO-92S MGH201A2T3 开漏输出 MGH201A2E3 SOT23-3 TO-92S 35 -35 70 MGH201B1T3 推挽输出 MGH201B1E3 SOT23-3 TO-92S 3.5~30 5 50 MGH201C1T3 SOT23-3 MGH201C1E3 TO-92S 开漏输出 MGH201C2T3 MGH201C2E3 SOT23-3 20 -20 40 5V 对称性好 12V 对称性好 TO-92S MGH201D1T3 推挽输出 MGH201D1E3 SOT23-3 TO-92S 注意:加粗的型号为主推型号 Rev.1.6 1 www.megain.com MGH201 ■ 引脚配置 SOT23-3 (Top View) GND Sensitive Area (感应区) 3 1 2 VDD VOUT 引脚号 引脚名 功能 1 VDD 电源电压 2 VOUT 输出端 3 GND 接地端 Sensitive Area (感应区) TO-92S (Front View) 1 2 3 VDD GND VOUT Rev.1.6 引脚号 引脚名 功能 1 VDD 电源电压 2 GND 接地端 3 VOUT 输出端 2 www.megain.com MGH201 ■ 功能框图 ■ 工作原理 • • • • • 磁通量由霍尔器件转换成小电压信号。 放大器将霍尔电压放大成一个大的信号。 动态偏置系统减小霍尔板和放大器的偏移。 迟滞比较器将放大后的信号转换成设置的开关信号。 输出级锁定比较器的输出,并驱动开漏输出引脚或带有 8KΩ 上拉电阻的推挽输出(仅在标准磁灵敏度下可用)。 ■ 磁性参数的定义 Rev.1.6 符号 术语 定义 BOP Operating Point 磁通密度作用于器件的品牌标签侧时驱动打开器件输出。 (Vout = VDSon) (Vout = VDSon) BRP Release Point 磁通密度作用于器件的品牌标签侧时驱动关闭器件输 出。(Vout = HIGH) (Vout = HIGH) BHYST Hysteresis Window 磁滞窗口 BOP - BRP 3 www.megain.com MGH201 ■ 最大额定值 最大额定值是偶尔应用的极限值,超过该限值,电路可能造成不可逆损坏。长时间暴露在最大额定值条件下虽然功能不一定 失效,但可能会影响设备的可靠性。 项目 符号 值 单位 工作电压 VDD 30 V 工作电流 IDD 50 mA 输出电压 VOUT 30 V 输出电流 IOUT 50 mA 贮存温度 Tstg -50 ~ +150 ℃ 结点温度 — 150 ℃ ESD HBM — 4000 V ■ 电气和磁特性 除非另有说明,以下参数基于 Ta=-40℃至+125℃,VDD=3.5 至 24V。 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 VDD 工作电压 — 3.5 — 24 V IDD 静态电流 B < BRP 5 mA VDSON 输出饱和电压 IOUT = 20mA , B > BOP 0.5 V IOFF 输出关断电流 RL = 1kΩ, CL = 20pF 10 uA TR 输出上升沿时间 RL = 1kΩ, CL = 20pF 0.45 uS TF 输出下降沿时间 0.45 uS FSW 最大开关频率 RTH 封装热阻 BOP 磁性工作点 10 40 55 GS BRP 磁性释放点 -55 -40 -10 GS BHYST 磁滞窗口 60 80 100 GS BOP 磁性工作点 10 35 55 GS BRP 磁性释放点 -55 -35 -10 GS BHYST 磁滞窗口 60 70 100 GS BOP 磁性工作点 10 20 35 GS BRP 磁性释放点 -35 -20 -10 GS BHYST 磁滞窗口 25 40 55 GS 单层(1S)JEDEC 板 10 KHz 301 °C/W 备注 MGH201A1 MGH201A2 MGH201B1 MGH201C1 MGH201C2 MGH201D1 ■ 锁存特性 MGH201 系列具有锁存磁开关特性。因此,它需要南北两极都能正常运行。 该装置的开关特性具有对称操作和释放开关点(BOP=| BRP |)。这意味着在相 等强度下,相反方向的磁场驱动输出会不一样。移除磁场(B->0)可使输出保持其先 前的状态。此锁定属性可以将器件定义为磁存储器。 磁滞 BHYST 使 BOP 和 BRP 之间的差值最小。这个迟滞可防止开关点附近的输 出振荡。 Rev.1.6 4 www.megain.com MGH201 ■ 应用电路 ■ 应用建议 为了更好工作,VDD 和 GND 之间的 100nf 旁路电容应尽可能靠近器件。 对于反向电压保护,建议在电源引脚上串联一个电阻或者二极管。当串联电阻时,有以下三点需要注意: • 电阻必须将反向电流限制在最大为 50mA(VCC / R1 ≤ 50mA)。 • 使用器件时的供电电压 VDD 必须高于 VDD 的最小值(VDD = VCC – R1 * IDD)。 • 电阻的功率必须能够承受反向电压下消耗的功率(PD = VCC2 / R1)。 当使用二极管时,反向电流不能通过,压降几乎是恒定的(≈0.7V)。所以推荐在 5V 工作条件下 100 欧/0.25W 的电阻和更 高的电压使用二极管。两者都可以解决反向电压保护。 当使用弱电源供电或器件在噪声环境中使用时,对于恶劣和噪声环境,建议使用 3 线应用电路。由 R1 和 C1 构成的低通滤 波器以及齐纳二极管 Z1 消除了器件电源电压上出现的干扰或电压尖峰。二极管 D1 提供额外的反向电压保护。 Rev.1.6 5 www.megain.com MGH201 ■ 丝印说明 Rev.1.6 芯片丝印 (未含日期) 芯片型号 封装 字符说明 MGH201A1T3 SOT23-3 MGH201A1E3 TO-92S MGH201A2T3 SOT23-3 MGH201A2E3 TO-92S MGH201B1T3 SOT23-3 MGH201B1E3 TO-92S 第 1 版是 4 位 MGH201C1T3 SOT23-3 第 2 版是 5 位 MGH201C1E3 TO-92S MGH201C2T3 SOT23-3 MGH201C2E3 TO-92S MGH201D1T3 SOT23-3 MGH201D1E3 TO-92S 201A 201A2 201B 201C 201C2 201D 6 www.megain.com MGH201 ■ 封装尺寸 SOT23-3: TO-92S: ■ 包装数量 Rev.1.6 封装 尺寸 最小包装数量(PCS) SOT23-3 7 寸卷盘 3000 TO-92S 袋装 1000 7 www.megain.com