MGH201
双极锁存型霍尔检测芯片
■ 产品概述
■ 额定工作参数
•
MGH201 系列是一款基于混合信号 CMOS 技术的双极
工作温度范围
TMIN ≤ TA ≤ TMAX
型霍尔开关,这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能
•
够提供准确而稳定的磁开关点。
该产品集成了稳压器,霍尔传感器和动态失调消除系统,
工作电压范围
−50°C ≤ TA ≤ 150°C
3.5V ≤ VDD ≤ 30V
■ 产品特点
施密特触发器、斩波放大器和漏极开路输出驱动器或带有
•
宽温宽压,可工作在工业级应用环境下
8KΩ 上拉电阻的推挽输出。斩波放大器设计,有效的减少
•
开漏极输出/带 8KΩ 上拉电阻的推挽输出
•
推挽输出内置上拉电阻,可和各种逻辑电路直接接口,
由于温度、工艺、机械应力等造成的失调,提高了磁场灵敏
度的一致性。
可节省一颗上拉电阻的成本和 PCB 空间
MGH201 系列可实现的功能:无触点开关、位置检测、
速度检测、换向检测、流量检测等,依赖其宽泛的工作电压
范围和温度范围,广泛用于家电、新能源汽车、工业控制和
电脑周边等领域。
(针对 MGH201B/201D 型号)
•
内置温度补偿电路,优异的温度稳定性
•
最大输出电流 50mA
•
ESD 防护等级高 4KV HBM
■ 用途
■ 命名规则
•
直流无刷电机:风扇、风机、水泵、电动自行车等
•
电动车窗、健身设备、点火器、里程表、报警装置等
•
速度测量、位置感测、流量测量、转速计数
■ 封装(符合 RoHS)
•
SOT23-3
•
TO-92S
■ 订购信息
订购代码
工作电压
(V)
最大
静态电流
(mA)
最大
输出电流
(mA)
工作点 Bop 释放点 BRP
(GS)
(GS)
磁滞窗口
BHYST
(GS)
输出形式
80
开漏输出
MGH201A1T3
40
-40
MGH201A1E3
封装形式
特性
SOT23-3
TO-92S
MGH201A2T3
开漏输出
MGH201A2E3
SOT23-3
TO-92S
35
-35
70
MGH201B1T3
推挽输出
MGH201B1E3
SOT23-3
TO-92S
3.5~30
5
50
MGH201C1T3
SOT23-3
MGH201C1E3
TO-92S
开漏输出
MGH201C2T3
MGH201C2E3
SOT23-3
20
-20
40
5V 对称性好
12V 对称性好
TO-92S
MGH201D1T3
推挽输出
MGH201D1E3
SOT23-3
TO-92S
注意:加粗的型号为主推型号
Rev.1.6
1
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MGH201
■ 引脚配置
SOT23-3
(Top View)
GND
Sensitive Area
(感应区)
3
1
2
VDD
VOUT
引脚号
引脚名
功能
1
VDD
电源电压
2
VOUT
输出端
3
GND
接地端
Sensitive Area
(感应区)
TO-92S
(Front View)
1
2
3
VDD GND VOUT
Rev.1.6
引脚号
引脚名
功能
1
VDD
电源电压
2
GND
接地端
3
VOUT
输出端
2
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MGH201
■ 功能框图
■ 工作原理
•
•
•
•
•
磁通量由霍尔器件转换成小电压信号。
放大器将霍尔电压放大成一个大的信号。
动态偏置系统减小霍尔板和放大器的偏移。
迟滞比较器将放大后的信号转换成设置的开关信号。
输出级锁定比较器的输出,并驱动开漏输出引脚或带有 8KΩ 上拉电阻的推挽输出(仅在标准磁灵敏度下可用)。
■ 磁性参数的定义
Rev.1.6
符号
术语
定义
BOP
Operating Point
磁通密度作用于器件的品牌标签侧时驱动打开器件输出。
(Vout = VDSon) (Vout = VDSon)
BRP
Release Point
磁通密度作用于器件的品牌标签侧时驱动关闭器件输
出。(Vout = HIGH) (Vout = HIGH)
BHYST
Hysteresis Window
磁滞窗口 BOP - BRP
3
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MGH201
■ 最大额定值
最大额定值是偶尔应用的极限值,超过该限值,电路可能造成不可逆损坏。长时间暴露在最大额定值条件下虽然功能不一定
失效,但可能会影响设备的可靠性。
项目
符号
值
单位
工作电压
VDD
30
V
工作电流
IDD
50
mA
输出电压
VOUT
30
V
输出电流
IOUT
50
mA
贮存温度
Tstg
-50 ~ +150
℃
结点温度
—
150
℃
ESD HBM
—
4000
V
■ 电气和磁特性
除非另有说明,以下参数基于 Ta=-40℃至+125℃,VDD=3.5 至 24V。
符号
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
VDD
工作电压
—
3.5
—
24
V
IDD
静态电流
B < BRP
5
mA
VDSON
输出饱和电压
IOUT = 20mA , B > BOP
0.5
V
IOFF
输出关断电流
RL = 1kΩ, CL = 20pF
10
uA
TR
输出上升沿时间
RL = 1kΩ, CL = 20pF
0.45
uS
TF
输出下降沿时间
0.45
uS
FSW
最大开关频率
RTH
封装热阻
BOP
磁性工作点
10
40
55
GS
BRP
磁性释放点
-55
-40
-10
GS
BHYST
磁滞窗口
60
80
100
GS
BOP
磁性工作点
10
35
55
GS
BRP
磁性释放点
-55
-35
-10
GS
BHYST
磁滞窗口
60
70
100
GS
BOP
磁性工作点
10
20
35
GS
BRP
磁性释放点
-35
-20
-10
GS
BHYST
磁滞窗口
25
40
55
GS
单层(1S)JEDEC 板
10
KHz
301
°C/W
备注
MGH201A1
MGH201A2
MGH201B1
MGH201C1
MGH201C2
MGH201D1
■ 锁存特性
MGH201 系列具有锁存磁开关特性。因此,它需要南北两极都能正常运行。
该装置的开关特性具有对称操作和释放开关点(BOP=| BRP |)。这意味着在相
等强度下,相反方向的磁场驱动输出会不一样。移除磁场(B->0)可使输出保持其先
前的状态。此锁定属性可以将器件定义为磁存储器。
磁滞 BHYST 使 BOP 和 BRP 之间的差值最小。这个迟滞可防止开关点附近的输
出振荡。
Rev.1.6
4
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MGH201
■ 应用电路
■ 应用建议
为了更好工作,VDD 和 GND 之间的 100nf 旁路电容应尽可能靠近器件。
对于反向电压保护,建议在电源引脚上串联一个电阻或者二极管。当串联电阻时,有以下三点需要注意:
•
电阻必须将反向电流限制在最大为 50mA(VCC / R1 ≤ 50mA)。
•
使用器件时的供电电压 VDD 必须高于 VDD 的最小值(VDD = VCC – R1 * IDD)。
•
电阻的功率必须能够承受反向电压下消耗的功率(PD = VCC2 / R1)。
当使用二极管时,反向电流不能通过,压降几乎是恒定的(≈0.7V)。所以推荐在 5V 工作条件下 100 欧/0.25W 的电阻和更
高的电压使用二极管。两者都可以解决反向电压保护。
当使用弱电源供电或器件在噪声环境中使用时,对于恶劣和噪声环境,建议使用 3 线应用电路。由 R1 和 C1 构成的低通滤
波器以及齐纳二极管 Z1 消除了器件电源电压上出现的干扰或电压尖峰。二极管 D1 提供额外的反向电压保护。
Rev.1.6
5
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MGH201
■ 丝印说明
Rev.1.6
芯片丝印
(未含日期)
芯片型号
封装
字符说明
MGH201A1T3
SOT23-3
MGH201A1E3
TO-92S
MGH201A2T3
SOT23-3
MGH201A2E3
TO-92S
MGH201B1T3
SOT23-3
MGH201B1E3
TO-92S
第 1 版是 4 位
MGH201C1T3
SOT23-3
第 2 版是 5 位
MGH201C1E3
TO-92S
MGH201C2T3
SOT23-3
MGH201C2E3
TO-92S
MGH201D1T3
SOT23-3
MGH201D1E3
TO-92S
201A
201A2
201B
201C
201C2
201D
6
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MGH201
■ 封装尺寸
SOT23-3:
TO-92S:
■ 包装数量
Rev.1.6
封装
尺寸
最小包装数量(PCS)
SOT23-3
7 寸卷盘
3000
TO-92S
袋装
1000
7
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免费人工找货- 国内价格
- 5+0.43719
- 50+0.38546
- 150+0.35964
- 500+0.34020
- 3000+0.32465
- 6000+0.31688
- 国内价格
- 10+0.30832
- 100+0.24468
- 600+0.21291
- 1200+0.20972
- 3000+0.18903