IXFK94N50P2

IXFK94N50P2 http://www.osen.net.cn 500V N-CHANNEL MOSFET  Features：  Fast switching speed 开关速度快  High input impedance and low level drive 高输入阻抗和低电平驱动  Avalanche energy tested 雪崩能量测试  Improved dv/dt capability，high ruggedness 提高 dv/dt 能力，高耐用性 TO-264  Applications  High efficiency switch mode power supplies 高效率开关电源  Power factor correction 功率因数校正  Electronic lamp ballast 电子整流器 Publication Order Number:[IXFK94N50P2] 21.2.10 @OSEN*Rev 1 http://www.osen.net.cn IXFK94N50P2 500V N-CHANNEL MOSFET  Absolute Maximum Ratings (Tc=25°C) Symbol VDSS VGS ID IDM PD Tj Parameters Ratings Unit 500 V ±30 V 漏极持续电流 94 A Drain Current-Single Plused（Note 1） 漏极单次脉冲电流 240 A 1300 W 150 ℃ Drain-Source Voltage 漏源电压 Gate-Source Voltage-Continuous 栅源电压 Drain Current-Continuous（Note 2） Power Dissipation （Note 2） 功率损耗 Max.Operating junction temperature 最大结温  Electrical characteristics (Tc=25°C unless otherwise noted) Symbo Parameters l Min Typ Max Units Conditions 500 -- -- V 3 -- 5 V VDS=VGS，ID=250uA -- -- 60 mΩ VGS=10V，ID=47A -- -- ±100 nA VGS=±30V，VDS=0 -- -- 10 μA VDS=500V，VGS=0 -- 75 -- S VDS=10V，ID=47A Static Characteristics Drain-Source Breakdown BVDSS VoltageCurrent （Note 1） 漏极击穿电压 VGS(th) RDS(on) IGSS IDSS gfs Gate Threshold Voltage 栅极开启电压 Drain-Source On-Resistance 漏源导通电阻 Gate-Body Leakage Current 栅极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 零栅极电压漏极电流 Forward Transconductance 正向跨导 Publication Order Number:[IXFK94N50P2] 21.2.10 ID=250uA，VGS=0V， TJ=25°C @OSEN*Rev 2 http://www.osen.net.cn IXFK94N50P2 500V N-CHANNEL MOSFET Switching Characteristics Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd Turn-On Delay Time 开启延迟时间 Rise Time 上升时间 Turn-Off Delay Time 关闭延迟时间 Fall Time 下降时间 Total Gate Charge 栅极总电荷 Gate-Source Charge 栅源极电荷 Gate-Drain Charge 栅漏极电荷 -- 35 -- ns -- 15 -- ns VDS=250V， ID=47A， -- 75 -- ns -- 15 -- ns -- 230 -- nC RG=1Ω（Note 2） VDS=250V， -- 65 -- nC -- 80 -- nC -- 14 -- pF VGS=10V， ID=47A（Note 2） Dynamic Characteristics Ciss Coss Crss IS VSD Rth(j-c) Input Capacitance 输入电容 Output Capacitance 输出电容 Reverse Transfer Capacitance 反向传输电容 Continuous Drain-Source Diode Forward Current（Note 2） 二极管导通正向持续电流 Diode Forward On-Voltage 二极管正向导通电压 Thermal Resistance, Junction to Case 结到外壳的热阻 VDS=25V，VGS=0， -- 1390 -- pF -- 33 -- pF -- -- 94 A -- -- 1.4 V -- -- 0.10 ℃/W f=1MHz IS=94A，VGS=0 Note 1: Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature Note 2: Pulse test: PW