CM1341-DAT

CM1341-DAT 4 串带均衡功能电池保护 IC www.icm-semi.com CM1341-DAT 是一款专用于 4 串锂/铁电池的保护芯片，内置有高精度电压检测电路和电流检测电路。通过检测各节电 池的电压、充放电电流及温度等信息，实现电池过充电、过放电、均衡、断线、低压禁充、放电过电流、短路、充电过电流 和过温保护等功能，放电过流保护延时外置电容可调，其他保护延时内置。  功能特点 1) 高精度电池电压检测功能  过充电保护电压 4.250 V 精度 ±15 mV  过充电恢复电压 4.150 V 精度 ±30 mV  均衡开启电压 4.125 V 精度 ±25 mV  过放电保护电压 2.700 V 精度 ±50 mV  过放电解除电压 3.000 V 精度 ±80 mV 2) 三段放电过流保护功能  过电流 1 保护电压 0.050 V 精度 ±5 mV  过电流 2 保护电压 0.100 V 精度 ±15 mV  短路保护电压 0.200 V 精度 ±40 mV -0.025 V 精度 ±5 mV 3) 充电过流保护功能  充电过流保护电压 4) 充电器检测及负载检测功能 5) 充、放电高温保护功能 6) 充、放电低温保护功能 有 7) 电池断线保护功能 8) NTC 电阻断线保护功能 9) 低压禁止充电功能 有 10) 低电流消耗  工作时 10 μA (典型值) (Ta = +25°C)  休眠时 5.0 μA (典型值) (Ta = +25°C) 11) RoHS、无铅、无卤素   应用领域  吸尘器、电动工具  UPS 后备电源  4 串可充电锂电池组 封装  Rev 1.1 TSSOP16 深圳市创芯微微电子股份有限公司 1 / 20 CM1341-DAT  系统功能框图 VCC 稳压源 负载/充电器 检测 基准电压 VM CO + - DO 过充检测 VC1 + VC2 电压、断线、低压 禁充检测电路 逻辑处理 过放检测 过流检测 VC3 + RTV VC4 VINI 均衡检测 过温检测 RTS 过流延时 TEC VSS 图 1 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 2 / 20 CM1341-DAT  命名规则 CM1341-DAT 封装形式，T 代表 TSSOP 产品序列号，从 AA ~ZZ 产品系列  印字说明 CM1341-DAT XXXX 第一行：LOGO 第二行：产品型号 图 2  第三行：生产批次 产品目录 1. 检测电压表 产品名称 CM1341-DAT 过充电 过充电 均衡 过放电 过放电 放电 放电 短路 充电 保护电压 解除电压 启动电压 保护电压 解除电压 过流 1 过流 2 保护 过流 VOC VOCR VBAL VOD VODR VEC1 VEC2 VSHORT VCHA 4.250 V 4.150 V 4.125 V 2.700 V 3.000 V 0.050 V 0.100 V 0.200 V -0.025 V 表 1 2. 产品功能表 产品名称 充、放电低温保护功能 低压禁充功能 CM1341-DAT 有 有 表 2 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 3 / 20 CM1341-DAT  引脚排列图 1 VCC VM 16 2 VNC CO 15 3 VNC DO 14 4 VNC VINI 13 5 VC1 RTV 12 6 VC2 RTS 11 7 VC3 TEC 10 8 VC4 VSS 9 CM1341 图 3 引脚号 符号 描述 1 VCC 正电源输入端子、电池 1 的正电压连接端子 2 VNC 电池 1 的正电压连接端子 3 VNC 电池 1 的正电压连接端子 4 VNC 电池 1 的正电压连接端子 5 VC1 电池 1 的正电压连接端子 6 VC2 电池 1 的负电压、电池 2 的正电压连接端子 7 VC3 电池 2 的负电压、电池 3 的正电压连接端子 8 VC4 电池 3 的负电压、电池 4 的正电压连接端子 9 VSS 芯片地、电池 4 的负电压连接端子 10 TEC 放电过流延时调节端子 11 RTS 接 NTC，用于温度检测 12 RTV 接电阻到 RTS 端子，用于设置保护温度 13 VINI 过流检测端子 14 DO 放电 MOS 控制端子 15 CO 充电 MOS 控制端子 16 VM 充电器及负载检测端子 表 3 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 4 / 20 CM1341-DAT  绝对最大额定值 (除特殊注明以外：Ta = +25°C) 项目 符号 适用端子 (n=1 ~ 4) 绝对最大额定值 单位 电源电压 VCC VCC VSS-0.3 ~ VSS+40 V 输入电压 0 VCELL VCn VSS-0.3 ~ VSS+40 V 输入电压 1 VIN1 RTV, TEC VSS-0.3 ~ VSS+5.5 V 输入电压 2 VIN2 VM, CO VSS-15 ~ VCC+0.3 V 输入电压 3 VIN3 DO, RTS, VINI VSS-0.3 ~ VCC+0.3 V 工作环境温度 TOPR − -40 ~ +85 °C 保存温度范围 TSTG − -55 ~ +125 °C 表 4 注意：所加电压超过绝对最大额定值，可能导致芯片发生不可恢复性损伤。 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 5 / 20 CM1341-DAT  电气特性 (除特殊注明以外：Ta = +25°C) 最小值 典型值 最大值 单 位 VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V - 10 15 μA ISTB VCn - VCn+1 = 1.5V, VC4-VSS = 1.5V - 5.0 - μA 保护电压 VOC VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 4.4V 4.235 4.250 4.265 V 解除电压 VOCR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 4.4 → 3.5V 4.120 4.150 4.180 V 保护延时 TOC VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 4.4V 0.7 1.0 1.3 s 解除延时 TOCR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 4.4 → 3.5V 128 256 384 ms 启动电压 VBAL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 4.4V 4.100 4.125 4.150 V 均衡延时 TBAL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 4.4V - 32 - ms 保护电压 VOD VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 2.0V 2.650 2.700 2.750 V 解除电压 VODR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 2.0 → 3.5V 2.920 3.000 3.080 V 保护延时 TOD VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 2.0V 0.7 1.0 1.3 s 解除延时 TODR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 2.0 → 3.5V 128 256 384 ms 禁充电压 VLV VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 1.2V 1.20 1.50 1.80 V 解除电压 VLVR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 1.2 → 3.5V 1.22 1.52 1.82 V 禁充延时 TLV VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 1.2V 0.7 1.0 1.3 s 解除延时 TLVR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 1.2 → 3.5V 128 256 384 ms 保护电压 VEC1 VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.18V 0.045 0.050 0.055 V 保护延时 TEC1 VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.18V, CTEC=0.1μF 0.5 1.0 1.5 s 保护电压 VEC2 VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.35V, 0.085 0.100 0.115 V 保护延时 TEC2 VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.35V, CTEC=0.1μF 50 100 150 ms 项目 符号 正常工作电流 IVCC 休眠电流 过 充 电 均衡 过 放 电 低 压 禁 充 放电 过流 1 放电 过流 2 Rev 1.1 测试条件 (n=1 ~ 3) 深圳市创芯微微电子股份有限公司 6 / 20 CM1341-DAT 符号 测试条件 (n=1 ~ 3) 最小值 典型值 最大值 单 位 保护电压 VSHORT VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.8V 0.160 0.200 0.240 V 保护延时 TSHORT VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 0.8V 100 300 500 μs TECR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0.8 → 0V 22 32 42 ms 保护电压 VCHA VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → -1.0V -0.030 -0.025 -0.020 V 保护延时 TCHA VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → -1.0V 180 256 332 ms 解除延时 TCHAR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = -1V → 0V 45 64 83 ms 保护电压 VOW - - 200 - mV 解除电压 VOWR - - 300 - mV 保护延时 TOW CVC1~4=0.1μF - - 4 s 解除延时 TOWR CVC1~4=0.1μF - 256 - ms 充电高温 保护温度 TCH VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 10k TCH – 3 TCH TCH + 3 °C 充电高温 解除温度 TCHR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 10k → 100k TCHR – 3 TCHR TCHR + 3 °C 放电高温 保护温度 TDH VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 10k TDH – 3 TDH TDH + 3 °C 放电高温 解除温度 TDHR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 10k → 100k TDHR – 3 TDHR TDHR + 3 °C 充电高温 保护延时 DTCH VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 10k 0.7 1.0 1.3 s 充电高温 解除延时 DTCHR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 10k → 100k 90 128 166 ms 放电高温 保护延时 DTDH VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 10k 0.7 1.0 1.3 s 放电高温 解除延时 DTDHR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 10k → 100k 90 128 166 ms 充电低温 保护温度 TCL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 3M TCL – 3 TCL TCL + 3 °C 充电低温 解除温度 TCLR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 3M → 100k TCLR – 3 TCLR TCLR + 3 °C 放电低温 保护温度 TDL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 3M TDL – 3 TDL TDL + 3 °C 项目 短路 放电过流 解除延时 充 电 过 流 断 线 保 护 充 放 电 高 温 保 护 充 放 电 低 温 保 护 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 7 / 20 CM1341-DAT 符号 测试条件 (n=1 ~ 3) 最小值 典型值 最大值 单 位 放电低温 解除温度 TDLR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 3M → 100k TDLR – 3 TDLR TDLR + 3 °C 充电低温 保护延时 DTCL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 3M 0.7 1.0 1.3 s 充电低温 解除延时 DTCLR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 3M → 100k 90 128 166 ms 放电低温 保护延时 DTDL VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 100k → 3M 0.7 1.0 1.3 s 放电低温 解除延时 DTDLR VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, RNTC = 3M → 100k 90 128 166 ms 检测电压 VSTS VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 10mV 1.0 4.0 7.0 mV 检测延时 TSTS VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5V, VINI = 0 → 10mV 3.0 4.5 6.0 ms 休眠延时 TSLP VCn - VCn+1 = 3.5V, VC4-VSS = 3.5 → 1.5V 22 32 42 s VM-VSS 电阻 RVMS V1=V2=V3=V4=3.5V, VINI=0.200V - 50 - kΩ CO、DO 高 输出电平 VCOH VDOH VCC>12V - 10.8 - V - VCC-0.7 - CO、DO 低 输出电平 VCOL - Hi-Z - VDOL - VSS - 项目 放电 状态 检测 VCC12V - 10.8 - V - VCC-0.7 - CO、DO 低 输出电平 VCOL - Hi-Z - VDOL - VSS - 项目 放电 状态 检测 VCC 0.1V（典型值），当所有电池电压降低到过充电保护电压 VOC 以下时，过充电状态解 除，恢复为正常状态，此功能称作负载检测功能。 过放电 任意一节电池电压降低到 VOD 以下并持续一段时间超过 TOD，DO 端子的输出就会反转，将放电控制 MOS 管关断，停止 放电，这称为过放电状态。所有电池电压上升到过放电解除电压 VODR 以上，且 VM 电压小于 3.0V（典型值），并持续一段 时间超过 TODR，过放电状态解除，恢复为正常状态。若此时连接充电器 VVM < -0.1V（典型值），当所有电池电压上升到过放 电保护电压(VOD)以上时，过放电状态解除，恢复为正常状态，此功能称作充电器检测功能。 放电过电流 电池处于放电状态时，VINI 端电压随着放电电流的增大而增大，当 VINI 端电压高于 VEC1 并持续一段时间超过 TEC1，芯 片认为出现了放电过流 1；当 VINI 端电压高于 VEC2 并持续一段时间超过 TEC2，芯片认为出现了放电过流 2；当 VINI 端电压 高于 VSHORT 并持续一段时间超过 TSHORT，芯片认为出现了短路。上述 3 种状态任意一种状态出现后，DO 端子的输出就会反 转，将放电控制 MOS 管关断，停止放电。进入放电过流保护状态后，断开负载且 VVM < 3.0V，放电过流保护解除，恢复为 正常状态。 充电过电流 正常工作状态下的电池，在充电过程中，如果 VINI 端子电压低于充电过流保护电压(VCHA)，且这种状态持续的时间超过 充电过流保护延迟 TCHA，将充电控制 MOS 管关断，停止充电，这种状态称为充电过流状态。进入充电过流保护状态后，如 果断开充电器且 VVM>VCHA，充电过电流状态被解除，恢复为正常状态。 过温保护 充放电过程中，电芯温度过高或过低都会给电芯带来损坏，因此需要通过热敏电阻 RNTC 用于感知温度变化，当达到设定 的保护温度，且维持一段时间后，即发生温度保护，将充电或放电 MOS 管关断，实现对电芯充放电高低温的保护。 当 VINI 端小于 4mV 时，芯片默认识别为充电状态，若检测到温度高于充电高温保护温度 TCH，且持续时间超过 DTCH， 则关断充电 MOS 管，充电高温保护迟滞温度为 5°C。若检测到温度低于充电低温保护温度 TCL，且持续时间超过 DTCL，则关 断充电 MOS 管，充电低温保护迟滞温度为 5°C。 当 VINI 端大于 4mV 时，芯片识别为放电状态，若检测到温度高于放电高温保护温度 TDH，且持续时间超过 DTDH，则同 时关断充放电 MOS 管，放电高温保护迟滞温度为 10°C。若检测到温度低于放电低温保护温度 TDL，且持续时间超过 DTDL， 则同时关断充放电 MOS 管，放电低温保护迟滞温度为 10°C。 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 12 / 20 CM1341-DAT RTS 连接电阻 RNTC 选用 B 值=3950，常温 100kΩ@25°C 的电阻，RTV 连接电阻 RT 用于设置高温保护温度。RT 电阻大 小为所需 TCH 所对应的 NTC 阻值的 3 倍，放电高温保护温度与充电高温保护具有一一对应关系，具体设置如下： RT TCH TDH TCL TDL 160kΩ 40°C 59°C -8°C -26°C 133kΩ 45°C 65°C -4°C -24°C 110kΩ 50°C 70°C 0°C -20°C 91kΩ 55°C 76°C 3°C -18°C 75kΩ 60°C 82°C 7°C -14°C 表 7 CM1341-DAT 具有 NTC 断线保护功能，若 RTV 连接电阻，NTC 断线后芯片会进入 NTC 断线保护状态，CO、DO 端子 的输出均会反转；如不使用温度保护功能，可将 RNTC 与 RT 各接 100kΩ 电阻即可。 断线保护 正常状态下，若芯片管脚 VC1~VC4 中任意一根或多根与电芯的连线断开，芯片则检测判断为发生断线状态，强制将 CO、 DO 输出电平反转，同时关断充、放电 MOS，禁止充电与放电，此状态称为断线保护状态。若断线前接有负载，当断开的连 线重新正确连接后，需要断开负载且 VVM < 3.0V，芯片退出断线保护状态。 低压禁充功能 CM1341-DAT 提供低压禁充功能可选，具备低压禁充功能的 IC 在检测到任意节电池电压低于 VLV 并持续一段时间超过 TLV，CO 端子的输出就会反转，将充电控制 MOS 管关断，停止充电。所有电池电压回升到 VLVR 以上并持续一段时间超过 TLVR，低压禁充状态解除，恢复为正常状态。 均衡功能 CM1341-DAT 内置电池均衡功能，内部均衡电阻 600Ω，通过外部电压采样电阻调节均衡电流，推荐外部电压采样电阻 100 ~ 1000Ω，如需大电流均衡可外部增加均衡电路扩流，均衡电流由外部均衡电阻决定。正常状态下，任意一节电池电压高 于均衡检测电压（VBAL） ，其余电池电压低于均衡检测电压（VBAL） ，超过均衡启动延迟时间（TBAL） ，CM1341-DAT 开始均衡。 均衡停止条件： 1) 所有电池电压低于均衡检测电压（VBAL）； 2) 所有电池电压高于均衡检测电压（VBAL）； 3) CM1341-DAT 进入休眠状态，断线保护状态，放电温度保护状态； Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 13 / 20 CM1341-DAT CM1341-DAT 采用奇偶通道分时均衡，均衡功能不影响正常的电池电压采样，当同时开启多路均衡通道，奇数通道会 先进入均衡状态，偶数通道在下一个周期进入均衡状态，具体电池电压采样和均衡开启时序图如下： 8ms 8ms 采样等待 16ms 16ms 电压采样 8ms 采样等待 40ms 奇数通道均衡 16ms 电压采样 8ms 采样等待 40ms 偶数通道均衡 16ms 电压采样 40ms 奇数通道均衡 图 4 放电过流延迟时间设置 CM1341-DAT 放电过流保护延时可通过外置电容调节。放电过流 1 与放电过流 2 保护延时时间比例为 10:1, 延迟时间与 CTEC 可按如下公式进行设置： TEC1 (ms) = 10*CTEC (nF), TEC2 = TEC1/10, 可参考如下表格设定： CTEC TEC1 TEC2 47 nF 470 ms 47 ms 100 nF 1000 ms 100 ms 表 8 电池端子连接顺序 为了保证 CM1341-DAT 工作正确，请按照下述建议的顺序连接各个电池端子，否则需要在上电完成后把芯片 VCC 管脚 短路到 VSS 管脚 1ms 以上进行激活，以确保芯片正常工作。 1) 连接 VSS 2) 3) 连接 VCC Rev 1.1 连接其他电池端子 深圳市创芯微微电子股份有限公司 14 / 20 CM1341-DAT  应用电路 带均衡同口方案 P+ RVCC D1 1 VCC VM 16 2 VNC CO 15 3 VNC DO 14 4 VNC VINI 13 5 VC1 RTV 12 6 VC2 RTS 11 7 VC3 TEC 10 CVCC RVM RDO RVC1 RB1 RB2 RB3 RB4 QP1 R1 QP2 R2 QP3 R3 CM1341 RVINI RT CVC1 RVC2 CVC2 RVC3 CTEC CVC3 RVC4 VC4 8 VSS QP8 RNTC RCO2 CVINI 9 CVC4 QP4 R4 RCO1 RSENSE P- RPD 图 5 无均衡同口方案 P+ RVCC D1 1 VCC VM 16 2 VNC CO 15 3 VNC DO 14 4 VNC VINI 13 5 VC1 RTV 12 6 VC2 RTS 11 7 VC3 TEC 10 CVCC RVM RDO RVC1 RVC2 RVC3 RVC4 CM1341 RVINI RT CVC1 CVC2 CTEC CVC3 8 VC4 VSS QP8 RNTC RCO2 CVINI 9 CVC4 RCO1 RSENSE RPD P- 图 6 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 15 / 20 CM1341-DAT  BOM 清单 器件标识 典型值 参数范围 单位 RVCC 1 0.1 ~ 1 kΩ RVC1~RVC4 1 0.1 ~ 1 kΩ R1~R4 100 47 ~ 100 Ω RB1~RB4 100 40 ~ 1000 Ω RNTC 100k @25°C − Ω RT 3*RNTC @TCH − Ω RVINI 1 1 ~ 10 kΩ RVM 20 10 ~ 100 kΩ RCO1 10 3.3 ~ 15 MΩ RCO2 10 3.3 ~ 15 MΩ RDO 1 1 ~ 10 kΩ RSENSE - 可依实际过流值设定 mΩ RPD 3 0.3 ~ 4.0 MΩ CVCC 1.0 0.47 ~ 4.7μF, 耐压≥25V μF CVC1~CVC4 0.1 0.1 ~ 1μF, 耐压≥25V μF CVINI 0.1 0.1 ~ 1μF, 耐压≥10V μF CTEC 0.1 0 ~ 1.0 μF QP1~QP4 - PNP 三极管，功率>0.5W - D1 - VF＜0.4V@1mA,V(BR)≥50V - 表 9 注意： 1. 如非上述两种典型应用方案应用，请咨询我司FAE。 2. 其它特殊应用电路需要更改部分BOM，例如P充N放方案、超大电流充放电等。 3. RCO、RDO、RPD等电阻的值需要结合MOSFET的器件参数和系统级功能需求进行调试。 4. 上述参数有可能不经预告而作更改。 5. 上述IC的原理图以及参数并不作为保证电路工作的依据，请在实际的应用电路上进行充分的实测后再设定参数。 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 16 / 20 CM1341-DAT  封装信息 TSSOP16 封装尺寸 图 7 符号 尺寸 （mm） 最小值 典型值 最大值 A --- --- 1.20 A1 0.05 --- 0.15 A2 0.90 1.00 1.05 A3 0.39 0.44 0.49 b 0.20 --- 0.30 b1 0.19 0.22 0.25 c 0.110 0.127 0.145 c1 0.12 0.13 0.14 D 4.90 5.10 5.30 E 6.20 6.40 6.60 E1 4.20 4.40 4.60 e L 0.65BSC 0.45 0.60 L1 θ 0.75 1.00BSC 0 8° 表 10 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 17 / 20 CM1341-DAT  载带信息 图 8 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 18 / 20 CM1341-DAT  卷盘信息 图 9  包装信息 Rev 1.1 卷盘 PCS/盘 盘/盒 盒/箱 13”×12mm 3000 2 8 深圳市创芯微微电子股份有限公司 19 / 20 CM1341-DAT 使用注意事项 1. 本说明书中的内容，随着产品的改进，有可能不经过预告而更改。需要更详细的内容，请与本公司市场部门联系。 2. 本规格书中的电路示例、使用方法等仅供参考，并非保证批量生产的设计，因第三方所有权引发的问题，本公司对此概 不承担任何责任。 3. 本规格书在单独应用的情况下，本公司保证它的性能、典型应用和功能符合说明书中的条件。当使用客户的产品或设 备时，以上条件我们不作保证，建议客户做充分的评估和测试。 4. 请注意在规格书记载的条件范围内使用产品，请特别注意输入电压、输出电压、负载电流的使用条件，使IC内的功耗 不超过封装的容许功耗。对于客户在超出规格书中规定额定值使用产品，即使是瞬间的使用，由此造成的损失，本公 司对此概不承担任何责任。 5. 在使用本产品时，请确认使用国家、地区以及用途的法律、法规，测试产品用途的满足能力和安全性能。 6. 本规格书中的产品，未经书面许可，不可用于可能对人体、生命及财产造成损失的设备或装置的高可靠性电路中，例 如：医疗器械、防灾器械、车辆器械、车载器械、航空器械、太空器械、核能器械等，亦不得作为其部件使用。 本公司指定用途以外使用本规格书记载的产品而导致的损害，本公司对此概不承担任何责任。 7. 本公司一直致力于提高产品的质量及可靠性，但所有的半导体产品都有一定的概率发生失效。 为了防止因本产品的概率性失效而导致的人身事故、火灾事故、社会性损害等，请客户对整个系统进行充分的评价，自行 负责进行冗余设计、防止火势蔓延措施、防止误工作等安全设计，可以避免事故的发生。 8. 本产品在一般的使用条件下，不会影响人体健康，但因含有化学物质和重金属，所以请不要将其放入口中。另外，封装和芯片 的破裂面可能比较尖锐，徒手接触时请注意防护，以免受伤等。 9. 废弃本产品时，请遵守使用国家和地区的法令，合理地处理。 10. 本规格书中内容，未经本公司许可，严禁用于其它目的的转载或复制。 Rev 1.1 深圳市创芯微微电子股份有限公司 20 / 20