深圳市微亚科技有限公司
Shenzhen weiya technology co., LTD
BTB20 三象限双向可控硅
●产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件;
P 型对通扩散隔离;
台面玻璃钝化工艺;
背面多层金属电极;
工作结温高;换向能力强;
高电压变化率 dV/dt;
大电流变化率 dI/dt;
符合 RoHS 规范……..
应
用:
T1:主端子 T2:主端子 G:触发极
加热控制器;彩灯控制器;电饭煲;燃气点火器;
电风扇调速器等…
●主要参数 :
符号
IT(RMS)
VDRM / VRRM
VTM
参数
数值
单位
20
A
600/800
V
1.55
V
通态有效值电流
断态重复峰值电压
导通压降
●极限参数 (TCASE =25℃):
符号
VDRM / VRRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
参数
断态重复峰值电压
通态均方根电流
通态不重复浪涌电流
I 2t 值
条件
数值
单位
Tj=25℃
600/800
V
TO-220B(T C=85℃),Fig. 1,2
20
A
全正弦波,Tj(init)=25℃,
tp=20ms; Fig. 3,5
200
A
正弦波脉冲,tp=10ms
340
A 2s
通态电流临界上升率
IG=2*I GT , tr≤100ns,
F=120H Z, Tj=125℃
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
IGM
门极峰值电流
tp=20µs, Tj=125℃
4
A
PGM
门极峰值功率
tp=20µs, Tj=125℃
5
W
PG(AV)
门极平均功率
Tj=125℃
1
W
TSTG
存储温度
-40—+150
Tj
工作结温
-40—+125
dI T/dt
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50
A/μs
℃
产品规格书
Product Specification
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BTB20 三象限双向可控硅
●产品电性能
符号
参数
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
VGD
门极不触发电压
IH
维持电流
IL
擎住电流
dVD/dt
VTM
IDRM / IRRM
测试条件
VD=12V,
RL=33Ω,
Tj=25℃,
Fig. 6
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
CW
BW
≤35
≤50
单位
mA
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
≤1.3
V
VD=V DRM, Tj=125℃
≥0.2
V
IT=500mA,Fig. 6
≤50
≤75
mA
Ⅰ-Ⅲ
≤60
≤80
mA
Ⅱ
≤80
≤90
mA
≥500
≥1000
V/μs
IG=1.2I GT,
Fig. 6
断态电压临界
上升率
VD=67%V DRM,
门极开路 Tj=125℃
通态压降
ITM=35A,tp=380μs,
Fig. 4
断态重复峰值电流
数值
≤1.55
V
VD=V DRM/V RRM, Tj=25℃
≤5
≤5
μA
VD=V DRM/V RRM,Tj=125℃
≤2
≤2
mA
数值
单位
●热阻:
符号
参数
Rth (j-c)
结到管壳的热阻(AC)
TO-220B
0.8
℃/W
Rth (j-a)
结到环境的热阻
TO-220B
60
℃/W
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产品规格书
Product Specification
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BTB20 三象限双向可控硅
●参数特性曲线
FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图
P(W)
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
0
5
IT(RMS)(A)
0
300
5
10
FIG.2:均方根电流与壳温关系曲线图
IT(RMS)(A)
15
20
25
FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量关系图
ITSM(A)
0
-50
300
250
Tc(oC)
0
ITM(A)
50
100
150
FIG.4: 输出特性图(最大值图)
100
Tj=125ºC
200
150
10
100
Tj=25ºC
50
0
Number of cycles
1
10
100
1000
1
0.0
VTM(V)
0.5
FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
FIG.6:门极触发电流、维持电流、
擎住电流与结温关系图
关系曲线
3000
1.0
ITSM(A)
3.0
IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC)
2.5
1000
2.0
IGT
1.5
1.0
0.5
tp(ms)
100
0.01
0.1
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IH&IL
1
10
0.0
-40
-20
0
20
Tj(ºC)
40
60
80
100
120
140
产品规格书
Product Specification
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BTB20 三象限双向可控硅
●封装外形尺寸
TO-220B(
非绝缘))
TO-220B(非绝缘
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产品规格书
Product Specification
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