SFH409-2

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen • IR-Fernsteuerungen von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Lichtschranken bis 500 kHz • Münzzähler • Sensorik • Diskrete Optokoppler Features • • • • • Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487 Applications • IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorders, dimmers • Light-reflection switches (max. 500 kHz) • Coin counters • Sensor technology • Discrete optocouplers Typ Type SFH 409 SFH 409-2 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1002 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead 2003-11-11 1 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Kapazität, VR = 0 V Capacitance Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C V mA A mW K/W Top; Tstg VR IF IFSM Ptot RthJA ∆λ 55 nm ϕ ± 20 0.09 0.3 × 0.3 2.6 25 Grad deg. mm2 mm mm pF A L×B L×W H Co 2003-11-11 2 SFH 409 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Durchlaßspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, Reverse current, VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 0.5 Einheit Unit µs tr, tf VF VF IR Φe 1.30 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) 15 V V µA mW TCI – 0.55 %/K TCV TCλ – 1.5 + 0.3 mV/K nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1) 1) Symbol SFH 409 Werte Values SFH 409-11) SFH 409-2 SFH 409-31) Einheit Unit Ie Ie typ. ≥ 6.3 – 6.3 … 12.5 75 > 10 120 16 … 32 – mW/sr mW/sr Nicht bestellbar als Einzelgruppe. Can not be ordered as single group. 2003-11-11 3 SFH 409 Relative Spectral Emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Radiant Intensity Ιe = f (IF ) Ιe 100 mA OHR00864 Single pulse, tp = 20 µs Ιe Ι e (100 mA) 10 1 Max. Permissible Forward Current IF = f (T A ) 120 OHR00883 Ι F mA 100 Ι rel 80 80 60 R thjA = 450 K/W 60 10 0 40 40 20 20 10 -1 10 -2 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA IF = f (VF), Single pulse, tp = 20 µs 10 1 A OHR01041 Forward Current Permissible Pulse Handling Capability IF = f (τ), TA = 25 °C duty cycle D = parameter 10 4 OHR00865 ΙF Ι F mA 5 D = 0.005 typ. max. D= τ T τ ΙF T 10 0 0.01 0.02 10 3 0.05 0.1 0.2 10 -1 5 0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 τ 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01887 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2003-11-11 4 SFH 409 Maßzeichnung Package Outlines Area not flat 0.6 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 2.54 mm spacing 4.0 3.6 0.7 0.4 0.8 0.4 1.8 1.2 (3.5) 29 27 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 4301) GEX06250 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2003-11-11 5