2014-01-09
Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Version 1.1
BPW 34 FSR
Features:
Besondere Merkmale:
• Especially suitable for the wavelength range of
780 nm to 1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density
• Suitable for reflow soldering
• Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von
780 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
• Geeignet für Reflow Löten
Applications
Anwendungen
• Automotive (eg rain sensor, headset)
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
• Photointerrupters
• Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset)
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
• Lichtschranken
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Photocurrent
Typ:
Fotostrom
Ordering Code
Bestellnummer
2
λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm , VR = 5 V
IP [µA]
BPW 34 FSR
2014-01-09
50 (≥ 40)
Q65110A2740
1
Version 1.1
BPW 34 FSR
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
-40 ... 100
°C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR
16
V
Reverse voltage
Sperrspannung
(t < 2 min)
VR
32
V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot
150
mW
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee=1 mW/cm2)
IP
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
50 (≥ 40)
µA
λS max
950
nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10%
780 ... 1100
nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
LxW
Half angle
Halbwinkel
ϕ
± 60
Dark current
Dunkelstrom
(VR = 10 V)
IR
2 (≤ 30)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 950 nm)
Sλ typ
2014-01-09
2
7.02
mm2
2.65 x 2.65
mm x
mm
0.7
°
nA
A/W
Version 1.1
BPW 34 FSR
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 950 nm)
η
0.91
Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm)
VO
330 (≥ 275)
mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm)
ISC
25
µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm, IP = 800 µA)
tr, tf
0.02
µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, E = 0)
VF
1.3
V
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C0
72
pF
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von VO
TCV
-2.6
mV / K
Temperature coefficient of ISC
Temperaturkoeffizient von ISC
(λ = 950 nm)
TCI
0.18
%/K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(VR = 10 V, λ = 950 nm)
NEP
0.036
pW /
Hz½
Detection limit
Nachweisgrenze
(VR = 10 V, λ = 950 nm)
D*
7.3e12
cm x
Hz½ / W
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3
Version 1.1
BPW 34 FSR
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
IP (VR = 5 V) / VO = f(Ee)
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
OHF00368
100
OHF01097
10 3
S rel %
ΙP
μA
10 4
mV
10 2
10 3
VO
80
VO
60
10 1
10 2
ΙP
40
10 0
10 1
20
0
700
800
900
1000
nm
λ
10 -1 0
10
1200
10 1
μW/cm 2
10 2
10 0
10 4
Ee
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(VR), E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
OHF00958
160
mW
Ptot
140
OHF00080
4000
ΙR
pA
3000
120
100
2000
80
60
40
1000
20
0
2014-01-09
0
20
40
60
0
80 ˚C 100
TA
4
0
5
10
15
V
VR
20
Version 1.1
BPW 34 FSR
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0
Capacitance
Kapazität
C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0
OHF00081
100
C
OHF00082
10 3
Ι R nA
pF
80
10 2
70
60
10 1
50
40
30
10 0
20
10
0 -2
10
10 -1
10 0
10 1
10 -1
V 10 2
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
VR
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
OHF01402
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
2014-01-09
1.0
0.8
0.6
0.4
0
5
20
40
60
80
100
120
Version 1.1
BPW 34 FSR
Package Outline
Maßzeichnung
6.7 (0.264)
6.2 (0.244)
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
1.8 (0.071) ±0.2 (0.008)
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
0...5
˚
0.2 (0.008)
0.1 (0.004)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.3 (0.012)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
0...0.1
(0...0.004)
Chip position
Photosensitive area
Cathode lead
2.65 (0.104) x 2.65 (0.104)
GEOY6916
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Package
SMT DIL, Epoxy
Gehäuse
SMT DIL, Harz
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6
Version 1.1
BPW 34 FSR
Method of Taping
Gurtung
4.2 (0.165)
6.9 (0.272)
12 (0.472)
2 (0.079)
5.5 (0.217)
4 (0.157)
1.5 (0.059)
1.75 (0.069)
Cathode/Collector Side
OHAY6684
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Recommended Solder Pad
Empfohlenes Lötpaddesign
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
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Version 1.1
BPW 34 FSR
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01
OHA04525
300
˚C
T 250
Tp 245 ˚C
240 ˚C
tP
217 ˚C
200
tL
150
tS
100
50
25 ˚C
0
0
50
100
150
200
s 300
250
t
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Symbol
Symbol
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum
Ramp-up rate to preheat*)
25 °C to 150 °C
Time tS
TSmin to TSmax
tS
60
Ramp-up rate to peak*)
TSmax to TP
Recommendation
Maximum
2
3
100
120
2
3
Unit
Einheit
K/s
s
K/s
Liquidus temperature
TL
217
Time above liquidus temperature
tL
80
100
s
Peak temperature
TP
245
260
°C
Time within 5 °C of the specified peak
temperature TP - 5 K
tP
20
30
s
3
6
K/s
10
Ramp-down rate*
TP to 100 °C
480
Time
25 °C to TP
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
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°C
8
s
Version 1.1
BPW 34 FSR
Disclaimer
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Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
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Version 1.1
BPW 34 FSR
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10
