2014-01-13
Silicon Dual Photodiode
Silizium-Doppelfotodiode
Version 1.1
SFH 221
Features:
Besondere Merkmale:
• Especially suitable for applications from 400 nm to
1100 nm
• High photosensitivity
• Hermetically sealed metal package (similar to
TO-5), suitable up to 125 °C
• Double diode with extremely high
homogeneousness
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
400 nm bis 1100 nm
• High photosensitivity
• Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5),
geeignet bis 125 °C
• Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit
Applications
Anwendungen
•
•
•
•
Industrial electronics
For control and drive circuits
Edge drives
Follow-up control
•
•
•
•
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
Kantenführung
Nachlaufsteuerung
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Ordering Code
Typ:
Bestellnummer
SFH 221
Q62702P0270
Note:: For operating conditions of TA > 85 °C please contact us.
Anm::
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 °C.
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Version 1.1
SFH 221
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
-40 ... 125
°C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR
10
V
Insulation voltage vs. package
Isolationsspannung gegen Gehäuse
VIS
100
V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot
50
mW
Characteristics (TA = 25 °C, per single diode / für jede Einzeldiode)
Kennwerte
Parameter
Symbol
Values
Bezeichnung
Symbol
Spectral sensitivity
Fotoempfindlichkeit
(VR = 5 V, standard light A, T = 2856 K)
S
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max
900
nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10%
400 ... 1100
nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
LxW
Half angle
Halbwinkel
ϕ
± 55
Dark current
Dunkelstrom
(VR = 10 V)
IR
10 (≤ 100)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
Sλ typ
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2
Werte
Unit
24 (≥ 15)
Einheit
nA/Ix
1.54
mm2
0.7 x 2.2
mm x
mm
0.55
°
nA
A/W
Version 1.1
SFH 221
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Max. deviation from average for each single diode
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der
Einzeldiode vom Mittelwert
ΔS
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
η
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(Ev = 1000 lx, Std. Light A)
VO
330 (≥ 280)
mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(Ev = 1000 lx, Std. Light A)
ISC
24
µA
Insulation current
Isolationsstrom
(VIS = 100 V)
IIS
0.1 (≤ 1)
nA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(VR = 5 V, RL = 1 kΩ, λ = 850 nm, Ip = 25 μA)
tr, tf
0.5
µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 40 mA, E = 0)
VF
1
V
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C0
25
pF
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von VO
TCV
-2.6
mV / K
Temperature coefficient of ISC
Temperaturkoeffizient von ISC
(Std. Light A)
TCI
0.18
%/K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(VR = 10 V, λ = 850 nm)
NEP
0.103
pW /
Hz½
Detection limit
Nachweisgrenze
(VR = 10 V, λ = 850 nm)
D*
1.2e12
cm x
Hz½ / W
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3
±5
0.80
%
Electro
ns
/Photon
Version 1.1
SFH 221
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
IP (VR = 5 V) / VO = f(Ev)
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(VR), E = 0
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Version 1.1
SFH 221
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0
Capacitance
Kapazität
C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
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SFH 221
Package Outline
Maßzeichnung
)
0.0
33
5(
26
3.4 (0.134)
14.5 (0.571)
3.0 (0.118)
12.5 (0.492)
1.0
0.8
(0
(0
.03
.03 9)
1)
5.08 (0.200)
spacing
)
Anode B
ø0.45 (0.018)
0.0
0.6
Radiant sensitive area
2.0 (0.079)
5(
ø9.5 (0.374)
ø9.0 (0.354)
ø8.3 (0.327)
ø8.0 (0.315)
ø6.0 (0.236)
ø5.8 (0.228)
0.8
Chip position
Anode A
Metal case
Isolated cathode
0.3 (0.012) max
0.09 (0.004)
Diode system
Radiant sensitive area 2.0 (0.079) x 1.67 (0.066) each
Approx. weight 1.5 g
GMOY6639
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Package
Metal Can (TO-39), hermetically sealed
Gehäuse
Metall Gehäuse (TO-39), hermetisch dicht
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SFH 221
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHA04645
300
10 s max., max. contact time 5 s per wave
˚C
T 250
235 ˚C - 260 ˚C
First wave
Second wave
Continuous line: typical process
Dotted line: process limits
ΔT < 150 K
200
Cooling
Preheating
ca. 3.5 K/s typical
150
ca. 2 K/s
130 ˚C
120 ˚C
100 ˚C
100
ca. 5 K/s
Typical
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220 s 240
t
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Version 1.1
SFH 221
Disclaimer
Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
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Version 1.1
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Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.
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