BPW34BS-Z

2014-07-17 Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS BPW 34 B BPW 34 BS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 25 ns) • DIL plastic package with high packing density • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen • Photointerrupters • Industrial electronics • For control and drive circuits • Lichtschranken • Industrieelektronik • Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Typ: Fotostrom Ordering Code Bestellnummer 2 λ = 400 nm, Ee = 1 mW/cm , VR = 5 V IP [µA] BPW 34 B 14.8 (≥ 10.8) Q62702P0945 BPW 34 BS 14.8 (≥ 10.8) Q65110A2625 2014-07-17 1 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 85 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 32 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW Electrostatic discharge Elektrostatische Entladung (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) VESD 2000 V Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity Fotoempfindlichkeit (VR = 5 V, standard light A, T = 2856 K) S 75 Photocurrent Fotostrom IP 14.8 (≥ 10.8) µA Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 350 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche A Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche LxW Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V) IR 2 (≤ 30) 2014-07-17 2 nA/Ix 7.45 mm2 2.73 x 2.73 mm x mm ° nA Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 400 nm) Sλ typ 0.2 A/W Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 400 nm) η 0.62 Electro ns /Photon Open-circuit voltage Leerlaufspannung (Ev = 1000 lx, Std. Light A) VO 390 mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 400 nm) ISC 7.4 µA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm) tr, tf 0.025 µs Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, E = 0) VF 1.3 V Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) C0 72 pF Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (Std. Light A) TCI 0.18 %/K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (VR = 10 V, λ = 400 nm) NEP 0.127 pW / Hz½ Detection limit Nachweisgrenze D* 2.2e12 cm x Hz½ / W 2014-07-17 3 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung Srel = f(λ) IP (VR = 5 V) / VO = f(EV) OHF01001 100 ΙP S rel % OHF01066 10 3 µA 10 4 mV VO 80 10 2 10 3 VO 60 10 1 10 2 ΙP 40 10 0 20 0 400 600 800 10 1 10 -1 10 0 1000 nm 1200 λ Total Power Dissipation Verlustleistung 10 1 10 0 10 3 lx 10 4 EV 10 2 Dark Current Dunkelstrom Ptot = f(TA) IR = f(VR ), E = 0 OHF00958 160 mW Ptot 140 OHF00080 4000 ΙR pA 3000 120 100 2000 80 60 40 1000 20 0 2014-07-17 0 20 40 60 0 80 ˚C 100 TA 4 0 5 10 15 V VR 20 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Capacitance Kapazität Dark Current Dunkelstrom C = f(VR ), f = 1 MHz, E = 0 IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00081 100 C OHF00082 10 3 Ι R nA pF 80 10 2 70 60 10 1 50 40 30 10 0 20 10 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 10 -1 V 10 2 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA VR Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 2014-07-17 1.0 0.8 0.6 0.4 0 5 20 40 60 80 100 120 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Package Outline Maßzeichnung BPW 34 B 5.4 (0.213) Chip position 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 2.2 (0.087) 1.9 (0.075) 4.3 (0.169) 3.5 (0.138) 3.0 (0.118) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 3.7 (0.146) 1.2 (0.047) 0.7 (0.028) 4.9 (0.193) 4.5 (0.177) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) Cathode marking 4.0 (0.157) 0.6 (0.024) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.35 (0.014) 0.2 (0.008) 0.3 (0.012) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 1.8 (0.071) 1.4 (0.055) 0.4 (0.016) 0.5 (0.020) 0 ... 5˚ 5.08 (0.200) spacing Photosensitive area 2.65 (0.104) x 2.65 (0.104) GEOY6643 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-07-17 6 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Package Outline Maßzeichnung BPW 34 BS 0.3 (0.012) 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) 6.7 (0.264) 6.2 (0.244) 4.5 (0.177) 4.3 (0.169) 0...5 ˚ 0.2 (0.008) 0.1 (0.004) 1.2 (0.047) 1.1 (0.043) 0...0.1 (0...0.004) Chip position 0.9 (0.035) 0.7 (0.028) 1.7 (0.067) 1.5 (0.059) 4.0 (0.157) 3.7 (0.146) 1.8 (0.071) ±0.2 (0.008) Photosensitive area Cathode lead 2.65 (0.104) x 2.65 (0.104) GEOY6863 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package , Epoxy Gehäuse , Harz 2014-07-17 7 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Taping Gurtung 0.8 (0.031) 5.5 (0.217) 2 (0.079) 6.9 (0.272) 4 (0.157) 1.5 (0.059) 4.1 (0.161) 12 (0.472) 1.75 (0.069) Cathode/Collector Side OHAY2287 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil BPW 34 BS Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020-D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t 2014-07-17 8 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Pb-Free (SnAgCu) Assembly Symbol Symbol Minimum Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 °C °C 480 Time 25 °C to TP s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range TTW Soldering Wellenlöten (TTW) BPW 34 B IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHA04645 300 10 s max., max. contact time 5 s per wave ˚C T 250 235 ˚C - 260 ˚C First wave Second wave Continuous line: typical process Dotted line: process limits ∆T < 150 K 200 Cooling Preheating ca. 3.5 K/s typical 150 ca. 2 K/s 130 ˚C 120 ˚C 100 ˚C 100 ca. 5 K/s Typical 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-07-17 9 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-07-17 10 Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2014-07-17 11