BPX48

2014-01-10 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.1 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing density • Double diode with extremely high homogeneousness • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte • Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit Applications Anwendungen • • • • • Industrial electronics For control and drive circuits Edge control Follow-up control Path and angle scanning • • • • • Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Kantenerkennung Nachlaufsteuerung Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer Ev = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V, T = 2856 K IP [µA] BPX 48 2014-01-10 24 (≥ 15) Q62702P0017S001 1 Version 1.1 BPX 48 Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 80 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 10 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 50 mW Characteristics (TA = 25 °C, per single diode / für jede Einzeldiode) Kennwerte Parameter Symbol Bezeichnung Symbol Photocurrent Fotostrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V, T = 2856 K) IP Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Values Werte Unit Einheit 24 (≥ 15) µA λS max 900 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 400 ... 1150 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche A Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche LxW Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V) IR 10 (≤ 100) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 850 nm) Sλ typ Max. deviation from average for each single diode Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Einzeldiode vom Mittelwert ΔS 2014-01-10 2 1.54 mm2 0.7 x 2.2 mm x mm 0.55 ±5 ° nA A/W % Version 1.1 BPX 48 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 850nm) η 0.80 Electro ns /Photon Open-circuit voltage Leerlaufspannung (Ev = 1000 lx, Std. Light A) VO 330 (≥ 280) mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A) ISC 24 µA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (VR = 5 V, RL = 1 kΩ, λ = 850 nm) tr, tf 0.5 µs Forward voltage Durchlassspannung VF 1.3 V Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) C0 25 pF Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (Std. Light A) TCI 0.18 %/K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (VR = 10 V, λ = 850 nm) NEP 0.103 pW / Hz½ Detection limit Nachweisgrenze (VR = 10 V, λ = 950 nm) D* 1.2e12 cm x Hz½ / W 2014-01-10 3 Version 1.1 BPX 48 Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f(λ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung IP (VR = 5V) / VO = f(EV) Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) Dark Current Dunkelstrom IR = f(VR), E = 0 2014-01-10 4 Version 1.1 BPX 48 Dark Current Dunkelstrom IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0 Capacitance Kapazität C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 2014-01-10 1.0 0.8 0.6 0.4 0 5 20 40 60 80 100 120 Version 1.1 BPX 48 Package Outline Maßzeichnung 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 0.5 (0.020) 0.3 (0.012) Diode system 1.10 (0.043) 0.09 (0.004) 2.45 (0.096) 1.85 (0.073) 2.25 (0.089) 0.4 (0.016) 0.3 (0.012) 0.25 (0.010) 0...5˚ 2.54 (0.100) 0.8 (0.031) 3.75 (0.148) 3.0 (0.118) 6.6 (0.260) 6.3 (0.248) 0.6 (0.024) 3.5 (0.138) 7.4 (0.291) 4.05 (0.159) 2.2 (0.087) 1.9 (0.075) 7.8 (0.307) 7.62 (0.300) spacing 0.7 (0.028) 0.5 (0.020) cathode anode 2.54 (0.100) Radiant sensitive area 2.0 (0.079) x 0.67 (0.026) Approx. weight 0.1 g GEOY6638 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package DIL, Epoxy Gehäuse DIL, Harz 2014-01-10 6 Version 1.1 BPX 48 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHA04645 300 10 s max., max. contact time 5 s per wave ˚C T 250 235 ˚C - 260 ˚C First wave Second wave Continuous line: typical process Dotted line: process limits ΔT < 150 K 200 Cooling Preheating ca. 3.5 K/s typical 150 ca. 2 K/s 130 ˚C 120 ˚C 100 ˚C 100 ca. 5 K/s Typical 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-01-10 7 Version 1.1 BPX 48 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-10 8 Version 1.1 BPX 48 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2014-01-10 9