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创作活动
SFH3400

SFH3400

  • 厂商:

    AMSOSRAM(艾迈斯半导体)

  • 封装:

    PHOTO-TR-3P_2X2.6MM_SM

  • 描述:

    PHOTOTRANSISTORNPN850NMSMD

  • 数据手册
  • 价格&库存
SFH3400 数据手册
2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3400 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 ... 1080 nm • Package: Smart DIL • Special: High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 460 ... 1080 nm • Gehäuse: Smart DIL • Besonderheit: Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar Applications Anwendungen • • • • Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Ambient light detector • • • • Lichtschranken Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Umgebungslichtsensor Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE [µA] SFH 3400 63 ... 320 Q65110A2629 SFH 3400-2/3 100 ... 320 Q65110A2634 2008-07-30 1 Version 1.0 SFH 3400 Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung VCE 20 V Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung (t < 2 min) VCE 70 V Collector current Kollektorstrom IC 50 mA Collector surge current Kollektorspitzenstrom (τ < 10 µs) ICS 100 mA Emitter-collector voltage Emitter-Kollektor-Spannung VEC 7 Total power dissipation Verlustleistung Ptot 120 mW Thermal resistance for mounting on pcb Wärmewiderstand für Montage auf PC - Board RthJA 450 K/W V Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 460 ... 1080 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche A Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche LxW 2008-07-30 2 0.55 mm2 1 x 1 mm x mm Version 1.0 SFH 3400 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Half angle Halbwinkel ϕ Capacitance Kapazität (VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0) CCE 10 pF Dark current Dunkelstrom (VCE = 10 V, E = 0) ICE0 3 (≤ 100) nA 2008-07-30 3 ± 60 ° Version 1.0 SFH 3400 Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Gruppierung Group Min Photocurrent Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V EV = 1000 lx, Std. IC = 1 mA, VCC = Light A, VCE = 5 V 5 V, RL = 1 kΩ IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] Anstiegs- und Abfallzeit tr, tf [µs] SFH 3400-1 63 125 1650 16 SFH 3400-2 100 200 2600 24 SFH 3400-3 160 320 4200 34 Group Collector-emitter saturation voltage Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = IPCEmin x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 VCEsat [mV] SFH 3400-1 170 SFH 3400-2 170 SFH 3400-3 170 Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 2008-07-30 4 Version 1.0 SFH 3400 Photocurrent Fotostrom IPCE = f(Ee), VCE = 5 V Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f(λ) OHF00326 10 1 mA OHF02332 100 Ι pce S rel % 1 2 3 10 0 80 70 10 -1 60 50 10 -2 40 30 10 -3 20 10 0 10 -4 -3 10 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ OHF00327 3.0 mA Ι PCE 10 0 OHF01524 1.6 Ι PCE 25 1.0 mW/cm 2 2.5 mW/cm 2 Ee Photocurrent Fotostrom IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V Photocurrent Fotostrom IPCE = f(VCE), Ee = Parameter Ι pce 10 -2 1.4 1.2 2.0 1.0 1.5 0.8 0.5 mW/cm 2 0.6 1.0 0.25 mW/cm 2 0.4 0.1 mW/cm 2 0.2 0.5 0 2008-07-30 0 10 20 30 40 50 0 -25 60 V 70 Vce 5 0 25 50 75 C 100 TA Version 1.0 SFH 3400 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(T A), E = 0 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(VCE), E = 0 OHF02341 10 2 nA Ι CEO Ι CEO 10 1 10 2 10 0 10 1 10 -1 10 0 10 -1 0 10 -2 0 10 20 30 40 50 V 70 V CE 20 40 60 80 ˚C 100 TA Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(T A) Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0 C CE OHF02342 10 3 nA OHF02344 20 pF OHFD0228 140 mW Ptot 120 15 100 80 10 60 40 5 20 0 -2 10 2008-07-30 10 -1 10 0 10 1 0 V 10 2 VCE 6 0 20 40 60 80 C 100 TA Version 1.0 SFH 3400 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2008-07-30 7 20 40 60 80 100 120 Version 1.0 SFH 3400 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 collector / Kollektor 2 n. c. 3 emitter / Emitter Method of Taping Gurtung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2008-07-30 8 Version 1.0 SFH 3400 0.3 1.3 1 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 1.8 2.4 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 1.8 OHF02393 Dimensions in mm. / Maße in mm. Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t 2008-07-30 9 Version 1.0 SFH 3400 OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 °C 480 Time 25 °C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2008-07-30 °C 10 s Version 1.0 SFH 3400 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2008-07-30 11 Version 1.0 SFH 3400 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2008-07-30 12
SFH3400 价格&库存

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