2013-10-31
High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR® Package
IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR® Gehäuse
Version 1.1
SFH 4551
Features:
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
High Power Infrared LED
SMR® (Surface Mount Radial) package
Same package as photodiode SFH 2500 FA
Short switching times
•
•
•
•
Applications
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500 FA
Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
• Sensor technology
• Discrete interrupters
• Discrete optocouplers
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
• Diskrete Optokoppler
Notes
Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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1
Version 1.1
SFH 4551
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Radiant Intensity
Ordering Code
Typ:
Strahlstärke
Bestellnummer
IF= 100 mA, tp= 20 ms
Ie [mW/sr]
SFH 4551
270 (≥ 100)
Note:
Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm.:
Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Q65111A0506
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Werte
Einheit
Top; Tstg
-40 ... 85
°C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR
5
V
Forward current
Durchlassstrom
IF
100
Surge current
Stoßstrom
(tp ≤ 100 μs, D = 0)
IFSM
1
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot
180
Electrostatic discharge (HBM)
Elektrostatische Entladung (HBM)
ESD
2
Thermal resistance junction - ambient 1) page 12
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
RthJA
300
1) Seite 12
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2
mA
A
mW
kV
K/W
Version 1.1
SFH 4551
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
λpeak
860
nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
λcentroid
850
nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
Δλ
30
nm
Half angle
Halbwinkel
(typ)
ϕ
± 10
°
Active chip area
Aktive Chipfläche
(typ)
A
0.09
mm2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
(typ)
LxW
0.3 x 0.3
mm x
mm
Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 100 mA, RL = 50 Ω)
(typ)
tr, tf
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
12
ns
(typ (max)) VF
1.5 (≤ 1.8)
V
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 1 A, tp = 100 μs)
(typ (max)) VF
2.4 (≤ 3)
V
Reverse current
Sperrstrom
(VR = 5 V)
(typ (max)) IR
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(IF= 100 mA, tp= 20 ms)
(typ)
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3
Φe
not designed for µA
reverse operation
70
mW
Version 1.1
SFH 4551
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Temperature coefficient of Ie or Φe
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCI
-0.5
%/K
Temperature coefficient of VF
Temperaturkoeffizient von VF
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCV
-0.7
mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCλ
0.3
nm / K
Grouping (TA = 25 °C)
Gruppierung
Group
Min Radiant Intensity
Max Radiant Intensity
Typ Radiant Intensity
Gruppe
Min Strahlstärke
Max Strahlstärke
Typ Strahlstärke
IF= 100 mA, tp= 20 ms
IF= 100 mA, tp= 20 ms
IF = 1 A, tp = 25 µs
SFH 4551-AW
Ie, min [mW / sr]
Ie, max [mW / sr]
Ie, typ [mW / sr]
100
200
1200
SFH 4551-BW
160
320
1900
SFH 4551-CW
250
500
3000
Note:
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm:
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
Gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr.
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Version 1.1
SFH 4551
Relative Spectral Emission 2) page 12
Relative spektrale Emission 2) Seite 12
Radiant Intensity 2) page 12
Strahlstärke 2) Seite 12
Irel = f(λ), TA = 25°C
Ie / Ie(100 mA) = f(I F), single pulse, tp = 25 µs,
TA= 25°C
OHF04132
100
OHL01715
101
I rel %
Ie
I e (100 mA)
80
100
5
60
10-1
40
5
10-2
20
5
0
700
750
800
850
nm 950
10-3 0
10
λ
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5 10 1
5 10 2
mA 10 3
IF
5
Version 1.1
SFH 4551
Forward Current 2) page 12
Durchlassstrom 2) Seite 12
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF = f (TA), RthJA = 300 K/W
IF
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
OHF03814
0.11
A
IF
OHL01713
100
A
10-1
0.08
5
0.07
0.06
10-2
0.05
5
0.04
0.03
10-3
0.02
5
0.01
0
10-4
0 10 20 30 40 50 60 70 80 ˚C 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
VF
T
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
IF
1.2
A
1.0
IF = f(tp), TA = 85 °C, duty cycle D = parameter
OHF05439
t
D = TP
tP
IF
IF
T
D=
0.8
0.6
0.4
1.6
A
1.4
t
IF
D = TP
T
1.2
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0 -5
10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
0 -5
10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
tp
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OHF03813
tP
tp
6
Version 1.1
SFH 4551
Radiation Characteristics 2) page 12
Abstrahlcharakteristik 2) Seite 12
Irel = f(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
OHL03768
1.0
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
0.2
0
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
2.54 (0.100)
spacing
14.7 (0.579)
13.1 (0.516)
Cathode
4.5 (0.177)
3.9 (0.154)
4.8 (0.189)
4.4 (0.173)
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
2.05 (0.081)
R 1.95 (0.077)
-0.1...0.2
(-0.004...0.008)
7.5 (0.295)
5.5 (0.217)
2.8 (0.110)
2.4 (0.094)
Chip position
4.5 (0.177)
3.9 (0.154)
7.7 (0.303)
7.1 (0.280)
((3.2) (0.126))
((R2.8 (0.110))
((3.2) (0.126))
6.0 (0.236)
5.4 (0.213)
GEOY6960
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
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2.7 (0.106)
2.4 (0.094)
Package Outline
Maßzeichnung
7
120˚
Version 1.1
SFH 4551
Package
SMR
Gehäuse
SMR
Method of Taping
Gurtung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
2013-10-31
8
Version 1.1
SFH 4551
5.3 (0.209)
2.54 (0.100)
1.3 (0.051)
Recommended Solder Pad
Empfohlenes Lötpaddesign
Bauteil positioniert
Component Location on Pad
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
Lötpad
Paddesign for
improved heat dissipation
3 (0.118)
Lötstopplack
Solder resist
7 (0.276)
Cu-Fläche > 20 mm 2
Cu-area > 20 mm 2
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
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9
OHF02449
Version 1.1
SFH 4551
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
Preconditioning: JEDEC Level 3 acc. to JEDEC J-STD-020D.01
OHA04525
300
˚C
T 250
Tp 245 ˚C
240 ˚C
tP
217 ˚C
200
tL
150
tS
100
50
25 ˚C
0
0
50
100
150
200
s 300
250
t
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Symbol
Symbol
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum
Ramp-up rate to preheat*)
25 °C to 150 °C
Time tS
TSmin to TSmax
tS
60
Ramp-up rate to peak*)
TSmax to TP
Recommendation
Maximum
2
3
100
120
2
3
Unit
Einheit
K/s
s
K/s
Liquidus temperature
TL
217
Time above liquidus temperature
tL
80
100
s
Peak temperature
TP
245
260
°C
Time within 5 °C of the specified peak
temperature TP - 5 K
tP
20
30
s
3
6
K/s
10
Ramp-down rate*
TP to 100 °C
480
Time
25 °C to TP
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
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°C
10
s
Version 1.1
SFH 4551
Disclaimer
Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
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Version 1.1
SFH 4551
Glossary
Glossar
1)
Thermal resistance: junction -ambient, mounted
on PC-board (FR4), padsize 20 mm2 each
1)
Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm2
2)
Typical Values: Due to the special conditions of the
manufacturing processes of LED, the typical data or
calculated correlations of technical parameters can
only reflect statistical figures. These do not
necessarily correspond to the actual parameters of
each single product, which could differ from the
typical data and calculated correlations or the typical
characteristic line. If requested, e.g. because of
technical improvements, these typ. data will be
changed without any further notice.
2)
Typische Werte: Wegen
der
besonderen
Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED
können typische oder abgeleitete technische
Parameter nur aufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B.
aufgrund technischer Verbesserungen, werden
diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung
geändert.
2013-10-31
12
Version 1.1
SFH 4551
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
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2013-10-31
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