SFH7251

2013-11-06 Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.0 SFH 7251 Features: Besondere Merkmale: • SMT package with IR emitter (850 nm) and green emitter (570 nm) • Suitable for SMT assembly • Available on tape and reel • Emitter and detector can be controlled separately • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (850 nm) und grünem Sender (570 nm) • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar Applications Anwendungen • Data transmission • Remote control • Infrared interface • Datenübertragung • Gerätefernsteuerung • Infrarotschnittstelle Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehäuse: Bestellnummer SFH 7251 SMT Multi TOPLED® Q65111A5040 2013-11-06 1 Version 1.0 SFH 7251 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 1) page 14 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 1) Seite 14 700 K/W IRED Forward current Durchlassstrom IF (DC) 70 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 μs, D = 0) IFSM 0.7 A Total power dissipation Verlustleistung Ptot 140 mW 500 K/W Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 2) page 14 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 2) Seite 14 Electrostatic discharge (HBM) Elektrostatische Entladung (HBM) ESD 2 kV LED Forward current Durchlassstrom IF (DC) 50 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 μs, D = 0) IFSM 0.1 A 2013-11-06 2 Version 1.0 SFH 7251 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Total power dissipation Verlustleistung Ptot Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 2) page 14 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 2) Seite 14 Electrostatic discharge (HBM) Elektrostatische Entladung (HBM) ESD 135 mW 500 K/W 2 kV Note: The stated maximum ratings refer to one chip, unless otherwise specified. Anm: Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip, wenn nicht anders angegeben. Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit IRED Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 70 mA) (typ) λpeak 860 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) Δλ 30 nm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 60 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) LxW Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) (typ) tr, tf Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ (max)) VF 2013-11-06 3 0.2 x 0.2 ° mm x mm 12 ns 1.6 (≤ 2) V Version 1.0 SFH 7251 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Forward voltage Durchlassspannung (IF = 500 mA, tp = 100 μs) (typ (max)) VF IR Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) 2.4 (≤ 3) V not designed for µA reverse operation Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) Φe 40 mW Radiant intensity in axial direction Strahlstärke in Achsrichtung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (min) Ie, min 6.3 mW / sr Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -0.5 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -0.7 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ 0.3 nm / K Peak emission wavelength Max. der spektralen Emission (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) λpeak 572 nm Dominant wavelength Dominantwellenlänge (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) λdom 570 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) Δλ 18 nm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 60 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) LxW 2013-11-06 4 LED 0.3 x 0.3 ° mm x mm Version 1.0 SFH 7251 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Rise and fall times of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) (typ) Forward voltage Durchlassspannung (IF = 20 mA, tp = 20 ms) tr / tf 400 ns (typ (max)) VF 2.1 (≤ 2.5) V Reverse current Sperrstrom (VR = 12 V) (typ (max)) IR 0.2 (≤ 10) µA Luminous intensity Lichtstärke (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (min) IV > 63 mcd Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -1.2 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -1.3 mV / K Temperature coefficient of λpeak Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ peak 0.3 nm / K Temperature coefficient of λdom Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ dom 0.11 nm / K 2013-11-06 5 Version 1.0 SFH 7251 Diagrams IRED Diagramme IRED Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission 3) Seite 14 Forward Current 3) page 14 Durchlassstrom 3) Seite 14 3) page 14 (typ) Irel = f(λ), T A = 25°C 100 I rel IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C OHF04132 % IF 80 OHF03826 100 A 10-1 5 60 10-2 5 40 10-3 20 0 700 5 10-4 750 800 850 nm 950 2013-11-06 0 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF λ 6 Version 1.0 SFH 7251 Radiant Intensity 3) page 14 Strahlstärke 3) Seite 14 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs, TA= 25°C 10 IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHF04406 1 Ie IF I e (70 mA) 0.7 A 0.6 OHF03733 t D = TP tP IF T 100 0.5 5 0.4 10-1 5 0.3 10-2 0.2 D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 5 0.1 10-3 0 10 5 10 1 5 10 2 mA 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 10 3 IF tp Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA) IF OHF03732 80 mA 70 60 50 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA 2013-11-06 7 Version 1.0 SFH 7251 Diagrams LED Diagramme LED Forward Current Durchlassstrom 3) Seite 14 Relative Luminous Intensity 3) page 14 Relative Lichtstärke 3) Seite 14 3) page 14 IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C 2013-11-06 Iv / Iv(20 mA) = f(IF), TA = 25 °C 8 Version 1.0 SFH 7251 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(T A) Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHF05629 0.12 A t IF D = TP 0.10 tP IF IF T OHF05628 60 mA 50 D= 40 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 0.09 0.08 0.07 30 20 0.06 10 0.05 0 0.04 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 0 20 40 60 tp 80 ˚C 100 TA Relative Spectral Emission - V(λ) = Standard eye response curve 3) page 14 Relative spektrale Emission - V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit 3) Seite 14 Irel = f (λ); T A = 25 °C; IF = 20 mA OHL01098 100 % Irel 80 Vλ 60 green 40 20 0 400 450 500 550 600 650 λ 2013-11-06 9 nm 700 Version 1.0 SFH 7251 IRED Radiation Characteristics / LED Directional Characteristics 3) page 14 IRED Abstrahlcharakteristik / LED Winkeldiagramm 3) Seite 14 Irel = f(ϕ) / Srel = f(ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2013-11-06 10 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ Version 1.0 SFH 7251 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Cathode / Kathode (850 nm) 2 Anode / Anode (850 nm) 3 Cathode / Kathode (570 nm) 4 Anode / Anode (570 nm) Package SMT Multi TOPLED, white, clear resin Gehäuse SMT Multi TOPLED, weiß, klarer Verguss Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 2013-11-06 11 Version 1.0 SFH 7251 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 s 300 250 t OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 °C 480 Time 25 °C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2013-11-06 °C 12 s Version 1.0 SFH 7251 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2013-11-06 13 Version 1.0 SFH 7251 Glossary Glossar 1) both chips on 1) beide Chips betrieben 2) only one chip on 2) nur ein Chip betrieben 3) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 2013-11-06 14 Version 1.0 SFH 7251 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2013-11-06 15