SFH7250

2015-01-28 Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250 Features: Besondere Merkmale: • Available on tape and reel • SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor • Suitable for SMT assembly • Emitter und detector can be controlled separately • Gegurtet lieferbar • SMT Gehäuse mit IR-Sender (850 nm) and Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar Applications Anwendungen • Data transmission • Lock bar • Infrared interface • Datenübertragung • Wegfahrsperre • Infrarotschnittstelle Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehäuse: Bestellnummer SFH 7250 SMT Multi TOPLED® Q65111A3188 2015-01-28 1 Version 1.1 SFH 7250 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 Junction temperature Sperrschichttemperatur Tj (max) Forward current Durchlassstrom IF 70 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 µs, D = 0) IFSM 0.7 A Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 140 mW Thermal resistance junction - ambient 1) page 15 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 500 K/W Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad RthJS 400 K/W ESD withstand voltage ESD Festigkeit VESD 2 kV 15 mA °C 100 °C IRED 1) Seite 15 Phototransistor Fototransistor Collector current Kollektorstrom IC Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 µs, D = 0) IFSM 0.075 A Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung VCE 35 V 2015-01-28 2 Version 1.1 SFH 7250 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Total power dissipation Verlustleistung Ptot 165 mW Thermal resistance 1) page 15 Wärmewiderstand 1) Seite 15 RthJA 450 K/W ESD withstand voltage ESD Festigkeit VESD 2 Note: The stated maximum ratings refer to one chip. Anm: Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. kV Characteristics Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit IRED (TA = 25 °C) Peak wavelength Emissionswellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) λpeak 860 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) ∆λ 30 nm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 60 ° Active chip area Aktive Chipfläche (typ) A 0.04 mm2 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) LxW 0.2 x 0.2 mm x mm Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) (typ) tr, tf Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ (max)) VF 2015-01-28 3 12 ns 1.6 (≤ 2) V Version 1.1 SFH 7250 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Forward voltage Durchlassspannung (IF = 500 mA, tp = 100 µs) (typ (max)) VF Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) (typ (max)) IR Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) 2.4 (≤ 3) V not designed for µA reverse operation Φe 40 mW Min Radiant Intensity Min Strahlstärke (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Ie, min 6.3 mW / sr Radiant intensity Strahlstärke (IF = 70 mA, tp = 20 ms) Ie, typ 10 mW/sr Typ Radiant Intensity Typ Strahlstärke (IF = 500 mA, tp = 100 µs) Ie, typ 60 mW / sr Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -0.5 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -0.7 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ 0.3 nm / K Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit (typ) λS max 990 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit (S = 10% of Smax) (typ) λ 440 ... 1150 nm 2015-01-28 4 Phototransistor Fototransistor (TA = 25 °C, λ = 880 nm) Version 1.1 SFH 7250 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ = 240 µm) (typ) A 0.038 mm2 Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche (typ) LxW (typ) 0.45 x 0.45 mm x mm Distance chip front to case surface Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite (typ) H (typ) 0.5 ... 0.7 mm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 60 ° Capacitance Kapazität (VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) (typ) CCE Dark current Dunkelstrom (VCE = 25 V, E = 0) (typ (max)) ICE0 Photocurrent Fotostrom (λ = 880 nm, Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V) 5 pF 1 (≤ 200) nA IPCE ≥ 16 µA 7 µs 150 mV Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ) (typ) tr, tf Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (IC = 5 µA, Ee = 0.1 mW/cm2) (typ) VCEsat Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke IF = 70 mA, tp = 20 ms IF = 70 mA, tp = 20 ms IF = 500 mA, tp = 100 µs Ie, typ Ie, min Ie, max SFH 7250-Q 6.3 12.5 55 SFH 7250-R 10 20 90 Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr. Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr. 2015-01-28 5 Version 1.1 SFH 7250 Forward Current 2) page 15 Durchlassstrom 2) Seite 15 IF = f(VF), TA = 25 °C IF Radiant Intensity 2) page 15 Strahlstärke 2) Seite 15 Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs OHF03826 100 A OHF04406 101 Ie I e (70 mA) 10-1 100 5 5 10-2 10-1 5 5 10-3 10-2 5 5 10-4 0 0.5 1 1.5 2 10-3 0 10 2.5 V 3 5 10 1 5 10 2 mA Relative Spectral Emission 2) page 15 Relative spektrale Emission 2) Seite 15 (typ) Irel = f(λ), TA = 25°C Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter IF 0.7 A 0.6 OHF03733 t OHF04132 100 tP I rel IF D = TP 10 3 IF VF % T 80 0.5 0.4 0.3 0.2 D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 60 40 20 0.1 0 700 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 2015-01-28 750 800 850 nm 950 λ tp 6 Version 1.1 SFH 7250 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA) IF OHF03732 80 mA 70 60 50 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA 2015-01-28 7 Version 1.1 SFH 7250 Phototransistor Diagrams Fototransistor Diagramme 2) page 15 Photocurrent 2) page 15 Fotostrom 2) Seite 15 IPCE = f(Ee), VCE = 5 V, TA = 25°C Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit 2) Seite 15 Srel = f(λ), TA = 25°C Srel 100 % OHF00207 OHF00312 10 3 µA Ι PCE 80 10 2 70 60 10 1 50 40 30 10 0 20 10 0 400 500 600 700 800 900 2015-01-28 10 -1 nm 1100 λ 10 -3 10 -2 m W/cm 2 10 0 Ee 8 Version 1.1 SFH 7250 Photocurrent 2) page 15 Fotostrom 2) Seite 15 IPCE = f(VCE), Ee = Parameter, TA = 25°C Photocurrent 2) page 15 Fotostrom 2) Seite 15 IPCE / IPCE (25°C) = f(TA), VCE = 5 V OHF01529 10 0 mA 1 Ι PCE Ι PCE mW cm 2 OHF01524 1.6 Ι PCE 25 1.4 mW 0.5 2 cm 1.2 0.25 mW cm 2 1.0 0.1 mW cm 2 10 -1 0.8 0.6 0.4 0.2 10 -2 0 5 10 15 20 25 0 -25 30 V 35 V CE Dark Current 2) page 15 Dunkelstrom 2) Seite 15 ICEO = f(VCE), E = 0, TA = 25°C OHF01527 50 75 C 100 TA OHF01530 10 3 nA Ι CEO Ι CEO 10 0 10 2 10 -1 10 1 10 -2 10 0 2015-01-28 25 Dark Current 2) page 15 Dunkelstrom 2) Seite 15 ICEO = f(TA), VCE = 5 V, E = 0 10 1 nA 10 -3 0 0 5 10 15 20 25 10 -1 -25 30 V 35 V CE 9 0 25 50 75 ˚C 100 TA Version 1.1 SFH 7250 Collector-Emitter Capacitance 2) page 15 Kollektor-Emitter Kapazität 2) Seite 15 CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0, TA = 25°C Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) OHF01528 5.0 OHF00871 200 C CE pF mW P tot 4.0 160 3.5 120 3.0 2.5 80 2.0 1.5 40 1.0 0.5 0 10 -2 10 -1 10 0 0 10 1 V 10 2 V CE 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA IRED Radiation Characteristics / Phototransistor Directional Characteristics 2) page 15 IRED Abstrahlcharakteristik / Phototransistor Winkeldiagramm 2) Seite 15 Irel = f(ϕ) / Srel = f(ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 2015-01-28 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 10 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ Version 1.1 SFH 7250 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Anode IRED/ Anode IRED 2 Cathode IRED/ Kathode IRED 3 Collector Phototransistor/ Kollektor Fototransistor 4 Emitter Phototransistor/ Emitter Fototransistor Package SMT Multi TOPLED Gehäuse SMT Multi TOPLED 2015-01-28 11 Version 1.1 SFH 7250 Taping Gurtung 2.9 (0.114) 4 (0.157) Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 2015-01-28 12 8 (0.315) Cathode/Collector Marking 1.75 (0.069) 2 (0.079) 3.5 (0.138) 4 (0.157) 3.6 (0.142) 1.5 (0.059) OHAY0536 Version 1.1 SFH 7250 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 °C 480 Time 25 °C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2015-01-28 °C 13 s Version 1.1 SFH 7250 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2015-01-28 14 Version 1.1 SFH 7250 Glossary Glossar 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 2) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 2) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 2015-01-28 15 Version 1.1 SFH 7250 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2015-01-28 16