2014-04-16
High Power Infrared Emitter (850 nm)
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Version 1.3
SFH 4258S
Features:
Besondere Merkmale:
•
•
•
•
•
•
•
•
High Power Infrared LED
Double Stack emitter
Half angle: ± 15°
High forward current allowed at high temperature
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
2- fach Stack Emitter
Halbwinkel: ± 15°
Hohe Bestromung bei hohen Temperaturen
möglich
• Kurze Schaltzeiten
• Short switching times
Applications
Anwendungen
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Industrial applications
Infrared Illumination for cameras
IR data transmission
Sensor technology
Automotive technology
Industrie Anwendungen
Infrarotbeleuchtung für Kameras
IR Datenübertragung
Sensorik
Automobiltechnik
Notes
Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.3
SFH 4258S
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Radiant Intensity
Ordering Code
Typ:
Strahlstärke
Bestellnummer
IF=70 mA, tp=20 ms
Ie [mW/sr]
SFH 4258S
130 (≥ 63)
Note:
Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm.:
Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Q65111A1158
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
-40 ... 100
°C
Einheit
Reverse voltage
Sperrspannung
VR
5
V
Forward current
Durchlassstrom
IF
70
mA
Surge current
Stoßstrom
(tp ≤ 300 µs, D = 0)
IFSM
0.7
A
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot
245
mW
ESD withstand voltage
ESD Festigkeit
(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)
VESD
2
Thermal resistance junction - ambient 1) page 12
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
RthJA
300
K/W
RthJS
140
K/W
kV
1) Seite 12
Thermal resistance junction - soldering point
2) page 12
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 12
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2
Version 1.3
SFH 4258S
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Peak wavelength
Emissionswellenlänge
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
λpeak
860
nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
λcentroid
850
nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
∆λ
30
nm
Half angle
Halbwinkel
(typ)
ϕ
± 15
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
(typ)
LxW
Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 70 mA, RL = 50 Ω)
(typ)
tr, tf
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
0.3 x 0.3
°
mm x
mm
15
ns
(typ (max)) VF
3 (≤ 3.5)
V
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 700 mA, tp = 100 µs)
(typ (max)) VF
4 (≤ 5.2)
V
Reverse current
Sperrstrom
(VR = 5 V)
(typ (max)) IR
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(IF=70 mA, tp=20 ms)
(typ)
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3
Φe
not designed for µA
reverse operation
80
mW
Version 1.3
SFH 4258S
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Temperature coefficient of Ie or Φe
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCI
-0.5
%/K
Temperature coefficient of VF
Temperaturkoeffizient von VF
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCV
-2
mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(IF = 70 mA, tp = 20 ms)
(typ)
TCλ
0.3
nm / K
Grouping (TA = 25 °C)
Gruppierung
Group
Min Radiant Intensity
Max Radiant Intensity
Typ Radiant Intensity
Gruppe
Min Strahlstärke
Max Strahlstärke
Typ Strahlstärke
IF=70 mA, tp=20 ms
IF=70 mA, tp=20 ms
IF = 700 mA, tp = 25 µs
Ie, min [mW / sr]
Ie, max [mW / sr]
Ie, typ [mW / sr]
63
125
750
SFH 4258S-V
SFH 4258S-AW
100
200
1200
SFH 4258S-BW
160
320
1900
Note:
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm.:
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
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Version 1.3
SFH 4258S
Relative Spectral Emission 3) page 12
Relative spektrale Emission 3) Seite 12
Irel = f(λ), TA = 25°C
Radiant Intensity 3) page 12
Strahlstärke 3) Seite 12
Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs,
TA= 25°C
OHF05559
100
Irel %
OHF05560
101
Ιe
Ι e (70 mA)
80
100
70
60
50
10-1
40
30
10-2
20
10
0
700
750
800
850
nm 950
10-3 0
10
λ
101
102
mA 103
IF
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Version 1.3
SFH 4258S
Forward Current 3) page 12
Durchlassstrom 3) Seite 12
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W
IF
OHF04489
80
mA
IF
70
OHF05562
103
mA
60
102
50
40
30
101
20
10
0
0
20
40
60
100
80 ˚C 100
2
3
4
VF
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TA = 85 °C, duty cycle D = parameter
IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
0.75
IF A
OHF04490
t
D = TP
0.75
IF A
tP
IF
T
0.60
0.55
0.50
D=
0.45
0.005
0.01
0.40
0.02
0.35
0.05
0.30
0.1
0.2
0.25
0.5
0.20
1
0.15
0.10
0.05
0 -5
10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
OHF04491
t
D = TP
tP
IF
T
0.60
0.55
0.50
D=
0.45
0.005
0.01
0.40
0.02
0.35
0.05
0.30
0.1
0.2
0.25
0.5
0.20
1
0.15
0.10
0.05
0 -5
10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
tp
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V
TA
tp
6
Version 1.3
SFH 4258S
Radiation Characteristics 3) page 12
Abstrahlcharakteristik 3) Seite 12
Irel = f(ϕ), TA= 25°C
40˚
30˚
20˚
10˚
OHL00021
0˚
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0
0.4
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
Package Outline
Maßzeichnung
3.8 (0.150) max.
3.0 (0.118)
2.6 (0.102)
2.3 (0.091)
2.1 (0.083)
1.7 (0.067)
2.1 (0.083)
0.9 (0.035)
0.8 (0.031)
0.6 (0.024)
0.7 (0.028)
1.1 (0.043)
1
Package marking
0.18 (0.007)
ø2.55 (0.100)
ø2.60 (0.102)
0.1 (0.004) typ
0.5 (0.020)
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
3.4 (0.134)
3.0 (0.118)
2
4˚±1
4
(2.4) (0.095)
3
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.13 (0.005)
GPLY6127
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
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7
120˚
Version 1.3
SFH 4258S
Pinning
Anschlussbelegung
Pin
Description
Anschluss
Beschreibung
1
Cathode /Kathode
2
Anode/Anode
3
Anode/Anode
4
Anode/Anode
Package
Power TOPLED with Lens, clear resin
Gehäuse
Power TOPLED mit Linse, klarer Verguss
Taping
Gurtung
4 (0.157)
Cathode/Collector Side
8 (0.315)
12 (0.472)
1.75 (0.069)
5.5 (0.217)
3 (0.118)
3.8 (0.150)
1.5 (0.059) 2 (0.079)
OHAY0734
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
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Version 1.3
SFH 4258S
Recommended Solder Pad
Empfohlenes Lötpaddesign
Reflow Soldering / Reflow Löten
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
Paddesign for
improved heat dissipation
3.3 (0.130)
3.3 (0.130)
2.3 (0.091)
11.1 (0.437)
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
3.7 (0.146)
0.8 (0.031)
0.7 (0.028)
Cu Fläche /
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