SFH4258S

SFH4258S

  • 厂商:

    AMSOSRAM(艾迈斯半导体)

  • 封装:

    4-PLCC

  • 描述:

    EMITTERIR850NM70MAPLCC

  • 数据手册
  • 价格&库存
SFH4258S 数据手册
2014-04-16 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4258S Features: Besondere Merkmale: • • • • • • • • High Power Infrared LED Double Stack emitter Half angle: ± 15° High forward current allowed at high temperature Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung 2- fach Stack Emitter Halbwinkel: ± 15° Hohe Bestromung bei hohen Temperaturen möglich • Kurze Schaltzeiten • Short switching times Applications Anwendungen • • • • • • • • • • Industrial applications Infrared Illumination for cameras IR data transmission Sensor technology Automotive technology Industrie Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras IR Datenübertragung Sensorik Automobiltechnik Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-04-16 1 Version 1.3 SFH 4258S Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer IF=70 mA, tp=20 ms Ie [mW/sr] SFH 4258S 130 (≥ 63) Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Q65111A1158 Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Einheit Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Forward current Durchlassstrom IF 70 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 300 µs, D = 0) IFSM 0.7 A Total power dissipation Verlustleistung Ptot 245 mW ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) VESD 2 Thermal resistance junction - ambient 1) page 12 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 300 K/W RthJS 140 K/W kV 1) Seite 12 Thermal resistance junction - soldering point 2) page 12 Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 12 2014-04-16 2 Version 1.3 SFH 4258S Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) λpeak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) λcentroid 850 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) ∆λ 30 nm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 15 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) LxW Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 Ω) (typ) tr, tf Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) 0.3 x 0.3 ° mm x mm 15 ns (typ (max)) VF 3 (≤ 3.5) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 700 mA, tp = 100 µs) (typ (max)) VF 4 (≤ 5.2) V Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) (typ (max)) IR Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF=70 mA, tp=20 ms) (typ) 2014-04-16 3 Φe not designed for µA reverse operation 80 mW Version 1.3 SFH 4258S Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -0.5 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -2 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ 0.3 nm / K Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke IF=70 mA, tp=20 ms IF=70 mA, tp=20 ms IF = 700 mA, tp = 25 µs Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] 63 125 750 SFH 4258S-V SFH 4258S-AW 100 200 1200 SFH 4258S-BW 160 320 1900 Note: measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Anm.: gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2014-04-16 4 Version 1.3 SFH 4258S Relative Spectral Emission 3) page 12 Relative spektrale Emission 3) Seite 12 Irel = f(λ), TA = 25°C Radiant Intensity 3) page 12 Strahlstärke 3) Seite 12 Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs, TA= 25°C OHF05559 100 Irel % OHF05560 101 Ιe Ι e (70 mA) 80 100 70 60 50 10-1 40 30 10-2 20 10 0 700 750 800 850 nm 950 10-3 0 10 λ 101 102 mA 103 IF 2014-04-16 5 Version 1.3 SFH 4258S Forward Current 3) page 12 Durchlassstrom 3) Seite 12 IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W IF OHF04489 80 mA IF 70 OHF05562 103 mA 60 102 50 40 30 101 20 10 0 0 20 40 60 100 80 ˚C 100 2 3 4 VF Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 85 °C, duty cycle D = parameter IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 0.75 IF A OHF04490 t D = TP 0.75 IF A tP IF T 0.60 0.55 0.50 D= 0.45 0.005 0.01 0.40 0.02 0.35 0.05 0.30 0.1 0.2 0.25 0.5 0.20 1 0.15 0.10 0.05 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 OHF04491 t D = TP tP IF T 0.60 0.55 0.50 D= 0.45 0.005 0.01 0.40 0.02 0.35 0.05 0.30 0.1 0.2 0.25 0.5 0.20 1 0.15 0.10 0.05 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 tp 2014-04-16 5 V TA tp 6 Version 1.3 SFH 4258S Radiation Characteristics 3) page 12 Abstrahlcharakteristik 3) Seite 12 Irel = f(ϕ), TA= 25°C 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ OHL00021 0˚ ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0 0.4 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ Package Outline Maßzeichnung 3.8 (0.150) max. 3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083) 1.7 (0.067) 2.1 (0.083) 0.9 (0.035) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 0.7 (0.028) 1.1 (0.043) 1 Package marking 0.18 (0.007) ø2.55 (0.100) ø2.60 (0.102) 0.1 (0.004) typ 0.5 (0.020) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 3.4 (0.134) 3.0 (0.118) 2 4˚±1 4 (2.4) (0.095) 3 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.13 (0.005) GPLY6127 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-04-16 7 120˚ Version 1.3 SFH 4258S Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Cathode /Kathode 2 Anode/Anode 3 Anode/Anode 4 Anode/Anode Package Power TOPLED with Lens, clear resin Gehäuse Power TOPLED mit Linse, klarer Verguss Taping Gurtung 4 (0.157) Cathode/Collector Side 8 (0.315) 12 (0.472) 1.75 (0.069) 5.5 (0.217) 3 (0.118) 3.8 (0.150) 1.5 (0.059) 2 (0.079) OHAY0734 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-04-16 8 Version 1.3 SFH 4258S Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Reflow Soldering / Reflow Löten Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 3.3 (0.130) 3.3 (0.130) 2.3 (0.091) 11.1 (0.437) 1.5 (0.059) 1.1 (0.043) 3.7 (0.146) 0.8 (0.031) 0.7 (0.028) Cu Fläche /
SFH4258S 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“SFH4258S”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货