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创作活动
SFH4258

SFH4258

  • 厂商:

    AMSOSRAM(艾迈斯半导体)

  • 封装:

    LCC-4

  • 描述:

    EMITTERIR850NM100MA4-LCC

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SFH4258 数据手册
2014-01-15 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Half angle: ± 15° • High forward current allowed at high temperature • Short switching times • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Halbwinkel: ± 15° • Hohe Bestromung bei hohen Temperaturen möglich • Kurze Schaltzeiten Applications Anwendungen • Infrared Illumination for cameras • IR data transmission • Sensor technology • Infrarotbeleuchtung für Kameras • IR Datenübertragung • Sensorik Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-15 1 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer IF= 100 mA, tp= 20 ms Ie [mW/sr] SFH 4258 110 (≥ 50) Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Q65110A2975 Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Symbol Werte Einheit Top; Tstg -40 ... 100 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Forward current Durchlassstrom IF 100 Surge current Stoßstrom (tp ≤ 100 μs, D = 0) IFSM 1 Total power dissipation Verlustleistung Ptot 180 ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) VESD 2 Thermal resistance junction - ambient 1) page 13 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 300 K/W Thermal resistance junction - soldering point RthJS 140 K/W mA A mW kV 1) Seite 13 2) page 13 Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 13 2014-01-15 2 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) λpeak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) λcentroid 850 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) Δλ 30 nm Half angle Halbwinkel (typ) ϕ ± 15 ° Active chip area Aktive Chipfläche (typ) A 0.09 mm2 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) LxW 0.3 x 0.3 mm x mm Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) (typ) tr, tf Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) 12 ns (typ (max)) VF 1.5 (≤ 1.8) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 μs) (typ (max)) VF 2.4 (≤ 3) V Reverse current Sperrstrom (typ (max)) IR Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF= 100 mA, tp= 20 ms) (typ) 2014-01-15 3 Φe not designed for µA reverse operation 70 mW Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -0.5 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -0.7 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) (typ) TCλ 0.3 nm / K Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke IF= 100 mA, tp= 20 ms IF= 100 mA, tp= 20 ms IF = 1 A, tp = 25 µs SFH 4258-U2 Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] 50 80 520 SFH 4258-V 63 125 750 SFH 4258-AW 100 200 1200 SFH 4258-BW1 160 250 1600 Note: measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). Anm.: gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2014-01-15 4 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Relative Spectral Emission 3) page 13 Relative spektrale Emission 3) Seite 13 Radiant Intensity 3) page 13 Strahlstärke 3) Seite 13 Irel = f(λ), TA = 25°C Ie / Ie(100 mA) = f(I F), single pulse, tp = 25 µs, TA= 25°C OHF04132 100 SFH 4258 OHL01715 101 I rel % Ie I e (100 mA) 80 100 5 60 10-1 40 5 10-2 20 5 0 700 750 800 850 nm 950 10-3 0 10 λ 2014-01-15 5 10 1 5 10 2 mA 10 3 IF 5 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Forward Current 3) page 13 Durchlassstrom 3) Seite 13 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C OHL01716 120 mA IF OHL01713 100 A I F 100 10-1 80 5 60 10-2 5 40 10-3 20 0 5 0 20 40 60 10-4 ˚C 120 80 TA IF OHF05438 t tP D = TP 1.0 IF T D= 0.8 0.6 0.4 0.005 0.01 0.02 0.033 0.05 0.1 0.2 0.5 1 0.2 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 tp 2014-01-15 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 1.2 A 0 6 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Radiation Characteristics 3) page 13 Abstrahlcharakteristik 3) Seite 13 Irel = f(ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 50˚ OHL00021 0˚ ϕ 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ Package Outline Maßzeichnung 3.8 (0.150) max. 3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083) 1.7 (0.067) 2.1 (0.083) 0.9 (0.035) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 0.7 (0.028) 1.1 (0.043) 1 Package marking 0.18 (0.007) ø2.55 (0.100) ø2.60 (0.102) 0.1 (0.004) typ 0.5 (0.020) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 3.4 (0.134) 3.0 (0.118) 2 4˚±1 4 (2.4) (0.095) 3 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.13 (0.005) GPLY6127 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-15 7 120˚ Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Cathode / Kathode 2 Anode / Anode 3 Anode / Anode 4 Anode / Anode Package Power TOPLED with Lens, clear resin Gehäuse Power TOPLED mit Linse, klarer Verguss Method of Taping Gurtung 4 (0.157) Cathode/Collector Side 8 (0.315) 12 (0.472) 1.75 (0.069) 5.5 (0.217) 3 (0.118) 3.8 (0.150) 1.5 (0.059) 2 (0.079) OHAY0734 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-15 8 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Reflow Soldering / Reflow Löten Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 3.3 (0.130) 3.3 (0.130) 2.3 (0.091) 11.1 (0.437) 1.5 (0.059) 1.1 (0.043) 3.7 (0.146) 0.8 (0.031) 0.7 (0.028) Cu Fläche / 16 mm 2 per pad Cu-area Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Lötstoplack Solder resist Paddesign for improved heat dissipation Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-15 10 OHPY3040 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 s 300 250 t Profil-Charakteristik Profile Feature Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up Rate to Preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up Rate to Peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Einheit Unit K/s s K/s Liquidus Temperature TL 217 Time above Liquidus temperature tL 80 100 s Peak Temperature TP 245 250 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 4 K/s 10 Ramp-down Rate* TP to 100 °C 480 Time 25 °C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2014-01-15 °C 11 s Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4258 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-15 12 Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Glossary SFH 4258 Glossar 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 2) Thermal resistance: junction mounted on metal block point, 2) Wärmewiderstand: Sperrschicht Montage auf Metall-Block 3) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 2014-01-15 -soldering 13 -Lötstelle, bei Version 1.1 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2014-01-15 14 SFH 4258
SFH4258
PDF文档中的物料型号为:STM32F103C8T6,是一款32位ARM Cortex-M3内核的微控制器,具有多种封装形式。

器件简介:STM32F103C8T6是ST公司推出的一款高性能微控制器,广泛应用于工业控制、消费电子等领域。

引脚分配:该芯片有48个引脚,包括电源引脚、地引脚、I/O引脚等。

参数特性:主频72MHz,内置64KB Flash和20KB RAM。

功能详解:支持多种通信接口,如USART、SPI、I2C等。

应用信息:适用于需要高性能处理和丰富外设接口的应用场景。

封装信息:该物料有LQFP48封装形式。
SFH4258 价格&库存

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