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创作活动
1N1190A

1N1190A

  • 厂商:

    GENESICSEMICONDUCTOR

  • 封装:

    DO-203AB(DO-5)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

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  • 数据手册
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1N1190A 数据手册
1N1183A thru 1N1190AR Silicon Standard Recovery Diode VRRM = 50 V - 600 V IF = 40 A Features • High Surge Capability • Types up to 600 V VRRM DO-5 Package • Not ESD Sensitive A Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. C A C Stud Stud (R) Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Repetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage DC blocking voltage Symbol Conditions 1N1183A(R) 1N1184A(R) 1N1186A(R) 1N1188A(R) 1N1190A(R) Unit VRRM 50 100 200 400 600 V VRMS 35 70 140 280 420 V VDC 50 100 200 400 600 V Continuous forward current IF TC ≤ 150 °C 40 40 40 40 40 A Surge non-repetitive forward current, Half Sine Wave IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms 800 800 800 800 800 A Operating temperature Storage temperature Tj Tstg -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C °C Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Diode forward voltage VF Reverse current IR Conditions IF = 40 A, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 140 °C 1N1183A(R) 1N1184A(R) 1N1186A(R) 1N1188A(R) 1N1190A(R) Unit V 1.1 10 15 1.1 10 15 1.1 10 15 1.1 10 15 1.1 10 15 μA mA 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 °C/W Thermal characteristics Thermal resistance, junction case Oct. 2018 RthJC http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1190a.pdf 1 1N1183A thru 1N1190AR Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1190a.pdf 2 1N1183A thru 1N1190AR Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C A C Stud Stud (R) Inches Min Millimeters Max Oct. 2018 Min Max 1/4 –28 UNF A B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1190a.pdf 3
1N1190A
1. 物料型号:型号为STM32F103VCT6,是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,主要用于工业控制和消费电子领域。 2. 器件简介:STM32F103VCT6具有高速运算能力,内置多种外设接口,适用于需要高性能处理能力的场合。 3. 引脚分配:该芯片共有100个引脚,包括电源引脚、地引脚、I/O引脚等,具体分配需参考芯片手册。 4. 参数特性:主频72MHz,内置512KB FLASH和64KB RAM,支持多种通信接口如USB、CAN、I2C等。 5. 功能详解:支持多种工作模式,具备丰富的外设功能,如ADC、DAC、定时器等,适用于复杂的控制任务。 6. 应用信息:广泛应用于工业自动化、医疗设备、智能家居等领域。 7. 封装信息:采用LQFP100封装,尺寸为14mm x 14mm。
1N1190A 价格&库存

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1N1190A
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  • 1+88.585381+10.58755
  • 10+74.1069610+8.85712
  • 25+69.0343225+8.25085
  • 100+62.00458100+7.41067
  • 250+57.76311250+6.90374
  • 500+54.74180500+6.54264

库存:39