BLF7G24LS-160P,112

物料型号：BLF7G24L-160P 和 BLF7G24LS-160P 器件简介：160W LDMOS功率晶体管，用于2300MHz至2400MHz频率范围内的基站应用。

引脚分配： - BLF7G24L-160P (SOT539A)：1- drain1, 2- drain2, 3- gate1, 4- gate2, 5- source - BLF7G24LS-160P (SOT539B)：1- drain1, 2- drain2, 3- gate1, 4- gate2, 5- source 参数特性： - 存储温度范围：-65°C至+150°C - 结温范围：最高200°C - 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：最小65V - 栅源阈值电压（VGs(th)）：1.5V至2.3V - 漏极饱和电流（lpss）：最大2.8A - 漏极截止电流（lpsx）：最大19A - 栅源漏电流（IGss）：最大280nA - 正向跨导（gfs）：约6.9S - 漏源导通电阻（RDS(on)）：0.15至0.23欧姆 功能详解：具有出色的鲁棒性、高效率、低热阻、宽带操作设计、低记忆效应、内部匹配、集成ESD保护。

应用信息：用于2300MHz至2400MHz频段的基站射频功率放大器和多载波应用。

封装信息：SOT539A（有耳）和SOT539B（无耳）平衡陶瓷封装，带有2个安装孔和4个引脚。