BLF6G22-180PN,112

### 物料型号 - 型号：BLF6G22-180PN 和 BLF6G22LS-180PN

### 器件简介 - 简介：这两款是180W LDMOS功率晶体管，适用于2000MHz至2200MHz频率范围内的基站应用。

### 引脚分配 - BLF6G22-180PN (SOT539A)： - 1: drain1 - 2: drain2 - 3: gate1 - 4: gate2 - 5: source - BLF6G22LS-180PN (SOT539B)： - 1: drain1 - 2: drain2 - 3: gate1 - 4: gate2 - 5: source

### 参数特性 - 最大漏源电压(Vps)：65V - 最大栅源电压(VGs)：+13V - 最大存储温度(Tstg)：+150°C - 最大外壳温度(Tcase)：150°C - 最大结温(Tj)：225°C

### 功能详解 - 射频性能：在2110MHz至2170MHz频率下，32V供电电压和1600mA漏极电流条件下，平均输出功率为50W，功率增益为17.5dB，效率为27.5%，ACPR为-35dBc。 - 保护特性：集成了ESD保护功能。 - 热稳定性：具有优秀的热稳定性能。 - 宽带操作：设计用于宽带操作，频率范围为2000MHz至2200MHz。 - 内部匹配：内部匹配以便于使用。

### 应用信息 - 应用：适用于W-CDMA基站和2000MHz至2200MHz频段范围内的多载波应用的射频功率放大器。

### 封装信息 - BLF6G22-180PN：带法兰的平衡LDMOST陶瓷封装；2个安装孔；4个引脚；SOT539A。 - BLF6G22LS-180PN：无耳带法兰的平衡LDMOST陶瓷封装；4个引脚；SOT539B。