PDF文档中包含的物料型号为TS型,适用于Stratum 3,尺寸为7.0 x 5.0 x 5.0 mm的SMD封装。
器件简介为电压控制的温度补偿晶体振荡器,符合RoHS标准,具有CMOS和削波正弦波输出选项。
引脚分配如下:
- #10: GND/NC(接地或无连接)
- #1: VDD(电源)
- #2: Vcon:VC-TCXO(控制电压)
- #3: GND(接地)
- #4: 输出(三态)
- #5: 不连接(NC)
- #6: 不连接(NC)
- #7: 不连接(NC)
- #8: 不连接(NC)
- #9: 不连接(NC)
参数特性包括:
- 电源电压变化范围:2.5V至3.3V
- 频率范围:5至52MHz
- 工作温度范围:-20至70°C或-40至85°C
- 频率稳定性(整体,20年):±4.6ppm
- 供电电流(CMOS输出):6.0mA;供电电流(削波正弦波):3.5mA
- 输出电平(CMOS):高电平90%VDD,低电平10%VDD
- 输出电平(削波正弦波):0.8Vp-p
- 控制电压范围(VCTCXO):0.5至2.5V
功能详解指出,为了确保振荡器的最佳性能,应在VDD和GND焊盘之间尽可能靠近器件放置一个0.1μF的旁路电容器。
应用信息包括基站等Stratum 3设备。
封装信息为7.0×5.0×1.9mm的典型尺寸,符合Stratum 3标准,包括20年老化在内的整体频率稳定性为±4.6ppm。
请注意,并非所有选项组合都可用,可根据要求提供其他规格,规格如有变更,恕不另行通知。