物料型号为 eGuard0522P,是 SMC Diode Solutions 提供的一种超低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。
它旨在保护高速数据线接口的敏感半导体元件免受电气过应力的损害。
器件简介:
- eGuard0522P 具有超低电容(典型值 0.35pF I/O 到 I/O),确保在高达 3.5GHz 的数据速率下信号衰减极小。
- 固态结构确保了对静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或电缆放电事件(CDE)引起的电气过应力瞬变的快速抑制。
- 提供优越的浪涌电流能力和出色的电压抑制性能,浪涌电流能力(8x20μs)为 7A,比行业标准高出约 33%。
- 紧固的钳位比(VC/VRWM)为 1.9(典型值 1A),确保有害瞬变迅速且接近电路的正常工作电压。
引脚分配:
- 引脚 1,2:输入线
- 引脚 5,6:输出线(无内部连接)
- 引脚 3,4:地
参数特性:
- 反向偏置电压(VRWM):典型值 5V
- 反向击穿电压(VBR):最小值 6V
- 正向电压降(VF):典型值 0.9V
- 反向漏电流(IR):典型值 1uA
- 钳位电压(Vc):在 1A 时典型值 9.5V,在 7A 时典型值 17V
- 结电容(C):典型值 0.35pF(I/O 之间)
- 结电容(C1):典型值 0.65pF(任一 I/O 引脚到地)
功能详解:
- 符合 IEC 61000-4-2(空气 ESD)±17kV 和 IEC 61000-4-2(接触 ESD)±12kV 的 ESD 保护
- 符合 IEC 61000-4-5(闪电)7A(8/20μs)和 IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)的浪涌保护
- 具有高反向浪涌电流能力(IPP),低待机功耗的低空闲电流
- 低高度 DFN 封装,适用于高速线路的流线型设计
- 保护两条 I/O 线
应用信息:
- 适用于高清多媒体接口(HDMI)、数字视觉接口(DVI)、DisplayPort 接口、MDDI 端口、PCI Express、eSATA 接口等。
封装信息:
- 封装类型:DFNWB1.45x1-6L(6 引脚封装,尺寸 1.45x1.0x0.58mm)
- 引脚间距:0.5mm
- 引脚表面处理:NiPdAu
- 标记代码:522PX(522 P 为部件名称,X 为数据代码的标记代码)
请注意,这些信息是基于 PDF 文档中的技术数据表提供的,并且可能会有所更改。
在订购前,建议联系 SMC - Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co., Ltd 销售部门获取最新版本的数据表。