SFH7222-Z

2012-08-17 GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) and green GaP-LED (565 nm) GaAlAs Infrarot Sender (880 nm) und grüne GaP-LED (565 nm) Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Features: Besondere Merkmale: • SMT package with IR emitter (880 nm) and green emitter (565 nm) • Suitable for SMT assembly • Available on tape and reel • Emitter and detector can be controlled separately • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und grünem Sender (565 nm) • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar Applications Anwendungen • Data transmission • Remote control • Infrared interface • Datenübertragung • Gerätefernsteuerung • Infrarotschnittstelle Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehäuse: Bestellnummer SFH 7222 SMT Multi TOPLED® Q65110A2742 2012-08-17 1 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 1) page 15 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 1) Seite 15 650 K/W IRED Forward current Durchlassstrom IF (DC) 100 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 μs, D = 0) IFSM 2.5 A Total power dissipation Verlustleistung Ptot 180 mW 450 K/W Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 2) page 15 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 2) Seite 15 LED Forward current Durchlassstrom IF (DC) 30 mA Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 μs, D = 0) IFSM 0.5 A Total power dissipation Verlustleistung Ptot 100 mW 500 K/W Thermal resistance junction - ambient, mounted on RthJA PC-board (FR4) 2) page 15 Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine 2) Seite 15 2012-08-17 2 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Note: The stated maximum ratings refer to one chip, unless otherwise specified. Anm: Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip, wenn nicht anders angegeben. Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit IRED Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 100 mA) λpeak 880 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA) Δλ 80 nm Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche LxW Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) tr, tf 500 ns Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz) C0 25 pF Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) VF 1.5 (≤ 1.8) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 μs) VF 3 (≤ 3.8) V Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) IR 0.01 (≤ 1) µA Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Φe 23 mW 2012-08-17 3 0.4 x 0.4 ° mm x mm Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 100 mA) TCI -0.5 Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 100 mA) TCV -2 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 100 mA) TCλ 0.25 nm / K Peak emission wavelength Max. der spektralen Emission (IF = 10 mA) λpeak 565 nm Dominant wavelength Dominantwellenlänge (IF = 10 mA) λdom 570 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 10 mA) Δλ 25 nm Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche LxW Rise and fall times of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) tr / tf 450 / 200 ns Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz) C0 15 pF Forward voltage Durchlassspannung (IF = 10 mA) VF 2 (≤ 2.6) V Reverse current Sperrstrom IR 0.01 (≤ 10) µA %/K LED 2012-08-17 4 0.25 x 0.25 ° mm x mm Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Luminous intensity (group JK) Lichtstärke (Gruppe JK) (IF = 2 mA) IV > 0.25 mcd Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 100 mA) TCI -0.3 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 100 mA) TCV -1.4 mV / K Temperature coefficient of λpeak Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 100 mA) TCλ peak 0.3 nm / K Temperature coefficient of λdom Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 100 mA) TCλ dom 0.07 nm / K Grouping Gruppierung Group Min Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Typ Strahlstärke IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs, Ω = 0.01 sr SFH 7222 Ie, min [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] 4 48 Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr. Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr. 2012-08-17 5 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Diagrams IRED Diagramme IRED Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission Forward Current Durchlassstrom Irel = f(λ), TA = 25°C 100 Ι rel IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C OHR00877 OHR00881 10 1 % ΙF A 80 10 0 60 10 -1 40 10 -2 20 0 750 2012-08-17 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 6 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Relative Luminous Intensity Relative Lichtstärke Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit Ie / Ie(100 mA)= f(IF), TA = 25 °C 10 IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHR00878 2 OHR00886 10 4 Ιe Ι e (100mA) mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 1 10 10 3 0.1 0.2 0 0.5 10 -1 10 2 DC 10 -2 D= 10 -3 10 0 10 1 10 2 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(TA) OHR00883 Ι F mA 100 80 R thjA = 450 K/W 60 40 20 0 2012-08-17 0 20 40 60 80 tp ΙF T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 3 mA 10 4 ΙF 120 tp T 100 ˚C 120 TA 7 10 1 s 10 2 tp Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Diagrams LED Diagramme LED Forward Current Durchlassstrom IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C Relative Luminous Intensity Relative Lichtstärke Ie / Ie(100 mA)= f(IF), TA = 25 °C OHF00577 10 2 OHF00578 10 1 Ι F mA ΙV Ι V (10 mA) 10 0 10 1 5 5 green 10 -1 5 green 10 0 10 -2 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 10 3.0 V 3.4 2012-08-17 -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 ΙF VF 8 2 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Wavelength at Peak Emission Max. der spektralen Emission λpeak = f(TA), IF = 10 mA Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHL01686 10 3 IF D= mA tP OHF00579 690 tP λ peak IF T T nm D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 650 630 10 2 0.2 610 5 0.5 590 DC 570 10 1 -5 10 550 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA tp Forward Voltage Durchlassspannung VF = f(TA), IF = f(TA) Dominant Wavelength Dominantwellenlänge λdom = f(TA), IF = 10 mA OHF00580 690 λ dom OHF00581 2.4 VF nm V 2.2 650 2.0 630 610 green 1.8 590 550 1.6 green 570 0 20 40 60 1.4 80 ˚C 100 2012-08-17 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA 9 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF, max = f(T A) Relative Luminous Intensity Relative Lichtstärke Iv / Iv(25 °C) = f(TA ), IF = 10 mA ΙV Ι V (25 ˚C) OHL00241 35 mA IF 30 OHF00582 2.0 1.6 25 2 chips on 1.2 1 chip on 20 green 15 0.8 10 0.4 5 0.0 TA temp. ambient 0 20 40 60 80 ˚C 100 0 TA 2012-08-17 0 20 40 60 80 ˚C 100 T 10 Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 IRED Radiation Characteristics / LED Directional Characteristics IRED Abstrahlcharakteristik / LED Winkeldiagramm Irel = f(ϕ) / Srel = f(ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0˚ 0.4 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ Package Outline Maßzeichnung 2.1 (0.083) 2.1 (0.083) 1.7 (0.067) 0.1 (0.004) (typ.) 1 4 0.9 (0.035) 0.7 (0.028) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 1.1 (0.043) Package marking 0.5 (0.020) 3 (2.4 (0.095)) 2 3.4 (0.134) 3.0 (0.118) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.18 (0.007) 0.12 (0.005) GEOY7023 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2012-08-17 11 120˚ Version 1.0 (not for new design) SFH 7222 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Cathode / Kathode (880 nm) 2 Anode / Anode (880 nm) 3 Cathode / Kathode (565 nm) 4 Anode / Anode (565 nm) Package SMT Multi TOPLED, white, clear resin Gehäuse SMT Multi TOPLED, weiß, klarer Verguss Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 3.3 (0.130) 3.3 (0.130) 0.4 (0.016) 2.6 (0.102) 0.5 (0.020) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Kathoden Markierung / Cathode marking 7.5 (0.295) 1.5 (0.059) 4.5 (0.177) 1.1 (0.043) Cu Fläche /