- 物料型号: IRFL024ZPbF
- 器件简介: 该MOSFET采用先进的工艺技术，具有超低导通电阻、150°C的工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩等级，使其在多种应用中非常高效可靠。
- 引脚分配: 引脚包括D（漏极）、G（栅极）和S（源极）。
- 参数特性:
- 漏源击穿电压（VBROSS）: 55V
- 静态漏源导通电阻（RoS(om)）: 46.2mΩ（典型值）
- 栅源阈值电压（VGs(h)）: 2.0V（最小值）至4.0V（最大值）
- 总栅电荷（Qg）: 9.1nC（最小值）至14nC（最大值）
- 功能详解: 包括详细的电气特性表、最大安全工作区域图、导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间等。
- 应用信息: 适用于需要高效率和可靠性的各种应用。
- 封装信息: SOT-223 (TO-261AA)，提供了封装的尺寸和引脚布局。
