物料型号:2SK2158
器件简介:该器件具有超低导通电阻(RDS(ON)),在Vos=5V和Id=0.2A时,RDS(ON)最大为3.5Ω;在Vos=2.75V和Id=0.2A时,RDS(ON)最大为10Ω。它采用了超高密度单元设计,可靠性高,耐压性强。低阈值电压(0.5V-1.5V)使其非常适合低电压应用场景。
引脚分配:SOT-23封装,1: Gate,2: Source,3: Drain。
参数特性:包括漏源电压(VDS最大50V)、栅源电压(VGS±20V)、连续漏电流(Io最大0.2A)等。
功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括关断特性、导通特性、栅阈值电压、导通电阻等参数,并附有图表展示输出特性、转移特性、击穿电压随温度变化、栅阈值随温度变化、导通电阻随温度变化、导通电阻与漏电流和栅源电压的关系,以及源漏二极管正向电压等。
应用信息:适用于DC/DC转换器的功率管理、便携式和电池供电产品。
封装信息:SOT-23表面安装封装。