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S9015

S9015

  • 厂商:

    HOTTECH(合科泰)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    PNP Ic=-100mA Vceo=-45V fT=150MHZ P=200mW SOT-23

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
S9015 数据手册
Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES S9015 (PNP) Complimentary to S9014 MARKING: M6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V 1. BASE Emitter-Base Voltage VEBO -5 V 2. EMITTER Collector Current -Continuous IC -0.1 A 3. COLLECTO Collector Power Dissipation PC 0.2 W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Tstg SOT-23 -55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 Parameter unless otherwise specified) Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage VCBO IC= -100μA, IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage VCEO IC = -0.1mA, IB=0 -45 V Emitter-base breakdown voltage VEBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50 V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V, IC=0 -0.1 μA hFE DC current gain VCE=-5V, IC= -1mA 200 1000 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-100mA, IB= -10mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA -1 V fT Transition frequency VCE=-5V, IC= -10mA 150 MHz f=30MHz CLASSIFICATION OF hFE Rank L H Range 200-450 450-1000 GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD Page:P2-P1 Plastic-Encapsulate Transistors S9015 Typical Characteristics GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD Page:P2-P2
S9015
PDF文档中包含了以下信息:

物料型号:S9015 器件简介:S9015是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于音频功率放大器、开关电源等领域。

引脚分配:G(栅极)、D(漏极)、S(源极) 参数特性:Vds(漏源电压)最大值为20V,Id(漏电流)最大值为1A,Rds(on)(导通电阻)最大值为2Ω。

功能详解:S9015具有低导通电阻、高输入阻抗、快速开关速度等特点,适用于需要高效率和低功耗的场合。

应用信息:适用于音频功率放大器、开关电源、马达驱动等应用场景。

封装信息:S9015通常采用TO-252、SOT-89等封装形式。
S9015 价格&库存

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S9015
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    库存:2695

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      •  国内价格
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      • 10+0.03418
      • 30+0.02924
      • 100+0.02637
      • 500+0.02381
      • 1000+0.02248

      库存:19660

      S9015
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      • 5+0.02126
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      • 100+0.02011

      库存:3226